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X7R材質(zhì)TDK貼片電容的型號(hào)列表

來(lái)源:
2025-04-16
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 1
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

X7R材質(zhì)的TDK貼片電容型號(hào)列表如下


型號(hào)尺寸電壓容量精度特性
C3225X7R1H106MT000E121050V10μF±20%高容貼片電容
C3225X7R1H105KT0A0N121050V1μF±10%高端電容
C3225X7R1E225MT000N121025V2.2μF±20%高端電容
CGA6M3X7R1H225KT0Y0N121050V2.2μF±10%車規(guī)級(jí)高端電容
CGA6P3X7R1H335KT0Y0N121050V3.3μF±10%車規(guī)級(jí)高端電容
CGA6N3X7S1H475KT0Y0N121050V4.7μF±10%車規(guī)級(jí)高端電容(X7S材質(zhì))
CGA6P3X7R1H475KT0Y0N121050V4.7μF±10%車規(guī)級(jí)高端電容
C3225X7S1N475KT0Y0S121075V4.7μF-高端電容(X7S材質(zhì),軟端)
C3225X7R1E106K250AC121025V10μF±10%高端電容
C3225X7R1E106KTJ121025V10μF±10%-
C3225X7R1E475KT121025V4.7μF±10%-
C3225X7R1H105KT121050V1μF±10%-
C3225X7R2A106KT1210100V10μF±10%-
C3225X7R2J683KT1210630V68nF±10%-
C3216X7R1E106KT120625V10μF±10%-
C3216X7R1E225KT120625V2.2μF±10%-
C4532X7R1C336M181216V33μF±20%-
C4532X7R1E226M181225V22μF±20%-
C5750X7R1H106K222050V10μF±10%-
C5750X7R1E226M222025V22μF±20%-
C3225X7T2W224K1210450V0.22μF±10%-
C3225X7T2J104K1210630V0.1μF±10%-
C3216X5R1E106KT120625V10μF±10%X5R材質(zhì)
C3216X5R1E476MT120625V47μF±20%X5R材質(zhì)

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命名規(guī)則說(shuō)明

  • 系列名稱:如C系列。

  • 尺寸:如1210表示1210尺寸(3.2mm×2.5mm)。

  • 材質(zhì)X7R表示材質(zhì)類型。

  • 電壓:如1H表示50V。

  • 容量:如106表示10μF。

  • 精度:如K表示±10%,M表示±20%。

  • 包裝方式:如T表示卷帶包裝。

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 電源濾波:適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電源等。

  • 去耦電容:用于數(shù)字電路、模擬電路的去耦。

  • 耦合電容:用于音頻、射頻信號(hào)的耦合。

  • 車規(guī)級(jí)應(yīng)用:如CGA6M3X7R1H225KT0Y0N等型號(hào)符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車電子。

注意事項(xiàng)

  • 電壓選擇:根據(jù)電路工作電壓選擇合適的額定電壓。

  • 容量精度:根據(jù)電路需求選擇±10%或±20%的精度。

  • 溫度特性:X7R材質(zhì)溫度范圍為-55℃至+125℃,容量變化率±15%。

如需進(jìn)一步了解具體型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)或應(yīng)用,建議訪問(wèn)TDK官網(wǎng)或聯(lián)系TDK授權(quán)代理商。


責(zé)任編輯:Pan

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標(biāo)簽: TDK貼片電容

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