什么是ir2153,ir2153的基礎(chǔ)知識(shí)?


IR2153:半橋驅(qū)動(dòng)器IC基礎(chǔ)知識(shí)與應(yīng)用詳解
IR2153是一款由國(guó)際整流器公司(International Rectifier,現(xiàn)為英飛凌科技公司 Infineon Technologies 旗下)生產(chǎn)的自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)器集成電路(IC)。它主要用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和IGBT,尤其是在需要高壓、高頻率、高效率的半橋拓?fù)潆娐分?。由于其?nèi)部集成了振蕩器,IR2153極大地簡(jiǎn)化了半橋變換器的設(shè)計(jì),使其成為熒光燈鎮(zhèn)流器、緊湊型熒光燈(CFL)、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)以及其他各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的熱門(mén)選擇。
1. IR2153 的核心功能與工作原理
IR2153的核心功能是提供一對(duì)高電平(High-Side)和低電平(Low-Side)輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào),用于控制半橋配置中的兩個(gè)開(kāi)關(guān)管(通常是MOSFET)。其工作原理基于一個(gè)內(nèi)置的CMOS振蕩器,該振蕩器通過(guò)外部連接的電阻(RT)和電容(CT)來(lái)設(shè)定工作頻率和占空比。
內(nèi)置振蕩器: IR2153的內(nèi)部振蕩器是一個(gè)非常關(guān)鍵的組成部分。它產(chǎn)生一個(gè)方波信號(hào),作為整個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器的時(shí)鐘。通過(guò)改變外部連接到RT/CT引腳的電阻和電容的數(shù)值,可以精確地調(diào)整振蕩頻率和死區(qū)時(shí)間。例如,增大RT或CT會(huì)降低振蕩頻率。
高低側(cè)驅(qū)動(dòng): IR2153的獨(dú)特之處在于其能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOSFET。為了驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOSFET,其柵極電壓需要相對(duì)于其源極(而不是地)達(dá)到一個(gè)特定的電壓。在半橋配置中,高側(cè)MOSFET的源極電壓是浮動(dòng)的,它會(huì)隨著半橋輸出點(diǎn)的切換而在高電壓和低電壓之間擺動(dòng)。IR2153通過(guò)一個(gè)內(nèi)部的自舉(Bootstrap)電路來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。
自舉電路: 自舉電路是IR2153驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOSFET的關(guān)鍵。它由一個(gè)外部快速恢復(fù)二極管(通常是超快恢復(fù)二極管)和一個(gè)自舉電容(CBOOT)組成。當(dāng)?shù)蛡?cè)MOSFET導(dǎo)通時(shí),自舉電容通過(guò)自舉二極管充電至VCC電壓。當(dāng)高側(cè)MOSFET需要導(dǎo)通時(shí),IR2153利用自舉電容儲(chǔ)存的電荷,將其輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)(HO)提升到遠(yuǎn)高于VCC的電壓,從而確保高側(cè)MOSFET能夠完全導(dǎo)通。自舉電容的容量選擇對(duì)于驅(qū)動(dòng)器的正常工作至關(guān)重要,過(guò)小可能導(dǎo)致高側(cè)驅(qū)動(dòng)不足,過(guò)大則可能影響充電速度。
