瞬態(tài)抑制二極管（Transient Voltage Suppressor Diode，簡(jiǎn)稱TVS）是一種用于電路保護(hù)的半導(dǎo)體器件，其符號(hào)如下：

• 單向TVS二極管：符號(hào)類似于普通二極管，但在二極管符號(hào)的一側(cè)有一個(gè)額外的弧線，表示其瞬態(tài)抑制特性。其正向特性與普通二極管類似，但反向具有雪崩擊穿特性，能夠在過(guò)壓時(shí)迅速導(dǎo)通，分流過(guò)電流。

• 雙向TVS二極管：符號(hào)由兩個(gè)背靠背的單向TVS符號(hào)組成，表示其在正、反兩個(gè)方向上都具有瞬態(tài)抑制能力。

TVS二極管的核心特性：

• 快速響應(yīng)：TVS二極管的響應(yīng)時(shí)間極短，通常在皮秒級(jí)，能夠迅速抑制瞬態(tài)過(guò)電壓。

• 低鉗位電壓：在擊穿后，TVS二極管能夠?qū)㈦妷恒Q位在一個(gè)相對(duì)較低的水平，保護(hù)后級(jí)電路。

• 高浪涌承受能力：能夠承受較大的瞬態(tài)電流，適用于高能量瞬態(tài)脈沖的抑制。

應(yīng)用領(lǐng)域：

• 電路防護(hù)：常用于電源線、信號(hào)線等易受浪涌沖擊的電路中，防止因雷擊、靜電放電（ESD）等引起的過(guò)壓損壞。

• 電子設(shè)備保護(hù)：廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域，保護(hù)敏感元件免受瞬態(tài)過(guò)電壓的破壞。

肖特基二極管符號(hào)與特性

肖特基二極管（Schottky Barrier Diode，簡(jiǎn)稱SBD）是一種基于金屬-半導(dǎo)體結(jié)（肖特基勢(shì)壘）的二極管，其符號(hào)如下：

• 肖特基二極管符號(hào)：與普通二極管符號(hào)類似，但在二極管符號(hào)的一側(cè)有一個(gè)額外的“S”形曲線或標(biāo)記，表示其為肖特基二極管。

肖特基二極管的核心特性：

• 低正向壓降：肖特基二極管的正向?qū)妷狠^低，通常在0.2V至0.5V之間，遠(yuǎn)低于普通硅二極管的0.7V，因此功耗更低。

• 快速開(kāi)關(guān)速度：由于沒(méi)有少數(shù)載流子存儲(chǔ)效應(yīng)，肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間極短，適用于高頻應(yīng)用。

• 低反向漏電流：在反向偏置時(shí)，肖特基二極管的漏電流較小，但在高溫下漏電流會(huì)顯著增加。

應(yīng)用領(lǐng)域：

• 高頻整流：由于其快速開(kāi)關(guān)特性，肖特基二極管常用于高頻開(kāi)關(guān)電源、射頻電路等需要高速整流的場(chǎng)合。

• 低壓大電流應(yīng)用：適用于低壓、大電流的整流和續(xù)流，如計(jì)算機(jī)電源、電池供電設(shè)備等。

• 防止電壓反向沖擊：可用于USB接口的反接保護(hù)等場(chǎng)景，防止因電壓反向?qū)е碌膿p壞。

TVS二極管與肖特基二極管的對(duì)比