irf640中文芯片手冊


IRF640中文芯片手冊
一、概述
IRF640是一款由國際整流器公司(International Rectifier,現(xiàn)屬英飛凌科技)推出的第三代HEXFET?功率MOSFET,屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管。其核心設(shè)計目標(biāo)是為工業(yè)及商業(yè)應(yīng)用提供高效、可靠的功率開關(guān)解決方案,尤其適用于低電壓、高電流的快速開關(guān)場景。該芯片采用先進(jìn)的硅基工藝,結(jié)合低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、高耐壓(Vdss=200V)和快速開關(guān)特性,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)自動化、照明控制等領(lǐng)域。
IRF640提供多種封裝形式,包括TO-220AB(通孔安裝)、D2PAK(表面貼裝)和TO-262(低端通孔安裝),以滿足不同電路設(shè)計需求。其中,TO-220封裝因其低熱阻和低成本,成為功耗約50W的工商業(yè)應(yīng)用中的主流選擇;而D2PAK封裝則憑借其高功率密度和低導(dǎo)通阻抗,在貼片安裝場景中占據(jù)優(yōu)勢。
二、主要特性
低導(dǎo)通電阻(Rds(on))
IRF640在10V柵極驅(qū)動電壓下,導(dǎo)通電阻典型值為0.15Ω(部分版本為0.18Ω),顯著降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率。高耐壓能力
漏源極擊穿電壓(Vdss)為200V,柵源極耐壓(Vgs)達(dá)±20V,確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。快速開關(guān)特性
上升時間(tr)低至19ns,下降時間(tf)為5.5ns,適用于高頻開關(guān)電路,減少開關(guān)延遲和電磁干擾(EMI)。高電流承載能力
連續(xù)漏極電流(Id)最大為18A(25℃環(huán)境溫度),脈沖漏極電流(Idm)可達(dá)72A,滿足大功率負(fù)載需求。動態(tài)dv/dt能力
具備優(yōu)秀的動態(tài)dv/dt額定值,可承受快速電壓變化,適用于高頻PWM控制電路。雪崩額定值
支持可恢復(fù)性雪崩測定,單脈沖雪崩能量(EAS)為224mJ(典型值),重復(fù)雪崩能量(EAR)為13mJ,增強(qiáng)器件在異常工況下的可靠性。封裝與安裝
TO-220AB:經(jīng)典通孔封裝,熱阻(RθJC)為1.0°C/W,適合散熱片安裝。
D2PAK:表面貼裝封裝,功率密度高,導(dǎo)通阻抗低,適用于自動化貼片工藝。
TO-262:低端通孔安裝,適用于對高度敏感的緊湊型設(shè)計。
工作溫度范圍
結(jié)溫(Tj)范圍為-55℃至175℃,適應(yīng)極端環(huán)境應(yīng)用。環(huán)保特性
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鉛環(huán)保封裝,滿足現(xiàn)代電子制造要求。
三、電氣參數(shù)
1. 絕對最大額定值
參數(shù) | 符號 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 條件 |
---|---|---|---|---|---|---|
漏極電流(連續(xù)) | Id | A | - | - | 18 | 25℃環(huán)境溫度,Vgs=10V |
漏極電流(脈沖) | Idm | A | - | - | 72 | 10ms脈沖寬度 |
柵源極電壓 | Vgs | V | -20 | - | +20 | - |
功率耗散 | Pd | W | - | - | 150 | 25℃環(huán)境溫度,散熱片安裝 |
結(jié)溫 | Tj | ℃ | -55 | - | 175 | - |
存儲溫度 | Tstg | ℃ | -55 | - | 175 | - |
單脈沖雪崩能量 | EAS | mJ | - | 224 | - | Vdd=100V,L=1.38mH |
2. 電氣特性(25℃環(huán)境溫度)
