lm27762輸出負(fù)壓不正常


LM27762輸出負(fù)壓不正常的故障分析與解決方案
LM27762是德州儀器(TI)推出的一款低噪聲、高效能雙通道升壓轉(zhuǎn)換器芯片,其核心功能是通過電荷泵和LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)組合實(shí)現(xiàn)±1.5V至±5V的可調(diào)正負(fù)電壓輸出。該芯片廣泛應(yīng)用于音頻放大器、傳感器供電、運(yùn)放偏置等對噪聲敏感的場景。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,用戶常遇到負(fù)電壓輸出異常的問題,如無輸出、輸出電壓偏低或不穩(wěn)定等。本文將結(jié)合技術(shù)文檔、用戶反饋及實(shí)際案例,系統(tǒng)分析LM27762負(fù)壓輸出故障的根源,并提供分階段的解決方案。
一、LM27762負(fù)壓輸出原理與關(guān)鍵參數(shù)
LM27762的負(fù)壓生成機(jī)制基于電荷泵和LDO的協(xié)同工作:電荷泵通過開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)將輸入電壓反相,生成初步的負(fù)電壓;隨后,負(fù)電壓LDO對反相后的電壓進(jìn)行穩(wěn)壓,降低紋波和噪聲。這一過程涉及以下關(guān)鍵參數(shù):
輸入電壓范圍:2.7V至5.5V。若輸入電壓低于2.7V,電荷泵可能無法正常啟動(dòng);若高于5.5V,可能觸發(fā)過壓保護(hù)。
輸出電流能力:±250mA。負(fù)載電流超過此值時(shí),輸出電壓會(huì)因壓降而下降。
開關(guān)頻率:2MHz(典型值)。高頻設(shè)計(jì)可減小外部元件尺寸,但對PCB布局的寄生參數(shù)更敏感。
LDO壓降:負(fù)壓LDO在100mA負(fù)載下壓降為30mV(VOUT=-5V時(shí)),正壓LDO壓降為45mV(VOUT=5V時(shí))。
二、負(fù)壓輸出異常的常見現(xiàn)象與初步排查
1. 無負(fù)壓輸出
現(xiàn)象:正壓輸出正常,負(fù)壓端電壓為0V或接近0V。
可能原因:
電荷泵電容(如C1)未正確連接或容值不足。
負(fù)壓LDO的使能引腳(EN-)未正確配置。
PCB布局問題導(dǎo)致電荷泵節(jié)點(diǎn)電壓異常。
排查步驟:
確認(rèn)電荷泵電容(通常為1μF陶瓷電容)是否焊接正確,且未使用極性電容(如鉭電容)。
檢查EN-引腳是否接至有效電平(高電平或低電平,取決于設(shè)計(jì)需求)。
使用示波器測量電荷泵節(jié)點(diǎn)(如CP引腳)的波形,確認(rèn)其是否為方波(頻率約2MHz)。
2. 負(fù)壓輸出電壓偏低
現(xiàn)象:負(fù)壓輸出值低于設(shè)定值(如-2.5V輸出僅為-1.8V)。
可能原因:
反饋電阻分壓網(wǎng)絡(luò)配置錯(cuò)誤。
負(fù)壓LDO的負(fù)載電流超過其能力。
輸入電壓接近下限(如2.7V),導(dǎo)致電荷泵效率下降。
排查步驟:
核對反饋電阻(RFB1、RFB2)的阻值是否符合數(shù)據(jù)手冊推薦值(如輸出-5V時(shí),分壓比應(yīng)為150kΩ/475kΩ)。
減小負(fù)載電流,觀察輸出電壓是否恢復(fù)。
提高輸入電壓至5V,驗(yàn)證輸出是否正常。
3. 負(fù)壓輸出不穩(wěn)定(抖動(dòng)或噪聲)
現(xiàn)象:負(fù)壓輸出電壓隨時(shí)間波動(dòng),或存在高頻噪聲。
可能原因:
電容ESR(等效串聯(lián)電阻)過高。
PCB布局中電荷泵路徑的寄生電感過大。
輸入電源存在開關(guān)噪聲。
排查步驟:
將所有輸出電容更換為低ESR的陶瓷電容(如X7R材質(zhì))。
檢查PCB布局,確保電荷泵電容靠近芯片引腳,且走線盡可能短。
在輸入端添加LC濾波器(如10μH電感+10μF陶瓷電容),抑制開關(guān)噪聲。
三、深入分析:電荷泵與LDO的協(xié)同工作機(jī)制
LM27762的負(fù)壓輸出依賴于電荷泵和LDO的緊密配合。電荷泵通過開關(guān)電容網(wǎng)絡(luò)將輸入電壓反相,其輸出電壓可表示為:
其中,C1 和 C2 為電荷泵電容。若電容值不匹配或ESR過高,會(huì)導(dǎo)致 VCP 偏離理論值。隨后,負(fù)壓LDO將 VCP 穩(wěn)壓至目標(biāo)輸出電壓,其穩(wěn)壓精度受反饋電阻和負(fù)載電流影響。
