74lvc245器件損壞會(huì)有什么后果


引言
74LVC245是一種常用的八位雙向總線收發(fā)器芯片,廣泛應(yīng)用于電平轉(zhuǎn)換、總線隔離和數(shù)據(jù)緩沖等場(chǎng)景。器件在系統(tǒng)中承擔(dān)著數(shù)據(jù)傳輸和電平匹配的關(guān)鍵角色,一旦74LVC245發(fā)生損壞,將引發(fā)一系列嚴(yán)重后果。本文從器件結(jié)構(gòu)和功能、常見失效模式、直接電氣后果、系統(tǒng)級(jí)影響、故障診斷與定位、預(yù)防與治理六大方面進(jìn)行深入剖析,并結(jié)合應(yīng)用實(shí)例詳細(xì)闡述可能出現(xiàn)的問題和解決思路。全文約一萬(wàn)字,力求內(nèi)容詳實(shí)、層次清晰,為工程人員在設(shè)計(jì)、調(diào)試和維護(hù)過(guò)程中提供參考。
一、器件概述
74LVC245是一款具備方向選擇和輸出控制功能的雙向總線驅(qū)動(dòng)器,主要特點(diǎn)包括:
雙向數(shù)據(jù)傳輸:通過(guò)DIR引腳可實(shí)現(xiàn)A→B或B→A雙向數(shù)據(jù)傳輸;
輸出使能控制:通過(guò)~OE引腳對(duì)整個(gè)八位數(shù)據(jù)總線進(jìn)行統(tǒng)一使能或三態(tài)隔離;
高驅(qū)動(dòng)能力:典型輸出電流可達(dá)±24 mA,支持長(zhǎng)線和大負(fù)載驅(qū)動(dòng);
寬電壓兼容:VCC工作范圍2.7 V~3.6 V,滿足3.3 V系統(tǒng)與5 V系統(tǒng)互聯(lián);
低功耗特性:靜態(tài)電流僅數(shù)微安,適合便攜和低功耗應(yīng)用。
在數(shù)字系統(tǒng)中,74LVC245常用于MCU、FPGA、DSP等器件之間的數(shù)據(jù)總線隔離與電平轉(zhuǎn)換,是高可靠性設(shè)計(jì)的重要組成部分。
二、常見失效模式
靜電放電(ESD)損傷
當(dāng)器件引腳遭受超出其ESD保護(hù)能力的放電沖擊時(shí),內(nèi)部保護(hù)二極管或MOS結(jié)構(gòu)可能被擊穿,導(dǎo)致漏電流增大、邏輯閾值漂移,最終功能失效。過(guò)壓或反相接入
如果在VCC、GND或I/O引腳上施加超出規(guī)格的正負(fù)電壓,可能引起PN結(jié)反向擊穿、溝道氧化層損壞,從而導(dǎo)致無(wú)法正常收發(fā)數(shù)據(jù)。過(guò)熱熱失控
長(zhǎng)期高負(fù)載驅(qū)動(dòng)或散熱不良時(shí),芯片內(nèi)部溫度上升超過(guò)最大結(jié)溫(125 ℃),硅基體會(huì)發(fā)生熱應(yīng)力、晶格缺陷累積,產(chǎn)生永久性故障。電流過(guò)載
當(dāng)輸出短路或負(fù)載電流超過(guò)其驅(qū)動(dòng)能力時(shí),輸出晶體管飽和區(qū)工作,內(nèi)阻升高,器件因過(guò)流保護(hù)觸發(fā)或熱損傷而失效。封裝及焊接應(yīng)力
在焊接過(guò)程中,過(guò)高溫度或焊接應(yīng)力集中可能導(dǎo)致內(nèi)部連線斷裂或封裝裂紋,表現(xiàn)為某些通道間歇性失效。
三、直接電氣后果
數(shù)據(jù)總線短路或開路
損壞的74LVC245可能導(dǎo)致輸出管腳三態(tài)失效、內(nèi)部短路,造成整條數(shù)據(jù)總線無(wú)法正確驅(qū)動(dòng)。此時(shí),數(shù)據(jù)傳輸中斷或出現(xiàn)恒定高低電平,系統(tǒng)無(wú)法讀寫數(shù)據(jù)。電平漂移與毛刺
由于閾值電平變化或漏電流增大,器件輸出可能漂移至非規(guī)范區(qū)域;在高速切換時(shí)出現(xiàn)毛刺,導(dǎo)致接收端誤觸發(fā)或總線互鎖。功耗異常升高
損壞后內(nèi)部漏電流增加,靜態(tài)功耗急劇上升,系統(tǒng)整體功耗增高;在電源受限場(chǎng)景下可能引發(fā)電壓跌落,引起其他模塊復(fù)位或損壞。溫度過(guò)熱與自毀
