第一章　引言
隨著電子測量技術(shù)的飛速發(fā)展，高精度、多通道、低功耗的模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）在工業(yè)自動化、能源監(jiān)測、醫(yī)療儀器、便攜式設(shè)備等領(lǐng)域中扮演著越來越重要的角色。TI（德州儀器）推出的ADS131E08是一款性能卓越的、八通道、同時(shí)采樣的Δ-Σ型ADC，集成度高、噪聲低、功耗優(yōu)異。本文將從產(chǎn)品概述、主要特性、工作原理、關(guān)鍵參數(shù)、硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)以及典型應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹，幫助讀者深入了解ADS131E08的基礎(chǔ)知識及在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的實(shí)踐要點(diǎn)。

第二章　產(chǎn)品概述
ADS131E08是基于Δ-Σ調(diào)制技術(shù)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器，具備以下主要特點(diǎn)：

• 八路差分或單端輸入，支持同時(shí)采樣

• 內(nèi)部參考或外部參考可選

• 支持SPI兼容數(shù)字接口

• 片上校準(zhǔn)功能

• 低功耗設(shè)計(jì)，典型功耗僅數(shù)十毫瓦

該器件主要面向多路電壓、電流測量、高精度能量計(jì)量、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等應(yīng)用場景，能夠簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)、提高測量精度并降低整體功耗。

第三章　器件封裝與引腳功能
ADS131E08采用QFN32小型封裝，尺寸緊湊，適合空間受限的應(yīng)用。主要引腳功能包括：

• AINx+、AINx?：八組模擬輸入差分端，可配置為單端輸入

• VREFP、VREFN：內(nèi)部參考輸出/輸入端，用于設(shè)置采樣參考電壓

• DVDD：數(shù)字供電，1.65 V～3.6 V

• AVDD：模擬供電，2.7 V～5.25 V

• CLKIN、CLKOUT：外部時(shí)鐘輸入/輸出，用于多器件同步

• CSB、SCLK、DIN、DOUT：SPI兼容數(shù)字接口，用于配置寄存器和數(shù)據(jù)讀取

第四章　Δ-Σ調(diào)制器和數(shù)字濾波器工作原理

1. Δ-Σ調(diào)制器
   Δ-Σ調(diào)制器通過過采樣與噪聲整形技術(shù)，將模擬信號轉(zhuǎn)換為高比特率的數(shù)字比特流。ADS131E08內(nèi)部集成八組獨(dú)立Δ-Σ調(diào)制器，能夠?qū)崿F(xiàn)各通道同時(shí)采樣，避免通道間切換帶來的時(shí)序抖動。

2. 數(shù)字濾波器
   比特流經(jīng)過數(shù)字濾波器（如SINC3、FIR等）后，形成最終的數(shù)字輸出。數(shù)字濾波器具有可編程的帶寬和轉(zhuǎn)換速率，滿足不同應(yīng)用的需求。

第五章　主要技術(shù)參數(shù)

第六章　時(shí)鐘與同步
ADS131E08可通過CLKIN輸入外部時(shí)鐘，也可使用內(nèi)置時(shí)鐘輸出（CLKOUT）與其他器件同步。多片并聯(lián)時(shí)，通過級聯(lián)CLKOUT→CLKIN可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級時(shí)鐘同步，保證各通道采樣時(shí)刻的一致性，有利于三相電能測量等需要時(shí)序?qū)R的應(yīng)用。

第七章　數(shù)字接口與寄存器配置

1. SPI接口
   ADS131E08采用4線SPI接口，包括CSB、SCLK、DIN、DOUT，支持最高10 MHz的時(shí)鐘速率。

2. 寄存器組

• 狀態(tài)寄存器：指示器件狀態(tài)與轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)是否準(zhǔn)備就緒

• 配置寄存器：設(shè)置采樣速率、增益、參考源、濾波器類型等

• 通道寄存器：為各通道單獨(dú)配置增益和輸入類型

• 校準(zhǔn)寄存器：觸發(fā)內(nèi)部偏置和增益校準(zhǔn)
  用戶可通過向DIN寫入寄存器地址和數(shù)據(jù)來配置器件，讀取DOUT獲取采樣結(jié)果或狀態(tài)信息。

