H橋后級電路保護(hù)電路的參數(shù)設(shè)計需圍繞電路安全性和可靠性展開，需結(jié)合功率器件特性、負(fù)載需求及應(yīng)用環(huán)境綜合考量。以下是關(guān)鍵參數(shù)的分類說明及其作用：

一、核心保護(hù)參數(shù)

1. 過流保護(hù)參數(shù)

• 閾值電流（I_OV）

• 定義：觸發(fā)過流保護(hù)的最大允許電流值。

• 典型值：根據(jù)功率管額定電流（I_DS或I_C）的1.2~1.5倍設(shè)定（如10A功率管設(shè)為12~15A）。

• 作用：防止功率管因過流燒毀。

• 響應(yīng)時間（t_OV）

• 定義：從檢測到過流到觸發(fā)保護(hù)的時間延遲。

• 典型值：微秒級（如1~10μs），需小于功率管熱失控時間。

• 作用：快速切斷故障電流。

2. 過壓保護(hù)參數(shù)

• 閾值電壓（V_OV）

• 定義：觸發(fā)過壓保護(hù)的最大允許輸出電壓。

• 典型值：根據(jù)負(fù)載耐壓值設(shè)定（如24V系統(tǒng)設(shè)為28~30V）。

• 作用：保護(hù)負(fù)載免受高壓損壞。

• 鉗位電壓（V_CLAMP）

• 定義：過壓時保護(hù)電路將電壓限制的最大值（如TVS二極管擊穿電壓）。

• 典型值：略高于系統(tǒng)額定電壓（如24V系統(tǒng)選27V TVS）。

• 作用：吸收瞬態(tài)過壓能量。

3. 欠壓保護(hù)參數(shù)

• 閾值電壓（V_UV）

• 定義：觸發(fā)欠壓保護(hù)的最低允許輸入電壓。

• 典型值：根據(jù)功率管最小導(dǎo)通電壓設(shè)定（如12V系統(tǒng)設(shè)為9~10V）。

• 作用：避免功率管在低壓下失控或損壞。

• 恢復(fù)電壓（V_HYST）

• 定義：欠壓保護(hù)解除后電路重新啟動的電壓閾值（需高于V_UV）。

• 典型值：V_UV + 1~2V（如10V欠壓閾值設(shè)11~12V恢復(fù)）。

• 作用：防止電壓波動導(dǎo)致頻繁啟停。

4. 過熱保護(hù)參數(shù)

• 閾值溫度（T_OT）

• 定義：觸發(fā)過熱保護(hù)的最大允許功率管結(jié)溫。

• 典型值：根據(jù)功率管規(guī)格書設(shè)定（如TO-220封裝MOSFET設(shè)為125~150℃）。

• 作用：防止熱失控。

• 熱敏電阻參數(shù)（β值、B值）

• 定義：熱敏電阻的溫度-阻值特性參數(shù)。

• 典型值：NTC熱敏電阻的β值（如3950K）或B值（如3435K）。

• 作用：精確測量溫度。

二、輔助保護(hù)參數(shù)

1. 短路保護(hù)參數(shù)

• 短路電流閾值（I_SC）

• 定義：觸發(fā)短路保護(hù)的最大允許電流（通常低于過流閾值）。

• 典型值：根據(jù)負(fù)載阻抗計算（如5Ω負(fù)載24V系統(tǒng)設(shè)為4.8A）。

• 作用：快速切斷短路電流。

• 短路檢測時間（t_SC）

• 定義：從短路發(fā)生到保護(hù)動作的時間。

• 典型值：納秒至微秒級（如50ns~1μs）。

• 作用：限制短路能量。

2. 驅(qū)動信號保護(hù)參數(shù)

• 死區(qū)時間（t_DEAD）

• 定義：H橋上下管驅(qū)動信號的互鎖延遲時間。

• 典型值：根據(jù)功率管開關(guān)速度設(shè)定（如100ns~1μs）。

• 作用：防止直通短路。

• 驅(qū)動電壓范圍（V_DRV）

• 定義：功率管柵極驅(qū)動電壓的允許范圍。

• 典型值：MOSFET需10~15V，IGBT需15~20V。

• 作用：確保功率管可靠導(dǎo)通/截止。

3. EMC保護(hù)參數(shù)

• 濾波電容容值（C_FILT）

• 定義：輸入/輸出濾波電容的容量。

• 典型值：根據(jù)開關(guān)頻率選擇（如100kHz開關(guān)頻率選1~10μF）。

• 作用：抑制高頻噪聲。

• 共模電感電感量（L_CM）

• 定義：抑制共模干擾的電感值。

• 典型值：根據(jù)EMI標(biāo)準(zhǔn)選擇（如10~100mH）。

• 作用：減少輻射干擾。

三、參數(shù)設(shè)計案例

示例：24V/10A H橋電路保護(hù)參數(shù)設(shè)計

四、設(shè)計注意事項

1. 參數(shù)匹配性

• 保護(hù)參數(shù)需與功率管、負(fù)載和電源特性匹配（如過流閾值需小于功率管最大電流）。

2. 冗余設(shè)計

• 關(guān)鍵參數(shù)（如過流閾值）需留有余量（如按額定值的120%設(shè)定）。

3. 環(huán)境適應(yīng)性

• 高溫/低溫環(huán)境下需調(diào)整參數(shù)（如過熱保護(hù)閾值需考慮環(huán)境溫度影響）。

4. 測試驗證

• 通過故障注入測試（如短路、過壓）驗證保護(hù)電路的可靠性。

通過合理設(shè)置上述參數(shù)，H橋后級電路保護(hù)電路可有效防止功率管損壞、負(fù)載過載及系統(tǒng)失效，確保電路在異常工況下的安全性和可靠性。