過(guò)載或內(nèi)部短路導(dǎo)致局部溫度急升,觸發(fā)熱關(guān)斷或直接燒毀晶片,伴隨封裝焦黑或開裂現(xiàn)象。
四、系統(tǒng)級(jí)影響
MCU/FPGA死機(jī)或復(fù)位
數(shù)據(jù)總線中斷后,上位控制器無(wú)法獲取必要指令或反饋,可能進(jìn)入死循環(huán)、掛起或通過(guò)看門狗復(fù)位,影響系統(tǒng)可靠性。存儲(chǔ)器讀寫錯(cuò)誤
連接閃存、EEPROM或SD卡等外部存儲(chǔ)器的總線若失去驅(qū)動(dòng),會(huì)引發(fā)讀寫超時(shí)、數(shù)據(jù)校驗(yàn)失敗,甚至文件系統(tǒng)損壞。外設(shè)失控
接口如SPI、I2C、UART等通過(guò)74LVC245隔離,其損壞會(huì)導(dǎo)致通信斷鏈,外設(shè)無(wú)法響應(yīng)指令或誤動(dòng)作。安全風(fēng)險(xiǎn)增加
在汽車、醫(yī)療或工業(yè)控制領(lǐng)域,數(shù)據(jù)傳輸故障可能導(dǎo)致執(zhí)行單元誤判、控制失調(diào),帶來(lái)安全隱患。
五、故障診斷與定位
外觀檢查
檢查器件表面是否出現(xiàn)焦痕、裂紋或焊盤脫落;使用放大鏡或顯微鏡可發(fā)現(xiàn)封裝破損。萬(wàn)用表測(cè)量
測(cè)量引腳間導(dǎo)通情況:若出現(xiàn)內(nèi)部短路(零歐姆)或開路(無(wú)限大),說(shuō)明器件異常。示波器觀測(cè)
在工作狀態(tài)下觀察輸入/輸出波形,判斷是否存在毛刺、欠驅(qū)動(dòng)或畸變。替換法
直接用同型號(hào)器件替換,若系統(tǒng)恢復(fù),基本可以確定74LVC245器件損壞。溫度掃描
使用紅外熱像儀掃描工作中的PCB,定位芯片溫度異常升高區(qū)域。
六、預(yù)防與治理
合理的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)
在PCB關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)添加TVS二極管、RC濾波網(wǎng)絡(luò),嚴(yán)格控制操作環(huán)境的靜電水平。規(guī)范焊接工藝
控制回流焊溫度曲線,避免過(guò)高峰值溫度和過(guò)長(zhǎng)加熱時(shí)間;使用合理的焊盤設(shè)計(jì),減小焊接應(yīng)力。過(guò)流與過(guò)溫保護(hù)
在電源線上添加PTC自恢復(fù)保險(xiǎn)絲或限流電阻;在系統(tǒng)級(jí)部署溫度監(jiān)測(cè)和軟件看門狗,遇異常及時(shí)斷電復(fù)位。負(fù)載分擔(dān)與緩沖
對(duì)大電流總線可并聯(lián)多片74LVC245或引入中間級(jí)緩沖器,減輕單片負(fù)載。定期維護(hù)與測(cè)試
制定維護(hù)計(jì)劃,周期性進(jìn)行功能測(cè)試、示波器波形檢查和紅外熱成像,及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在失效。
七、器件選型指南
在進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),如何在眾多總線收發(fā)器中選擇最合適的74LVC245或其替代品,是提高可靠性與性能的關(guān)鍵。以下是幾個(gè)選型要點(diǎn):
電壓兼容性:根據(jù)系統(tǒng)電源電壓選擇合適的V<sub>CC</sub> 范圍,如果需要與5 V邏輯接口通訊,可優(yōu)先考慮支持3.3 V?5 V互聯(lián)的LVC系列;如果只在3.3 V域內(nèi)工作,可考慮更低功耗的LV系列。
驅(qū)動(dòng)能力:根據(jù)總線長(zhǎng)度與負(fù)載電容大小,評(píng)估所需的輸出電流。長(zhǎng)總線或大電容負(fù)載場(chǎng)景下,建議選用典型驅(qū)動(dòng)電流±24 mA以上的器件,或并聯(lián)多片緩沖器分擔(dān)負(fù)載。