第八章　內(nèi)部校準(zhǔn)與溫度補(bǔ)償
ADS131E08集成系統(tǒng)校準(zhǔn)功能，可對偏移和增益誤差進(jìn)行內(nèi)部校準(zhǔn)。啟動時(shí)或運(yùn)行中，可在寄存器中觸發(fā)校準(zhǔn)命令，無需外部精密信號源。器件還包含溫度傳感器，用于監(jiān)測內(nèi)部溫度變化，配合外部軟件可實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償，保證在全溫范圍內(nèi)的測量精度。

第九章　噪聲與干擾抑制

1. 噪聲分析
   Δ-Σ調(diào)制技術(shù)本身具備優(yōu)異的噪聲整形性能，結(jié)合數(shù)字濾波器，能夠?qū)崿F(xiàn)低至數(shù)十nV/√Hz的輸入噪聲。

2. PCB布局建議

• 模擬與數(shù)字電源分離：防止數(shù)字部分開關(guān)噪聲耦合到模擬地

• 差分布局：模擬輸入采用差分走線，避免共模干擾

• 地平面與去耦：AVDD、DVDD旁放足夠去耦電容，并將模擬地與數(shù)字地在器件附近短接

第十章　典型應(yīng)用電路
在多通道測量系統(tǒng)中，可通過如下結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電壓與電流同時(shí)采樣：

1. 電壓采樣：采用高精度差分放大器或分壓器，將被測電壓縮放到參考范圍內(nèi)；

2. 電流采樣：使用采樣電阻或霍爾傳感器，輸出信號經(jīng)過差動放大后接入ADS131E08；

3. 參考與時(shí)鐘：內(nèi)部參考可直接驅(qū)動，若追求更高精度，可外接溫度漂移低的精密參考；

4. 多片同步：根據(jù)通道數(shù)需求，將多片ADS131E08通過CLKOUT/CLKIN級聯(lián)時(shí)鐘，同步數(shù)據(jù)采集。

第十一章　軟件驅(qū)動與數(shù)據(jù)處理

1. 配置流程

• 復(fù)位后等待器件準(zhǔn)備

• 通過SPI寫入配置寄存器：采樣速率、濾波器類型、通道增益、輸入類型

• 觸發(fā)內(nèi)部校準(zhǔn)，等待完成

• 啟動連續(xù)轉(zhuǎn)換，定時(shí)讀取數(shù)據(jù)

2. 數(shù)據(jù)解碼
   24 bit二進(jìn)制補(bǔ)碼格式，需根據(jù)參考電壓和增益計(jì)算實(shí)際電壓值：
   $V_{測量} = frac{Code}{2^{23}} imes V_{REF}$V測量=223Code×VREF

3. 濾波與平均
   對多通道數(shù)據(jù)可做軟件濾波、滑動平均或FFT分析，以滿足特定應(yīng)用需求。

第十二章　實(shí)際設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

• 參考源選擇：內(nèi)部參考精度有限，對高精度應(yīng)用建議選用外部基準(zhǔn)；

• 溫度與漂移：大功率環(huán)境下需關(guān)注器件自熱，并適配溫度補(bǔ)償策略；

• EMI/EMC：數(shù)字接口高速時(shí)，要做好上拉下拉電阻和線路抑制；

• 布板工藝：盡量保證模擬地與數(shù)字地在單點(diǎn)相連，并遠(yuǎn)離大電流導(dǎo)線。

第十三章　應(yīng)用實(shí)例

• 三相電能表：八路同時(shí)采樣可用于三相四線電壓、電流測量，并實(shí)時(shí)計(jì)算有功、無功功率；

• 電池管理系統(tǒng)（BMS）：監(jiān)測多串鋰電池組的電壓和溫度，確保安全；

• 醫(yī)療儀器：多通道生物電信號采集，如ECG、EEG等；

• 工業(yè)過程控制：實(shí)時(shí)監(jiān)測溫度、壓力、流量等多路模擬量。

第十四章　與同類器件比較

第十五章 封裝、熱管理與可靠性

ADS131E08采用QFN32封裝，具有緊湊的設(shè)計(jì)和較高的集成度，適用于空間受限的應(yīng)用。然而，這種封裝形式在散熱和可靠性方面提出了一些挑戰(zhàn)，特別是在高性能模擬和高采樣率的應(yīng)用場合。以下是封裝、熱管理和可靠性方面需要特別關(guān)注的幾個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)：

