對(duì)于NPN雙極型晶體管，當(dāng)其發(fā)射極（Emitter）的摻雜濃度NE為10-3時(shí)，我們可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行分析：

一、發(fā)射極摻雜濃度的影響

發(fā)射極的摻雜濃度對(duì)晶體管的性能有著重要影響。高摻雜濃度的發(fā)射極能夠提供更多的自由電子，從而增加發(fā)射極電流。在NPN晶體管中，發(fā)射極電流是基極電流和集電極電流之和，而基極電流相對(duì)較小，因此發(fā)射極電流主要決定了集電極電流的大小。高摻雜濃度的發(fā)射極有助于提高晶體管的放大倍數(shù)和開(kāi)關(guān)速度。

二、晶體管的工作原理

NPN晶體管由兩層N型半導(dǎo)體夾著一層P型半導(dǎo)體構(gòu)成。在正向偏置條件下，即發(fā)射極相對(duì)于基極施加正向電壓時(shí)電子從發(fā)射極注入基區(qū)，然后跨越基區(qū)到達(dá)集電區(qū)，形成電流。基極電流調(diào)節(jié)了這種流動(dòng)，使得晶體管具有放大信號(hào)的功能。

三、晶體管的性能參數(shù)

1. 發(fā)射效率：發(fā)射效率是指發(fā)射極電流中能夠成功注入到基區(qū)的電子所占的比例。它與發(fā)射極的摻雜濃度、基極的寬度以及基極的摻雜濃度等因素有關(guān)。在NE=10-3的條件下，發(fā)射效率通常較高，因?yàn)楦邠诫s濃度的發(fā)射極提供了更多的自由電子。

2. 基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)：基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指從發(fā)射極注入到基區(qū)的電子中，能夠成功到達(dá)集電極的比例。它與基區(qū)的寬度、基區(qū)的摻雜濃度以及集電極的電壓等因素有關(guān)。優(yōu)化這些參數(shù)可以提高晶體管的放大倍數(shù)和開(kāi)關(guān)速度。

3. 共基極電流增益：共基極電流增益（也稱為電流放大倍數(shù)）是指集電極電流與基極電流之比。它是衡量晶體管放大能力的重要指標(biāo)。在NE=10-3的條件下，由于發(fā)射極提供了大量的自由電子，晶體管的共基極電流增益通常較高。

四、應(yīng)用場(chǎng)合

NPN雙極型晶體管因其導(dǎo)通時(shí)只需較小的基極電流，且適合與常見(jiàn)的邏輯電路（如TTL、CMOS）兼容，因此更常用于開(kāi)關(guān)電路、放大電路以及數(shù)字電路設(shè)計(jì)中。在手機(jī)屏幕等顯示技術(shù)中，雖然NPN晶體管不是直接構(gòu)成屏幕像素的主要元件，但它們?cè)谄聊或?qū)動(dòng)電路和控制電路中發(fā)揮著重要作用。

綜上所述，當(dāng)NPN雙極型晶體管的發(fā)射極摻雜濃度NE為10-3時(shí)，其具有較高的發(fā)射效率、基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)和共基極電流增益，這使得它在開(kāi)關(guān)電路、放大電路以及數(shù)字電路設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用前景。