工作頻率:74LVC245的最大翻轉(zhuǎn)速率約為100 MHz,但在高頻率下毛刺與信號(hào)完整性問題凸顯;對(duì)于更高速總線,可選擇高速系列(如‘HC’、‘AC’)或?qū)S貌罘质瞻l(fā)器。
功耗與封裝:便攜式與電池供電系統(tǒng)應(yīng)優(yōu)先考慮靜態(tài)漏電流更低、封裝熱阻更小的器件;例如采用TSSOP或VQFN封裝有助于散熱與節(jié)省PCB面積。
環(huán)境與可靠性要求:對(duì)于工業(yè)級(jí)或汽車級(jí)應(yīng)用,需選擇溫度等級(jí)達(dá)到–40 ℃~+125 ℃的產(chǎn)品,并具有AEC-Q100認(rèn)證。
八、替代器件比較
除了74LVC245外,市場(chǎng)上還存在多款功能相似或性能更優(yōu)的總線收發(fā)器:
74LVX245:屬于低壓降(Low-Voltage eXtreme)系列,具備更寬的V<sub>CC</sub>范圍(1.65 V~5.5 V)與更低的漏電流,適合多電壓域互聯(lián)。
SN74ACT245:高速度(Advanced CMOS with TTL-level inputs)系列,支持TTL兼容輸入,可直接與5 V TTL邏輯接口,最高頻率可達(dá)200 MHz。
TXB0108:八位自動(dòng)方向電平轉(zhuǎn)換器,免除方向引腳控制,適合雙向電平轉(zhuǎn)換場(chǎng)景,但在總線驅(qū)動(dòng)能力和信號(hào)完整性方面略遜于74LVC245。
MAX3249E:針對(duì)RS-232電平的收發(fā)器,集成電平轉(zhuǎn)換和±15 kV ESD保護(hù)模塊,適用于工業(yè)串口通信。
器件型號(hào) | V<sub>CC</sub> 范圍 | 最大驅(qū)動(dòng)電流 | 自動(dòng)方向 | ESD 保護(hù) | 典型應(yīng)用 |
---|---|---|---|---|---|
74LVC245 | 2.7 V–3.6 V | ±24 mA | 否 | ±2 kV HBM | 通用總線隔離、電平轉(zhuǎn)換 |
74LVX245 | 1.65 V–5.5 V | ±24 mA | 否 | ±2 kV HBM | 多域電壓互聯(lián) |
SN74ACT245 | 4.5 V–5.5 V | ±32 mA | 否 | ±2 kV HBM | 高速TTL邏輯接口 |
TXB0108 | 1.2 V–3.6 V | ±10 mA | 是 | ±2 kV HBM | 自動(dòng)雙向電平轉(zhuǎn)換 |
九、可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與實(shí)驗(yàn)方案
為了驗(yàn)證74LVC245及其替代器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性,常見的測(cè)試項(xiàng)目包括:
高加速壽命測(cè)試(HALT/HASS)
通過(guò)極端溫度、振動(dòng)交叉試驗(yàn),快速篩查潛在的工藝缺陷。熱循環(huán)試驗(yàn)
在–55 ℃~+125 ℃溫度循環(huán)中,觀察封裝與焊點(diǎn)應(yīng)力對(duì)器件功能的影響。ESD 與浪涌防護(hù)測(cè)試
按照IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),對(duì)I/O和電源端口進(jìn)行ESD和浪涌注入,評(píng)估保護(hù)結(jié)構(gòu)的可靠性。功耗老化測(cè)試
在最大工作頻率和負(fù)載條件下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行,監(jiān)測(cè)漏電流和功能漂移,驗(yàn)證器件的長(zhǎng)期穩(wěn)態(tài)特性。信號(hào)完整性測(cè)試
使用高速示波器和網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量上升/下降沿時(shí)間、抖動(dòng)和過(guò)沖,確保在高速總線工作時(shí)滿足系統(tǒng)時(shí)序裕量。
