場效應管（FET，F(xiàn)ield-Effect Transistor）是一種半導體器件，它的工作原理是通過電場來控制半導體材料的導電性。場效應管主要有三個電極，它們各自相當于或對應于以下功能：

1. 柵極（Gate）：

• 柵極是FET的控制電極。在FET中，柵極與半導體材料之間通過一層非常薄的絕緣層（通常是二氧化硅）隔開。柵極上的電壓變化可以改變半導體材料表面的電荷分布，從而控制漏極和源極之間的電流。柵極相當于傳統(tǒng)三極管中的基極，但它不是通過電流來控制，而是通過電壓來控制。

2. 源極（Source）：

• 源極是FET的輸入電極，也是提供載流子（如電子或空穴）的電極。在FET中，源極與半導體材料的體部相連，是電流流出的起點。源極相當于傳統(tǒng)三極管中的發(fā)射極，但它不提供用于控制基極電流的電子流，而是直接為漏極電流提供載流子。

3. 漏極（Drain）：

• 漏極是FET的輸出電極，也是電流流出的終點。在FET中，漏極與半導體材料的另一端相連，當柵極電壓改變時，漏極電流會發(fā)生變化。漏極相當于傳統(tǒng)三極管中的集電極，但它不是收集由基極發(fā)射的電子，而是收集由源極提供的、經(jīng)柵極控制的載流子。

需要注意的是，場效應管有多種類型，包括N溝道FET和P溝道FET，以及增強型和耗盡型等。不同類型的FET在電極的命名和功能上可能略有不同，但基本原理是相似的。此外，F(xiàn)ET與雙極型晶體管（BJT）在結構和工作原理上也有顯著區(qū)別，F(xiàn)ET主要通過電場來控制電流，而BJT則通過電流來控制電流。