參數(shù) | 符號 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 條件 |
---|---|---|---|---|---|---|
漏源極擊穿電壓 | Vdss | V | 200 | - | - | Vgs=0V,Id=250μA |
柵源極閾值電壓 | Vgs(th) | V | 2.0 | 3.0 | 4.0 | Vds=Vgs,Id=250μA |
靜態(tài)漏源極導(dǎo)通電阻 | Rds(on) | Ω | - | 0.15 | 0.18 | Vgs=10V,Id=11A |
漏源極導(dǎo)通電壓 | Vds(on) | V | - | - | 6.0 | Vgs=10V,Id=5A |
正向跨導(dǎo) | gfs | S | 6.7 | - | - | Vds=50V,Id=11A |
輸入電容 | Ciss | pF | - | 1160 | - | Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz |
輸出電容 | Coss | pF | - | 750 | - | 同上 |
反向傳輸電容 | Crss | pF | - | 300 | - | 同上 |
柵極總電荷 | Qg | nC | - | 44.7 | 70 | Vds=0.8Vdss,Id=額定值 |
柵源極電荷 | Qgs | nC | - | 13 | 16 | 同上 |
柵漏極電荷(米勒) | Qgd | nC | - | 26 | 39 | 同上 |
3. 開關(guān)特性
參數(shù) | 符號 | 單位 | 典型值 | 最大值 | 條件 |
---|---|---|---|---|---|
開通延遲時間 | td(on) | ns | 13 | 30 | Vdd=100V,Id=18A |
上升時間 | tr | ns | 19 | 60 | 同上 |
關(guān)斷延遲時間 | td(off) | ns | 45 | 80 | Rg=9.1Ω |
下降時間 | tf | ns | 5.5 | 60 | Rg=5.4Ω |
四、封裝與引腳定義
1. TO-220AB封裝
引腳1(G):柵極(Gate),輸入控制信號。
引腳2(D):漏極(Drain),連接輸出端或負(fù)載。
引腳3(S):源極(Source),連接地或負(fù)電源。
2. D2PAK封裝
引腳1(G):柵極。
引腳2(D):漏極。
引腳3(S):源極。
散熱片:通常與漏極連接,需通過絕緣墊片與散熱器隔離。
3. TO-262封裝
引腳1(G):柵極。
引腳2(D):漏極。
引腳3(S):源極。
五、應(yīng)用領(lǐng)域
開關(guān)電源
適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源調(diào)節(jié)器等場景,利用其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,提升轉(zhuǎn)換效率。
電機(jī)驅(qū)動
在電機(jī)控制、伺服驅(qū)動等應(yīng)用中,IRF640可承受高電流脈沖,實現(xiàn)精確的電機(jī)調(diào)速。
工業(yè)自動化
用于工業(yè)設(shè)備、機(jī)械設(shè)備的過程控制,如PLC輸出模塊、傳感器接口等。
家用電器
應(yīng)用于電磁爐、微波爐、洗衣機(jī)等產(chǎn)品的功率控制電路。
電動車輛
在電動自行車、電動汽車、電動叉車中,作為電機(jī)控制器或電池管理系統(tǒng)的關(guān)鍵元件。
照明控制
適用于LED照明驅(qū)動、壓控開關(guān)調(diào)光等場景,實現(xiàn)高效的光源控制。
通信系統(tǒng)
在2G/3G/4G基站、衛(wèi)星通信設(shè)備中,用于電源管理和信號放大電路。
六、典型應(yīng)用電路
1. 開關(guān)電源中的BUCK轉(zhuǎn)換器
電路描述:IRF640作為主開關(guān)管,配合電感、電容和二極管,實現(xiàn)降壓轉(zhuǎn)換。
設(shè)計要點(diǎn):
柵極驅(qū)動電阻(Rg)需優(yōu)化,以平衡開關(guān)速度和EMI。
漏極需加裝RC緩沖電路,抑制電壓尖峰。