十、應(yīng)用案例分析
工業(yè)自動(dòng)化控制柜
某大型PLC系統(tǒng)使用74LVC245實(shí)現(xiàn)CPU模塊與I/O擴(kuò)展板之間的總線隔離。在高電磁干擾環(huán)境中,通過(guò)在PCB布線時(shí)在收發(fā)器兩側(cè)加裝共模扼流圈及RC緩沖網(wǎng)絡(luò),顯著降低了數(shù)據(jù)抖動(dòng)率。汽車CAN總線網(wǎng)關(guān)
在車載網(wǎng)關(guān)模塊中,74LVC245用于3.3 V邏輯與5 V傳感器之間的電平轉(zhuǎn)換。通過(guò)在~OE端加入微控制器監(jiān)控,遇故障可立即將總線隔離,保證車身控制單元的安全性。便攜式醫(yī)療設(shè)備
某便攜式超聲探頭的數(shù)字信號(hào)處理板上,采用74LVX245實(shí)現(xiàn)1.8 V DSP與3.3 V FPGA的數(shù)據(jù)交互,并利用低漏電壓特性延長(zhǎng)電池續(xù)航。
十一、未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新
更高集成度:未來(lái)總線收發(fā)器將集成更多接口(如I2C、SPI)、模擬監(jiān)測(cè)功能,以及智能隔離功能,減少外部元件和PCB面積。
更強(qiáng)ESD/EMI抗擾度:隨著系統(tǒng)工作頻率不斷提高,對(duì)ESD和電磁兼容性的要求更為苛刻,芯片廠商將持續(xù)優(yōu)化內(nèi)置保護(hù)電路并提供定制化解決方案。
更低功耗與更寬電壓范圍:為了適應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備等場(chǎng)景,總線收發(fā)器將發(fā)展到更寬的電壓兼容范圍(1.2 V~5.5 V)和亞微安級(jí)靜態(tài)功耗。
軟件定義總線隔離:利用片上可編程邏輯(如FPGA或eFPGA)與總線收發(fā)器結(jié)合,使隔離機(jī)制可通過(guò)軟件動(dòng)態(tài)調(diào)整,提高靈活性與安全性。
十二、熱管理與散熱設(shè)計(jì)
在高密度PCB或高頻率切換場(chǎng)景下,74LVC245及其替代器件會(huì)產(chǎn)生顯著的熱量。為了保障器件的長(zhǎng)期可靠性,需要在PCB布局和散熱設(shè)計(jì)上下功夫。首先,應(yīng)盡量采用低熱阻封裝,比如VQFN或QFN等,通過(guò)底部散熱焊盤(exposed pad)直接將熱量傳導(dǎo)至PCB銅箔,大幅提升散熱效果;同時(shí),在封裝背部和地層之間保持良好的填充銅通孔,以形成高效的熱傳導(dǎo)通道。其次,為了平衡散熱與電氣性能,可在器件周圍留出足夠的銅箔散熱區(qū)域,并在關(guān)鍵熱源處添加散熱槽或微通道,結(jié)合覆蓋式散熱罩等被動(dòng)散熱方式。對(duì)于需要更高散熱性能的場(chǎng)合,也可以在PCB正面考慮散熱片或風(fēng)扇輔助散熱,并利用熱仿真工具進(jìn)行溫度場(chǎng)模擬,預(yù)測(cè)熱點(diǎn)位置和溫度梯度,從而提前優(yōu)化布局與散熱方案。良好的熱管理不僅能避免高溫觸發(fā)熱關(guān)斷,還能抑制因溫度循環(huán)導(dǎo)致的焊點(diǎn)疲勞和封裝應(yīng)力失效,提高產(chǎn)品的環(huán)境適應(yīng)性。
十三、供應(yīng)鏈與成本考量
器件選型不僅要關(guān)注性能和可靠性,還要兼顧供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性與成本控制。首先,在全球半導(dǎo)體緊缺時(shí)期,某些型號(hào)的74LVC245可能面臨交期延長(zhǎng)或產(chǎn)能受限,設(shè)計(jì)階段應(yīng)同時(shí)鎖定至少兩家主要廠商的等效產(chǎn)品,以分散采購(gòu)風(fēng)險(xiǎn)。其次,成本評(píng)估不僅包括器件本身的單價(jià),還要考慮包裝規(guī)格、最小起訂量、運(yùn)輸和關(guān)稅等因素;采用大宗采購(gòu)或與供應(yīng)商簽訂長(zhǎng)期協(xié)議,可以在維護(hù)價(jià)格穩(wěn)定的同時(shí)享受量?jī)r(jià)優(yōu)惠。