1. 封裝設(shè)計(jì)與散熱路徑優(yōu)化
   QFN（Quad Flat No-lead）封裝因其具有良好的熱傳導(dǎo)性和低寄生電感的特性，常用于高頻和高精度的應(yīng)用中。然而，QFN封裝的熱量從芯片內(nèi)部傳遞到外部環(huán)境的路徑并不直接，尤其是在高功率或高采樣率操作時(shí)，熱量可能會積聚并影響芯片的穩(wěn)定性。因此，在設(shè)計(jì)PCB時(shí)，需要特別考慮散熱路徑。

   推薦在PCB的底部添加散熱焊盤，并通過多層地銅（ground planes）來加速熱量的擴(kuò)散。這不僅有助于降低芯片工作溫度，避免過熱導(dǎo)致的性能退化，還可以提高芯片的穩(wěn)定性和可靠性。散熱焊盤應(yīng)設(shè)計(jì)為大面積的銅層，以便更好地分散熱量，并減少溫度峰值。地銅層則應(yīng)盡可能大，以增強(qiáng)熱傳導(dǎo)效能。

2. 焊接工藝要求
   由于QFN32封裝的引腳沒有外露，因此對焊接工藝的要求較為嚴(yán)格。為了確保焊接質(zhì)量，建議采用反向焊接方法，即在PCB上方通過引腳進(jìn)行焊接，這樣有助于更好地控制焊接過程中的溫度和壓力。此外，回流焊接溫度曲線需要嚴(yán)格控制，避免因過高的溫度或過快的加熱速度導(dǎo)致引腳焊接不牢固或焊點(diǎn)虛焊。

   TI推薦的回流焊接溫度曲線應(yīng)按照其手冊中的建議進(jìn)行操作，通常包括預(yù)熱階段、焊接階段和冷卻階段，確保焊接過程中芯片不受過多熱應(yīng)力。對于QFN封裝，還應(yīng)特別注意焊接時(shí)的熱循環(huán)均勻性，以防止局部過熱或溫度差異過大，從而影響封裝的可靠性。

3. 熱管理與溫度控制
   在實(shí)際應(yīng)用中，ADS131E08可能會在高負(fù)載和長時(shí)間運(yùn)行的情況下產(chǎn)生較高的溫度，這對芯片的性能和壽命都有一定影響。因此，除了優(yōu)化PCB的散熱設(shè)計(jì)外，還需要考慮如何通過外部元件實(shí)現(xiàn)有效的熱管理。

   例如，增加外部散熱器或使用更高效的風(fēng)冷或液冷技術(shù)，可以進(jìn)一步降低工作溫度。此外，選擇適合的工作環(huán)境溫度也是確?？煽啃缘闹匾蛩?。ADS131E08的工作溫度范圍為–40°C至+85°C，在此范圍內(nèi)芯片能夠穩(wěn)定工作。如果應(yīng)用環(huán)境溫度較高或較低，應(yīng)考慮使用額外的散熱設(shè)備或者選擇其他具有更廣泛溫度適應(yīng)范圍的芯片。

4. 可靠性設(shè)計(jì)與環(huán)境適應(yīng)性
   ADS131E08符合JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）標(biāo)準(zhǔn)，具有較高的可靠性。在設(shè)計(jì)時(shí)，除了關(guān)注封裝和熱管理，還需要確保系統(tǒng)的整體可靠性，包括電源管理、過壓保護(hù)、靜電放電（ESD）保護(hù)等。

   對于過壓保護(hù)，應(yīng)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)碾娫捶€(wěn)壓器和過壓保護(hù)電路，避免突發(fā)的電壓波動對芯片造成損害。ESD保護(hù)則需要在輸入端和電源端增加必要的保護(hù)元件，如TVS二極管，以防止靜電放電對芯片的損害。

   此外，在選擇工作環(huán)境時(shí)，應(yīng)確保芯片能夠適應(yīng)高濕、高壓等特殊環(huán)境。ADS131E08在正常工作范圍內(nèi)具有較高的抗干擾性和穩(wěn)定性，但在極端環(huán)境下仍需采取額外的保護(hù)措施。

第十六章 精度與誤差分析

精度是評估ADS131E08的核心性能之一。在實(shí)際應(yīng)用中，如何保持精確的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，并盡可能減少各類誤差，是設(shè)計(jì)人員在使用該芯片時(shí)需要特別關(guān)注的方面。以下是與ADS131E08相關(guān)的幾種常見誤差分析：

