在比較場效應(yīng)管（FET）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）的價(jià)格時(shí)，需要明確的是，MOS管實(shí)際上是場效應(yīng)管的一種，因此，將二者進(jìn)行直接的價(jià)格對(duì)比并不十分準(zhǔn)確。不過，如果我們把討論范圍擴(kuò)展到不同類型的場效應(yīng)管（包括MOS管以及其他類型的FET，如JFET等），則可以嘗試分析它們的價(jià)格差異。

一般來說，MOS管的價(jià)格受多種因素影響，包括但不限于材料成本、生產(chǎn)工藝、封裝形式、性能參數(shù)以及市場需求等。隨著技術(shù)的進(jìn)步和產(chǎn)量的增加，MOS管的價(jià)格在過去幾年中有所下降，特別是對(duì)于一些常用的、大批量的型號(hào)。此外，碳化硅（SiC）MOS管等高性能、高可靠性的產(chǎn)品，由于其獨(dú)特的材料特性和應(yīng)用需求，價(jià)格可能仍然相對(duì)較高。

而其他類型的場效應(yīng)管，如JFET等，可能由于其特定的應(yīng)用場景和較小的市場規(guī)模，價(jià)格也可能有所不同。一些特殊用途或高性能的FET可能價(jià)格更高，而一些通用型或低性能的FET則可能價(jià)格更低。

在具體應(yīng)用中，選擇哪種類型的場效應(yīng)管（包括MOS管）主要取決于電路的設(shè)計(jì)需求、性能要求、成本預(yù)算以及可獲得的器件類型等因素。

綜上所述，無法一概而論地說場效應(yīng)管和MOS管哪個(gè)更貴。實(shí)際上，價(jià)格差異取決于具體的型號(hào)、性能、封裝以及市場需求等多種因素。在選擇時(shí)，建議根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求進(jìn)行權(quán)衡和選擇。