再者,還需關(guān)注生命周期管理(PLM),及時(shí)跟蹤器件的生命周期公告(PCN/PDN),以便提前規(guī)劃替換或升級(jí)方案,避免因停產(chǎn)而被動(dòng)轉(zhuǎn)換器件。最后,對(duì)于成本敏感型產(chǎn)品,可結(jié)合系統(tǒng)架構(gòu)優(yōu)化,合理分配總線緩沖器數(shù)量,或在功能允許的情況下采用更低價(jià)格的兼容系列,以在不犧牲關(guān)鍵性能的前提下降低整體物料成本。
十四、法規(guī)與認(rèn)證要求
在汽車、工業(yè)和醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用74LVC245時(shí),必須滿足各類行業(yè)法規(guī)與認(rèn)證要求。汽車級(jí)應(yīng)用需符合AEC-Q100檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),包括高加速應(yīng)力測(cè)試(HAST)、溫度濕度測(cè)試(THB)和機(jī)械應(yīng)力測(cè)試(Power Temperature Cycling);同時(shí)還要滿足ISO 26262功能安全標(biāo)準(zhǔn),配合硬件安全機(jī)制(如雙片冗余、錯(cuò)誤檢測(cè)與故障安全切換)。工業(yè)級(jí)產(chǎn)品則需遵守IEC 60950/62368信息技術(shù)設(shè)備安全標(biāo)準(zhǔn)、IEC 61000-4系列電磁兼容(EMC)測(cè)試,并通過(guò)CE、UL等認(rèn)證。醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域更為嚴(yán)格,不僅要符合ANSI/AAMI ES60601-1安全標(biāo)準(zhǔn),還需通過(guò)ISO 13485質(zhì)量管理體系審核,并在關(guān)鍵通信總線中部署隔離和故障指示機(jī)制。設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)在早期架構(gòu)階段就將法規(guī)需求納入考慮,與器件廠商協(xié)同獲取認(rèn)證資料與測(cè)試報(bào)告,確保產(chǎn)品在上市前完成所有必要的合規(guī)性驗(yàn)證。
十五、可維護(hù)性與可測(cè)試性設(shè)計(jì)
為了提高系統(tǒng)的可維護(hù)性和可測(cè)試性,需要在設(shè)計(jì)中加入便于在線診斷和現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的功能模塊。可在74LVC245的~OE或DIR引腳處添加狀態(tài)監(jiān)測(cè)電路,通過(guò)ADC或邏輯輸入實(shí)時(shí)采集其使能和方向狀態(tài);同時(shí),可在PCB上預(yù)留測(cè)試點(diǎn)(Testpoint)以方便示波器或邏輯分析儀接入,快速定位故障點(diǎn)。針對(duì)批量生產(chǎn),還可設(shè)計(jì)自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)程序,通過(guò)掃描測(cè)試點(diǎn)施加特定激勵(lì),并檢測(cè)各通道的高低電平輸出和時(shí)序,確保整片器件在出廠前無(wú)隱患。此外,現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)時(shí)可利用帶指示燈的總線隔離模塊,將74LVC245與總線驅(qū)動(dòng)電路隔離,并對(duì)工作狀態(tài)進(jìn)行狀態(tài)燈提示,及時(shí)發(fā)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)斷鏈或器件失效,從而縮短停機(jī)時(shí)間,提升維護(hù)效率。