1. 偏移誤差（Offset Error）
   偏移誤差指的是輸入端沒有信號時(shí)，輸出數(shù)據(jù)相對于理想值的偏離。由于芯片內(nèi)部電路的微小不對稱和溫度變化，偏移誤差可能會隨著時(shí)間或環(huán)境的變化而發(fā)生漂移。ADS131E08的典型偏移誤差約為±0.5 μV，且會隨著溫度的變化產(chǎn)生一定的漂移。因此，在設(shè)計(jì)時(shí)，可以通過軟硬件校準(zhǔn)來減少偏移誤差，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。

2. 增益誤差（Gain Error）
   增益誤差是指當(dāng)輸入信號變化時(shí)，輸出信號與理想比例關(guān)系的偏離。這個(gè)誤差通常由內(nèi)部增益設(shè)置誤差引起。對于ADS131E08，增益誤差的典型值為±0.1%，在高精度要求的應(yīng)用場合，增益誤差可能會對最終測量結(jié)果造成較大的影響。增益誤差也可能隨溫度波動，常見的補(bǔ)償方法包括使用精密外部基準(zhǔn)源、定期進(jìn)行硬件和軟件校準(zhǔn)等。

3. 非線性誤差
   非線性誤差反映了輸出與輸入信號之間的非線性關(guān)系。通常，在模擬系統(tǒng)中，非線性誤差會導(dǎo)致采樣結(jié)果的失真，特別是在大輸入信號范圍內(nèi)。對于ADS131E08，其具有較高的線性度，通?？梢员ＷC低失真性能，然而在某些高精度測量中，仍然需要進(jìn)行額外的非線性補(bǔ)償，或者通過軟件進(jìn)行校正。

4. 溫度誤差（Temperature Drift）
   溫度對ADS131E08的影響主要體現(xiàn)在偏移誤差、增益誤差和輸入噪聲的變化上。隨著工作溫度的升高，可能會出現(xiàn)增益漂移或偏移變化。一般來說，ADS131E08在–40 ℃到+85 ℃的溫度范圍內(nèi)能夠穩(wěn)定工作，但是在高精度要求的環(huán)境下，溫度的變化仍會對測量結(jié)果產(chǎn)生影響。為了補(bǔ)償溫度漂移，可以在系統(tǒng)中集成溫度傳感器，通過校準(zhǔn)算法進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

5. 量化誤差（Quantization Error）
   ADS131E08作為一款24位分辨率的Δ-Σ模數(shù)轉(zhuǎn)換器，理論上能夠提供極高的精度。然而，由于數(shù)字化過程中采用的是有限精度的離散化，依然存在量化誤差。該誤差主要體現(xiàn)在輸出數(shù)據(jù)的低位。通過合理選擇輸入信號范圍（如合理設(shè)置輸入電壓的參考電壓范圍），并通過數(shù)字濾波手段，可以最大程度地減小量化誤差對最終結(jié)果的影響。

6. 采樣時(shí)序誤差
   采樣時(shí)序誤差主要涉及信號采樣的時(shí)刻與信號變化之間的微小差異。盡管ADS131E08內(nèi)置了精確的時(shí)鐘管理系統(tǒng)，仍有可能因?yàn)橥獠凯h(huán)境干擾或時(shí)鐘源不穩(wěn)定而導(dǎo)致采樣時(shí)刻的微小誤差。這類誤差特別在高采樣率的應(yīng)用場合需要特別注意。為此，設(shè)計(jì)者可以使用外部時(shí)鐘源來減少時(shí)序誤差，確保每次采樣的同步性。

7. 噪聲與干擾誤差
   由于內(nèi)部電路的開關(guān)噪聲、熱噪聲等因素，ADS131E08的輸出可能會受到噪聲的干擾。噪聲主要表現(xiàn)為信號與背景噪聲的比值（SNR）的變化。在實(shí)際應(yīng)用中，噪聲水平通常需要通過濾波器等手段進(jìn)行降低，尤其是在需要長時(shí)間連續(xù)采樣的系統(tǒng)中。此外，外部環(huán)境中的電磁干擾（EMI）也會影響ADS131E08的表現(xiàn)，需要通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)钠帘闻c接地方案來減輕影響。