死區(qū)時(shí)間(Dead Time): 為了防止半橋上下兩個(gè)開(kāi)關(guān)管同時(shí)導(dǎo)通造成短路(也稱為直通),IR2153內(nèi)部集成了固定的死區(qū)時(shí)間。這意味著在高側(cè)MOSFET關(guān)斷和低側(cè)MOSFET導(dǎo)通之間,以及低側(cè)MOSFET關(guān)斷和高側(cè)MOSFET導(dǎo)通之間,都會(huì)有一個(gè)短暫的時(shí)間間隔,確保一個(gè)MOSFET完全關(guān)斷后另一個(gè)MOSFET才能開(kāi)始導(dǎo)通。這個(gè)內(nèi)部固定的死區(qū)時(shí)間是IR2153的一大優(yōu)點(diǎn),它簡(jiǎn)化了外部電路設(shè)計(jì),提高了可靠性。雖然是固定的,但在實(shí)際應(yīng)用中,這個(gè)固定值通常足以滿足大多數(shù)應(yīng)用需求,避免了復(fù)雜的外部死區(qū)時(shí)間調(diào)整電路。
2. IR2153 的主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)
內(nèi)置自振蕩器: 這是IR2153最顯著的特點(diǎn),省去了外部振蕩電路,極大地簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),降低了物料成本和PCB面積。
高壓操作: IR2153支持高達(dá)600V的高壓操作,使其適用于各種AC-DC和DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
兼容CMOS和LSTTL輸出: 意味著它能夠與各種微控制器和邏輯電平兼容,便于接口設(shè)計(jì)。
獨(dú)立的低側(cè)和高側(cè)輸出: HO和LO輸出引腳提供獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)信號(hào),便于精確控制MOSFET。
內(nèi)部集成的死區(qū)時(shí)間: 無(wú)需外部死區(qū)時(shí)間設(shè)置,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),并有效防止直通現(xiàn)象。這個(gè)固定死區(qū)時(shí)間通常經(jīng)過(guò)優(yōu)化,以提供可靠的開(kāi)關(guān)性能。
欠壓鎖定(UVLO)功能: 當(dāng)VCC電壓低于預(yù)設(shè)閾值時(shí),IR2153會(huì)停止工作,防止在供電電壓不足時(shí)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)不足而造成損壞。這提高了電路的可靠性和安全性。
微功耗啟動(dòng): 在啟動(dòng)階段,IR2153消耗極低的電流,有利于使用簡(jiǎn)單的啟動(dòng)電阻來(lái)對(duì)VCC電容充電,從而實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng)。
SOIC和DIP封裝: 提供多種封裝選項(xiàng),方便不同的PCB布局需求。
3. IR2153 的引腳功能
理解IR2153的引腳功能對(duì)于正確使用它至關(guān)重要。IR2153通常采用8引腳封裝(例如SOIC-8或DIP-8),其典型引腳配置如下:
VCC (引腳1): 供電電壓輸入。為IR2153內(nèi)部電路提供電源,通常為10V至20V。需要一個(gè)去耦電容靠近此引腳。
RT (引腳2): 振蕩電阻連接引腳。與CT引腳一起,通過(guò)外部電阻設(shè)定振蕩頻率和占空比。
CT (引腳3): 振蕩電容連接引腳。與RT引腳一起,通過(guò)外部電容設(shè)定振蕩頻率和占空比。
COM (引腳4): 地線引腳。低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的參考地,也是整個(gè)IC的公共地。
LO (引腳5): 低側(cè)輸出驅(qū)動(dòng)引腳。連接到低側(cè)MOSFET的柵極。
VS (引腳6): 高側(cè)MOSFET的源極引腳。此引腳是浮動(dòng)的,會(huì)隨著半橋輸出點(diǎn)的電壓擺動(dòng)。自舉電容連接在VCC和VS之間。
HO (引腳7): 高側(cè)輸出驅(qū)動(dòng)引腳。連接到高側(cè)MOSFET的柵極。
VB (引腳8): 自舉電源引腳。連接到自舉電容的另一端,通過(guò)自舉二極管連接到VCC。這是高側(cè)驅(qū)動(dòng)器供電的浮動(dòng)電源。
4. IR2153 的典型應(yīng)用電路
IR2153最常見(jiàn)的應(yīng)用是作為半橋逆變器的核心控制器。一個(gè)典型的應(yīng)用電路包括以下幾個(gè)關(guān)鍵部分:
電源部分: 為IR2153提供VCC供電,通常需要一個(gè)穩(wěn)壓電源。
