光敏傳感器型號(hào)眾多，不同型號(hào)在參數(shù)、特性等方面存在差異，以下從常見類型角度為你介紹其型號(hào)參數(shù)：

光敏電阻

• 型號(hào)示例：GL5516、GL5528、MG45等。

• 主要參數(shù)

• 亮電阻（RL）：在規(guī)定光照條件下，光敏電阻的阻值。例如GL5516在10Lux光照下，亮電阻典型值為10 - 20kΩ。亮電阻越小，說明光敏電阻對(duì)光的敏感度越高，在光照下能更快地降低阻值。

• 暗電阻（RD）：在無光照條件下，光敏電阻的阻值。GL5516的暗電阻典型值為1MΩ。暗電阻越大，表示光敏電阻在黑暗環(huán)境中的絕緣性能越好，能更有效地隔離電流。

• 光譜響應(yīng)：指光敏電阻對(duì)不同波長(zhǎng)光的響應(yīng)程度。通常以光譜響應(yīng)曲線表示，不同型號(hào)的光敏電阻有不同的光譜響應(yīng)范圍。例如，某些光敏電阻對(duì)可見光有較好的響應(yīng)，而有些則對(duì)紅外光更敏感。

• 響應(yīng)時(shí)間：包括上升時(shí)間和下降時(shí)間。上升時(shí)間是指從無光照到有光照時(shí)，光敏電阻阻值從暗電阻值變化到亮電阻值的90%所需的時(shí)間；下降時(shí)間則相反。GL5516的上升時(shí)間約為20ms，下降時(shí)間約為30ms。響應(yīng)時(shí)間越短，光敏電阻對(duì)光照變化的響應(yīng)越快。

光敏二極管

• 型號(hào)示例：1N4148（部分也可作光敏用途）、BPW34等。

• 主要參數(shù)

• 暗電流（ID）：在無光照條件下，光敏二極管產(chǎn)生的反向電流。BPW34的暗電流典型值為1nA（在反向電壓為5V時(shí)）。暗電流越小，說明光敏二極管在黑暗環(huán)境中的漏電流越小，性能越穩(wěn)定。

• 光電流（IL）：在規(guī)定光照條件下，光敏二極管產(chǎn)生的反向電流。BPW34在光照強(qiáng)度為1000Lux時(shí)，光電流典型值為50μA（反向電壓為5V）。光電流越大，表示光敏二極管對(duì)光的響應(yīng)越靈敏。

• 光譜響應(yīng)范圍：不同型號(hào)的光敏二極管對(duì)不同波長(zhǎng)光的響應(yīng)不同。BPW34的光譜響應(yīng)范圍為400 - 1100nm，在可見光和近紅外光區(qū)域有較好的響應(yīng)。

• 響應(yīng)速度：通常用上升時(shí)間和下降時(shí)間來衡量。BPW34的上升時(shí)間約為5μs，下降時(shí)間約為6μs。響應(yīng)速度越快，光敏二極管越適合用于高速光信號(hào)檢測(cè)。

光敏三極管

• 型號(hào)示例：3DU5C、3DU33等。

• 主要參數(shù)

• 電流放大倍數(shù)（hFE）：指光敏三極管的集電極電流與基極電流之比。3DU5C的電流放大倍數(shù)在光照條件下通常在幾十到幾百之間。電流放大倍數(shù)越大，光敏三極管對(duì)光信號(hào)的放大能力越強(qiáng)。

• 暗電流（ICBO）：在無光照且基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向電流。3DU5C的暗電流典型值為0.1μA（在集電極 - 發(fā)射極電壓為10V時(shí)）。暗電流越小，光敏三極管在黑暗環(huán)境中的性能越穩(wěn)定。

• 光電流（ICEO）：在規(guī)定光照條件下，集電極與發(fā)射極之間的電流。3DU5C在光照強(qiáng)度為1000Lux時(shí)，光電流可達(dá)幾毫安。光電流越大，說明光敏三極管對(duì)光的響應(yīng)越靈敏。

• 光譜響應(yīng)范圍：與光敏二極管類似，不同型號(hào)的光敏三極管有不同的光譜響應(yīng)范圍。3DU5C的光譜響應(yīng)范圍較寬，對(duì)可見光和近紅外光都有較好的響應(yīng)。

光電池

• 型號(hào)示例：2CR系列（如2CR5）、硅光電池等。

• 主要參數(shù)

• 開路電壓（Voc）：在無負(fù)載條件下，光電池產(chǎn)生的電壓。硅光電池在標(biāo)準(zhǔn)光照條件下（100mW/cm2），開路電壓約為0.5 - 0.6V。開路電壓越高，光電池將光能轉(zhuǎn)化為電能的能力越強(qiáng)。

• 短路電流（Isc）：在負(fù)載電阻為零時(shí)，光電池產(chǎn)生的電流。硅光電池在標(biāo)準(zhǔn)光照條件下，短路電流可達(dá)幾十毫安。短路電流越大，說明光電池對(duì)光的響應(yīng)越靈敏，輸出能力越強(qiáng)。

• 填充因子（FF）：是衡量光電池性能的一個(gè)重要參數(shù)，它反映了光電池將光能轉(zhuǎn)化為電能的實(shí)際效率。填充因子越高，光電池的性能越好。

• 轉(zhuǎn)換效率：指光電池將光能轉(zhuǎn)化為電能的效率。目前商用硅光電池的轉(zhuǎn)換效率一般在15% - 20%左右。轉(zhuǎn)換效率越高，光電池的發(fā)電能力越強(qiáng)。