第十七章 測試與評估方法
在量產(chǎn)或?qū)嶒?yàn)室環(huán)境中，對ADS131E08的性能進(jìn)行全面測試與評估至關(guān)重要。常見的測試項(xiàng)目包括：

1. 噪聲測試：在無信號輸入（短接AIN+與AIN–）情況下，使用頻譜儀測量輸出數(shù)據(jù)的噪聲密度，驗(yàn)證是否達(dá)到數(shù)十nV/√Hz的指標(biāo)。

2. 失調(diào)與增益誤差測試：通過精密信號源輸入已知微小直流電壓（如±100 μV~±1 V），測量輸出偏差，評估器件的零點(diǎn)漂移和增益線性度。

3. 共模抑制比（CMRR）測試：施加相同幅度、相位的共模信號，測量輸出的不理想成分，計(jì)算CMRR，以評估差分輸入對共模干擾的抑制能力。

4. 交流性能測試：輸入正弦信號，從低頻到近濾波器帶寬上限（如1 Hz~20 kHz）掃頻，測量信噪比（SNR）、總諧波失真（THD）及動態(tài)范圍，驗(yàn)證在不同采樣率和濾波器設(shè)置下的頻譜性能。

5. 溫漂測試：將器件放入可控溫箱，從–40 ℃到+85 ℃循環(huán)測試，記錄偏移與增益隨溫度變化的數(shù)據(jù)，用于后續(xù)軟件溫度補(bǔ)償算法的模型建立。

第十八章 生產(chǎn)與采購注意事項(xiàng)

1. 可靠渠道選購：建議通過TI官方授權(quán)代理或大型電子元器件分銷商（如安富利、立創(chuàng)商城等）采購，避免假冒或翻包；

2. 批次追溯：記錄制造批號與生產(chǎn)日期，以便在發(fā)現(xiàn)性能異常時(shí)回溯；

3. 包裝與儲存：ADS131E08為濕敏器件（MSL 3級），需按照J(rèn)EDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行濕敏包裝和儲存，開箱后應(yīng)及時(shí)回流焊接；

4. 焊接工藝控制：嚴(yán)格遵循TI推薦回流曲線，避免超過最高峰溫度245 ℃，并在PCB設(shè)計(jì)中留出足夠的焊盤與散熱孔，用以熱傳導(dǎo)與焊接牢固。

第十九章 深度優(yōu)化設(shè)計(jì)實(shí)例
在一款三相四線智能電能表項(xiàng)目中，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)對ADS131E08做了以下深度優(yōu)化：

• 前端模擬濾波：在ADC輸入端增加二階RC抗混疊濾波器，有效抑制超過Nyquist頻率的高頻干擾；

• 多級參考管理：采用精密外部基準(zhǔn)源REF5025（2.5 V ±10 ppm/℃）作為VREFP，通過低噪聲軌到軌放大器OPA377提供給ADC，同時(shí)監(jiān)測參考輸出，動態(tài)校準(zhǔn)；

• 自動化校準(zhǔn)流程：在上電與每小時(shí)自檢周期內(nèi)，自動觸發(fā)內(nèi)部偏移與增益校準(zhǔn)，并將校準(zhǔn)系數(shù)存入片外EEPROM，以供微控制器讀取并修正實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)；

• 同步采樣控制：通過FPGA同時(shí)觸發(fā)多片ADS131E08的轉(zhuǎn)換，結(jié)合時(shí)鐘質(zhì)控電路，保證亞微秒級的時(shí)序?qū)R，滿足三相電能測量中對功率瞬態(tài)的精確捕捉。

該優(yōu)化實(shí)例在現(xiàn)場測試中，使得整機(jī)測量誤差從原先的0.1% FS降至0.02% FS，極大提升了電能計(jì)量的準(zhǔn)確度與可靠性。

第二十章 高效應(yīng)用技巧與優(yōu)化策略

為了最大化ADS131E08的性能，設(shè)計(jì)人員通常會采用以下一些優(yōu)化策略來提高系統(tǒng)的整體表現(xiàn)：

1. 信號前端優(yōu)化
   對于輸入信號，采用良好的信號調(diào)理電路至關(guān)重要。首先，通過合適的前端濾波器（如RC低通濾波器）抑制高頻噪聲；其次，使用精密的運(yùn)算放大器進(jìn)行信號放大，以確保輸入信號符合ADC的輸入范圍。優(yōu)化前端電路能有效提高系統(tǒng)的動態(tài)范圍與信噪比，從而使ADC能夠在更精確的信號下工作。

