二、NMOS場效應(yīng)管

1. 定義：
   NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是常見的場效應(yīng)晶體管（FET）的一種。其主要電極包括柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。

2. 結(jié)構(gòu)：
   NMOS場效應(yīng)管由一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)作為漏極和源極，并用金屬引出電極。在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅絕緣層，并在漏-源極間的絕緣層上裝上一個(gè)金屬電極作為柵極。

3. 工作原理：
   NMOS場效應(yīng)管的工作原理基于柵極電壓對(duì)溝道的控制作用。當(dāng)柵極電壓高于源極電壓一定值（稱為閾值電壓Vth）時(shí)，柵極和襯底之間的絕緣層中產(chǎn)生電場，吸引P型襯底中的電子到襯底表面形成N型導(dǎo)電溝道，使漏極和源極之間導(dǎo)通。溝道的導(dǎo)通程度隨柵極電壓的變化而變化。

4. 應(yīng)用：
   NMOS場效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路中的邏輯門、放大器、開關(guān)等領(lǐng)域。其優(yōu)點(diǎn)是輸入阻抗高、功耗低、開關(guān)速度快等。

三、總結(jié)

NPN型三極管和NMOS場效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著差異。NPN型三極管主要基于PN結(jié)和二極管的性質(zhì)進(jìn)行電流放大和信號(hào)轉(zhuǎn)換；而NMOS場效應(yīng)管則通過柵極電壓對(duì)溝道的控制作用實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通和截止。在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)具體需求和電路特點(diǎn)選擇合適的器件類型。