2. 電機(jī)驅(qū)動中的H橋電路
電路描述:IRF640與P溝道MOSFET組成H橋,實現(xiàn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)控制。
設(shè)計要點(diǎn):
需注意死區(qū)時間設(shè)置,避免上下管直通。
柵極驅(qū)動電壓需高于閾值電壓(Vgs(th)),確保完全導(dǎo)通。
3. LED照明驅(qū)動
電路描述:IRF640作為PWM調(diào)光開關(guān),控制LED電流。
設(shè)計要點(diǎn):
需配合恒流驅(qū)動芯片,避免LED過流。
散熱設(shè)計需滿足高亮度LED的長時間工作需求。
七、替代型號與兼容性
IRF640的替代型號包括:
STP18NM50FP
FQPF18N50V2
IRFP250NPBF
IRF640N(英飛凌)
IRF640PBF(威世)
替代注意事項
參數(shù)對比:
替代型號的Rds(on)、Vdss、Id等參數(shù)需與IRF640相近。
閾值電壓(Vgs(th))差異可能導(dǎo)致驅(qū)動電路需調(diào)整。
封裝兼容性:
需確認(rèn)替代型號的封裝形式是否與原設(shè)計兼容。
熱設(shè)計:
不同型號的熱阻(RθJC)可能不同,需重新評估散熱方案。
八、熱管理與可靠性
1. 熱阻計算
結(jié)至外殼熱阻(RθJC):1.0°C/W(TO-220封裝)。
結(jié)至環(huán)境熱阻(RθJA):62.5°C/W(無散熱器,PCB安裝)。
最大功耗公式:
其中,Tj為結(jié)溫,Ta為環(huán)境溫度。
2. 散熱設(shè)計
散熱片選擇:
根據(jù)功耗和熱阻,選擇合適的散熱片面積和材質(zhì)。
推薦使用導(dǎo)熱硅脂填充芯片與散熱片之間的間隙。
PCB布局:
增大漏極和源極的銅箔面積,降低熱阻。
避免在芯片下方布置高密度走線,影響散熱。
3. 可靠性測試
高溫反偏(HTRB):在150℃下施加反向偏壓,測試1000小時。
高溫高濕反偏(H3TRB):在85℃/85%RH條件下測試1000小時。
溫度循環(huán):在-55℃至150℃之間循環(huán)1000次,驗證封裝可靠性。
九、常見問題與解決方案
1. 芯片過熱
原因:
散熱設(shè)計不足,導(dǎo)致結(jié)溫過高。
負(fù)載電流超過額定值。
解決方案:
增大散熱片面積或改進(jìn)散熱結(jié)構(gòu)。
降低工作頻率或占空比,減少功耗。
2. 開關(guān)損耗過大
原因:
柵極驅(qū)動電阻(Rg)過大,導(dǎo)致開關(guān)速度慢。
漏極電壓尖峰過高,增加開關(guān)損耗。
解決方案:
優(yōu)化Rg值,平衡開關(guān)速度和EMI。
在漏極并聯(lián)RC緩沖電路,抑制電壓尖峰。
3. 驅(qū)動電路失效
原因:
柵極電壓不足,導(dǎo)致MOSFET未完全導(dǎo)通。
柵極電荷不足,影響開關(guān)速度。
解決方案:
確保柵極驅(qū)動電壓高于閾值電壓(Vgs(th))。
使用低內(nèi)阻的驅(qū)動芯片,提供足夠的柵極電荷。
十、結(jié)論
IRF640作為一款經(jīng)典的N溝道功率MOSFET,憑借其低導(dǎo)通電阻、高耐壓和快速開關(guān)特性,在工業(yè)及商業(yè)應(yīng)用中占據(jù)重要地位。通過合理的電路設(shè)計、散熱管理和驅(qū)動優(yōu)化,可充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢,滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)自動化等領(lǐng)域的需求。在實際應(yīng)用中,需結(jié)合具體工況選擇合適的封裝形式和替代型號,并嚴(yán)格遵循熱管理和可靠性設(shè)計規(guī)范,以確保系統(tǒng)的長期穩(wěn)定運(yùn)行。
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn),拍明芯城不對內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的,請讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。