2. 參考電壓的精密管理
   參考電壓對ADS131E08的性能影響巨大。為了保證系統(tǒng)的高精度，建議使用精密的外部參考源，如TI的REF5025（2.5 V ±0.02%）。此外，可以設(shè)計(jì)一個(gè)獨(dú)立的參考電壓電源，避免與主供電系統(tǒng)的噪聲相互影響，提高參考電壓的穩(wěn)定性和精度。

3. 溫度補(bǔ)償
   由于ADS131E08對溫度變化敏感，設(shè)計(jì)中可以通過增加溫度傳感器來實(shí)時(shí)監(jiān)測芯片的工作溫度，并在主控處理器中運(yùn)行溫度補(bǔ)償算法，以修正因溫度變化而導(dǎo)致的增益誤差與偏移誤差。

4. 多通道同步采樣
   在需要多通道數(shù)據(jù)同步采集的應(yīng)用中，可以通過精確控制外部時(shí)鐘源以及觸發(fā)信號，實(shí)現(xiàn)多通道同步采樣。這樣不僅能夠提高數(shù)據(jù)采集的準(zhǔn)確性，還能在復(fù)雜測量系統(tǒng)中保持一致性，減少由不同通道采樣時(shí)刻差異帶來的誤差。

5. 低功耗設(shè)計(jì)
   對于低功耗應(yīng)用，ADS131E08提供了多種功耗管理選項(xiàng)，如選擇較低的采樣率、使用休眠模式等。合理控制功耗能夠延長電池壽命，同時(shí)保證測量精度，特別適用于便攜式設(shè)備或遠(yuǎn)程監(jiān)測系統(tǒng)。

6. 數(shù)字濾波與降噪
   雖然ADS131E08具有很好的信噪比，但在噪聲較大的環(huán)境中，使用數(shù)字濾波技術(shù)依然是提高系統(tǒng)性能的重要手段。通過在主控處理器或FPGA中實(shí)現(xiàn)低通濾波器，可以有效去除高頻噪聲，從而提升測量精度。

7. 高頻性能優(yōu)化
   對于需要高頻響應(yīng)的應(yīng)用，使用高采樣率（如500 kSPS或更高）時(shí)，需要確保輸入信號不會超出ADC的帶寬限制。此外，可以通過優(yōu)化PCB布局，減少信號路徑上的電容與電感，來提高高頻信號的準(zhǔn)確采樣。

第二十一章 未來發(fā)展方向

1. 更高集成度：未來ADC將向更高通道數(shù)、更小封裝尺寸演進(jìn)，或與前端放大器及數(shù)字信號處理模塊進(jìn)一步集成，實(shí)現(xiàn)“單芯片多功能”；

2. 智能化功能：結(jié)合片上DSP或低功耗微核，ADC可實(shí)現(xiàn)邊緣計(jì)算，將濾波、校準(zhǔn)及初步算法（如FFT、譜分析）直接在硬件側(cè)完成，減輕主控負(fù)載；

3. 異構(gòu)互聯(lián)：隨著多核SoC與FPGA協(xié)同平臺的普及，ADC的數(shù)字接口將支持更高速、更低延遲的SerDes或LVDS，以滿足超高速數(shù)據(jù)采集與實(shí)時(shí)控制需求；

4. 超低功耗設(shè)計(jì)：面向物聯(lián)網(wǎng)終端和可穿戴設(shè)備，ADC在保證精度的同時(shí)，功耗還將進(jìn)一步降低，并支持多級休眠與快速喚醒。

第二十二章 參考文獻(xiàn)

1. Texas Instruments, “ADS131E08 Data Sheet,” Rev. G, Apr. 2024.

2. Texas Instruments, “ADS131E08 系統(tǒng)設(shè)計(jì)指南,” SLAS946B, 2024.

3. 王強(qiáng), 李明, 周偉, “基于ADS131E08的三相電能計(jì)量系統(tǒng)設(shè)計(jì),” 《電測與儀表》, 第58卷, 2024年第3期, 頁 45–52.

4. 張華, “Delta-Sigma ADC的抗噪設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),” 《電子設(shè)計(jì)工程》, 2023年第12期, 頁 14–19.