十六、數(shù)字化與智能監(jiān)控
隨著工業(yè)4.0和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,越來(lái)越多的系統(tǒng)引入數(shù)字化監(jiān)控和遠(yuǎn)程維護(hù)能力。針對(duì)關(guān)鍵總線緩沖器件,可在系統(tǒng)中集成小型MCU或SoC,通過(guò)I2C/SPI總線與74LVC245等收發(fā)器配合,實(shí)現(xiàn)對(duì)器件使能狀態(tài)、溫度、電流等參數(shù)的實(shí)時(shí)采集與記錄;并利用邊緣計(jì)算或云端平臺(tái)進(jìn)行數(shù)據(jù)分析,基于歷史數(shù)據(jù)模型預(yù)測(cè)潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。結(jié)合數(shù)字孿生技術(shù),可在虛擬環(huán)境中模擬器件的熱、電、EMC響應(yīng),提前發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)缺陷并優(yōu)化PCB布局。通過(guò)在關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)部署智能監(jiān)控模塊,并開啟預(yù)警機(jī)制,可在器件性能開始退化時(shí)發(fā)出告警,提醒維護(hù)人員進(jìn)行更換或檢修,實(shí)現(xiàn)從被動(dòng)維護(hù)向主動(dòng)維護(hù)的轉(zhuǎn)變,提高系統(tǒng)可用性和運(yùn)行效率。
十七、生態(tài)系統(tǒng)與協(xié)同發(fā)展
在當(dāng)今復(fù)雜電子系統(tǒng)中,74LVC245并非孤立存在,而往往與多個(gè)功能模塊和IP核協(xié)同工作。設(shè)計(jì)人員需要考慮其在整個(gè)硬件與軟件生態(tài)中的角色:在FPGA定制加速卡上,74LVC245可通過(guò)可編程邏輯實(shí)現(xiàn)可變方向控制;在片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計(jì)中,軟硬件協(xié)同仿真工具可同時(shí)驗(yàn)證收發(fā)器性能與驅(qū)動(dòng)邏輯;在開源硬件平臺(tái)中,還可結(jié)合社區(qū)貢獻(xiàn)的硬件抽象接口(HAL)庫(kù),實(shí)現(xiàn)對(duì)多廠商器件的統(tǒng)一管理。通過(guò)生態(tài)合作與標(biāo)準(zhǔn)化接口,設(shè)計(jì)者可以在不同項(xiàng)目間快速?gòu)?fù)用設(shè)計(jì)塊,降低二次開發(fā)成本,并在產(chǎn)業(yè)鏈上下游形成良性互動(dòng),共同推動(dòng)總線收發(fā)器技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用普及。
結(jié)論
74LVC245作為關(guān)鍵的數(shù)據(jù)緩沖與電平轉(zhuǎn)換器件,其損壞會(huì)從電氣層面至系統(tǒng)層面產(chǎn)生嚴(yán)重后果,包括總線中斷、數(shù)據(jù)錯(cuò)誤、功耗增高、系統(tǒng)死機(jī)等,甚至引發(fā)安全事故。通過(guò)了解其常見失效模式、掌握故障診斷方法,并在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中采用完善的防護(hù)與保護(hù)措施,可以最大程度降低失效率,保障系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。對(duì)于工程人員而言,全面掌握74LVC245的特性與風(fēng)險(xiǎn),是提升產(chǎn)品可靠性和安全性的重要環(huán)節(jié)。
責(zé)任編輯:David
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