ORING控制器（也稱為二極管OR控制器或理想二極管控制器）用于實現(xiàn)電源的冗余備份，通過控制MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）來模擬二極管的功能，以降低功耗和發(fā)熱。選擇合適的MOSFET對于ORING控制器的性能至關重要，以下從選型關鍵參數(shù)、常見搭配類型及示例等方面進行介紹：

選型關鍵參數(shù)

• 導通電阻（RDS(ON)）

• 含義：指在特定條件下，MOSFET漏極和源極之間的電阻值。

• 影響及選型建議：導通電阻越小，MOSFET在導通時的壓降就越小，功耗也就越低，能提高電源轉換效率，減少發(fā)熱。在ORING控制器應用中，應盡量選擇導通電阻小的MOSFET，以降低電源損耗。例如，對于電流較大的應用場景，導通電阻每降低一點，都能顯著減少發(fā)熱和功耗。

• 漏極 - 源極擊穿電壓（VDSS）

• 含義：表示MOSFET能承受的最大漏極 - 源極電壓。

• 影響及選型建議：必須大于電路中的最大工作電壓，并留有一定的余量，以防止MOSFET因過壓而損壞。如果電路工作電壓為24V，那么選擇的MOSFET的VDSS應至少為40V或更高，這樣才能保證在電壓波動或瞬態(tài)過壓情況下，MOSFET仍能正常工作。

• 柵極閾值電壓（VGS(TH)）

• 含義：指使MOSFET開始導通所需的柵極 - 源極電壓。

• 影響及選型建議：要與ORING控制器的輸出驅(qū)動電壓相匹配。如果ORING控制器的輸出驅(qū)動電壓較低，就應選擇柵極閾值電壓也較低的MOSFET，以確保MOSFET能可靠導通。例如，一些低電壓的ORING控制器，其輸出驅(qū)動電壓可能只有3.3V或5V，此時就需要選擇柵極閾值電壓在1V - 2V左右的MOSFET。

• 最大漏極電流（ID）

• 含義：表示MOSFET能承受的最大漏極電流。

• 影響及選型建議：要大于電路中的最大工作電流，并考慮一定的安全余量。如果電路中的最大工作電流為10A，那么選擇的MOSFET的ID應至少為20A或更高，以防止MOSFET因過流而損壞。

常見搭配MOSFET類型

• N溝道MOSFET

• 特點：導通電阻相對較小，在相同電流下功耗較低，且驅(qū)動電路相對簡單。

• 應用場景：廣泛應用于各種ORING控制器電路中，特別是在對功耗和效率要求較高的場合。例如，在服務器電源、通信設備電源等應用中，N溝道MOSFET常被用于實現(xiàn)電源的冗余備份。

• P溝道MOSFET

• 特點：在一些特定的電路設計中，P溝道MOSFET可能具有優(yōu)勢，例如在需要高側開關的應用中，P溝道MOSFET可以直接連接在電源正極和負載之間，電路設計相對簡潔。

• 應用場景：在一些對電路布局和設計有特殊要求的情況下，P溝道MOSFET也會被使用。不過，P溝道MOSFET的導通電阻通常相對較大，且驅(qū)動電路相對復雜一些。

選型示例

• 凌力爾特（Linear Technology，現(xiàn)被ADI收購）的LTC4353 ORING控制器

• 推薦搭配MOSFET：IRF540N（N溝道MOSFET）。IRF540N的VDSS為100V，ID為33A，RDS(ON)為44mΩ（在VGS=10V時），柵極閾值電壓為2V - 4V。這些參數(shù)使得它能夠很好地與LTC4353配合使用，適用于一些電壓較高、電流較大的電源冗余備份應用。

• 德州儀器（TI）的TPS2412 ORING控制器

• 推薦搭配MOSFET：Si4435DY（N溝道MOSFET）。Si4435DY的VDSS為30V，ID為80A，RDS(ON)為3.2mΩ（在VGS=10V時），柵極閾值電壓為1V - 2.5V。它具有較低的導通電阻，能有效降低功耗，適用于對效率要求較高的電源冗余備份電路。