1. 電荷泵電容的選擇
容值:數(shù)據(jù)手冊推薦使用1μF陶瓷電容(X5R或X7R材質(zhì))。若使用鉭電容,可能因極性反轉(zhuǎn)導(dǎo)致失效。
ESR:應(yīng)低于1Ω,以避免電荷泵效率下降。
布局:電容應(yīng)盡可能靠近芯片的CP引腳,且走線寬度不小于0.3mm。
2. 負(fù)壓LDO的反饋網(wǎng)絡(luò)
分壓電阻:輸出電壓由 VOUT=?1.225×(1+RFB2RFB1) 決定。若電阻值偏差超過1%,會(huì)導(dǎo)致輸出電壓偏離。
負(fù)載調(diào)整率:在100mA負(fù)載下,輸出電壓變化應(yīng)小于50mV。若變化過大,需檢查LDO的壓降是否足夠。
四、實(shí)際案例分析與解決方案
案例1:負(fù)壓無輸出,正壓正常
問題描述:輸入5V,正壓輸出4.8V,負(fù)壓輸出0V。
排查過程:
測量電荷泵節(jié)點(diǎn)電壓,發(fā)現(xiàn)無方波信號。
檢查電荷泵電容(C1)為極性鉭電容,更換為1μF陶瓷電容后,負(fù)壓輸出恢復(fù)至-4.3V。
調(diào)整反饋電阻至150kΩ/475kΩ,輸出電壓穩(wěn)定在-5V。
結(jié)論:極性電容的反向電壓導(dǎo)致電荷泵失效。
案例2:負(fù)壓輸出不穩(wěn)定,伴隨鳴叫
問題描述:負(fù)壓輸出在-4.5V至-5V之間波動(dòng),且芯片發(fā)出高頻鳴叫。
排查過程:
使用示波器觀察輸出電容的電壓紋波,發(fā)現(xiàn)100kHz噪聲。
更換輸出電容為低ESR陶瓷電容后,噪聲消失,但負(fù)壓仍不穩(wěn)定。
檢查PCB布局,發(fā)現(xiàn)電荷泵電容與芯片引腳之間的走線長度超過5mm??s短走線后,輸出穩(wěn)定。
結(jié)論:寄生電感導(dǎo)致電荷泵效率下降,引發(fā)振蕩。
案例3:負(fù)壓輸出隨輸入電壓變化
問題描述:輸入電壓從3.6V升至5V時(shí),負(fù)壓輸出從-2.2V升至-2.5V。
排查過程:
測量電荷泵節(jié)點(diǎn)電壓,發(fā)現(xiàn)其隨輸入電壓線性變化。
檢查反饋電阻分壓比,發(fā)現(xiàn)RFB1和RFB2的阻值偏差達(dá)5%。
更換為高精度電阻(1%誤差)后,輸出電壓穩(wěn)定。
結(jié)論:反饋電阻精度不足導(dǎo)致輸出電壓隨輸入電壓漂移。
五、優(yōu)化設(shè)計(jì)與預(yù)防措施
1. PCB布局優(yōu)化
電荷泵路徑:確保CP引腳與電荷泵電容之間的走線盡可能短,且避免與其他高頻信號線交叉。
電源和地平面:使用完整的地平面,并盡量減少過孔數(shù)量。
散熱設(shè)計(jì):在芯片下方鋪銅,并增加散熱過孔。
2. 元件選型建議
電容:全部使用X7R陶瓷電容,容值偏差不超過10%。
電阻:反饋電阻使用1%精度金屬膜電阻。
電感:若需添加輸入濾波器,選擇飽和電流大于負(fù)載電流1.5倍的功率電感。
3. 測試與驗(yàn)證
空載測試:在無負(fù)載條件下,測量正負(fù)輸出電壓和紋波。
負(fù)載測試:逐步增加負(fù)載電流,觀察輸出電壓和效率變化。
熱測試:在最大負(fù)載下運(yùn)行1小時(shí),測量芯片表面溫度(應(yīng)低于125℃)。
六、總結(jié)
LM27762負(fù)壓輸出異常的問題通常源于電荷泵電容選擇不當(dāng)、PCB布局不合理或反饋網(wǎng)絡(luò)配置錯(cuò)誤。通過系統(tǒng)排查電荷泵、LDO和外圍元件,結(jié)合優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)和元件選型,可顯著提高輸出穩(wěn)定性。在實(shí)際應(yīng)用中,建議參考TI的評估模塊(EVM)設(shè)計(jì),并遵循以下原則:
嚴(yán)格按數(shù)據(jù)手冊配置電荷泵電容和反饋電阻。
優(yōu)先使用陶瓷電容,避免極性電容。
在輸入端添加LC濾波器,抑制開關(guān)噪聲。
通過示波器實(shí)時(shí)監(jiān)測電荷泵節(jié)點(diǎn)和輸出電壓,確保波形符合預(yù)期。
通過以上措施,可充分發(fā)揮LM27762的低噪聲、高效能優(yōu)勢,滿足音頻放大器、傳感器供電等高精度應(yīng)用的需求。
責(zé)任編輯:David
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