振蕩器部分: 由RT和CT構(gòu)成,設(shè)定工作頻率。頻率計(jì)算公式大致為 f≈1.4×(RT+75Ω)×CT1 ,其中75歐姆是內(nèi)部電阻。具體的公式應(yīng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。
自舉電路: 由自舉二極管(Dboot)和自舉電容(Cboot)組成,為高側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供浮動(dòng)電源。Dboot通常選用快速恢復(fù)二極管,Cboot的容量選擇需要考慮開(kāi)關(guān)頻率和高側(cè)MOSFET的柵極電荷。
半橋功率級(jí): 由兩個(gè)MOSFET(Q1和Q2)組成,通常是N溝道MOSFET,以半橋形式連接。這兩個(gè)MOSFET的柵極分別由HO和LO驅(qū)動(dòng)。
負(fù)載: 連接在半橋輸出點(diǎn)和地之間,可以是變壓器、電感、電容或?qū)嶋H負(fù)載(如燈管)。
在實(shí)際設(shè)計(jì)中,還需要考慮以下因素:
柵極電阻(Rg): 在HO/LO引腳和MOSFET柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻,用于限制柵極充電和放電電流,抑制振蕩,并減緩開(kāi)關(guān)速度,從而減少電磁干擾(EMI)。
旁路電容: 在VCC和COM之間放置一個(gè)去耦電容,以濾除電源噪聲,確保VCC的穩(wěn)定性。
輸入濾波: 如果IR2153用于交流輸入,可能需要輸入EMI濾波器和整流橋。
5. 設(shè)計(jì)考量與注意事項(xiàng)
在使用IR2153進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),需要注意以下幾個(gè)方面:
RT和CT的選擇: 根據(jù)所需的開(kāi)關(guān)頻率和死區(qū)時(shí)間(盡管IR2153死區(qū)時(shí)間固定,但RT/CT會(huì)影響整體周期),查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)選擇合適的RT和CT值。確保其容差在可接受范圍內(nèi),以保證頻率的穩(wěn)定性。
自舉電路設(shè)計(jì): 自舉二極管的選擇應(yīng)考慮其反向恢復(fù)時(shí)間,應(yīng)選用快速恢復(fù)或超快恢復(fù)二極管,以確保在半橋高低側(cè)切換時(shí)能夠迅速導(dǎo)通和截止。自舉電容的容量需要根據(jù)高側(cè)MOSFET的柵極電荷量和開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行計(jì)算,確保有足夠的電荷驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOSFET的柵極。通常,Cboot的ESR(等效串聯(lián)電阻)和ESL(等效串聯(lián)電感)也應(yīng)盡可能低。
MOSFET選擇: 選擇具有適當(dāng)Vds額定值、Id額定值和柵極電荷量(Qg)的MOSFET。Qg值會(huì)影響柵極驅(qū)動(dòng)電流和開(kāi)關(guān)損耗。通常,低Qg的MOSFET更適合高頻應(yīng)用。
布局布線: 良好的PCB布局對(duì)IR2153的性能至關(guān)重要。
短而粗的連接: 連接到MOSFET柵極的走線應(yīng)該盡可能短而粗,以減少寄生電感和電阻,從而避免不必要的振鈴。
地平面: 使用一個(gè)良好的地平面可以有效降低噪聲和干擾。COM引腳應(yīng)直接連接到功率地的低阻抗路徑。
電源去耦: VCC去耦電容應(yīng)盡可能靠近VCC和COM引腳放置。
高壓與低壓隔離: 注意高壓側(cè)(VB、HO、VS)和低壓側(cè)(VCC、RT、CT、LO、COM)之間的爬電距離和電氣隔離。
熱管理: 盡管IR2153本身的功耗較低,但在驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET時(shí),由于柵極充放電以及少量?jī)?nèi)部損耗,IC會(huì)產(chǎn)生一定的熱量。在高溫環(huán)境下或高頻應(yīng)用中,可能需要考慮散熱。
啟動(dòng)電流限制: 在某些應(yīng)用中,為了保護(hù)電源和IR2153,可能需要在VCC供電路徑上串聯(lián)一個(gè)限流電阻,尤其是在啟動(dòng)階段。
故障保護(hù): 雖然IR2153內(nèi)置了UVLO,但在更復(fù)雜的應(yīng)用中,可能還需要額外的過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等功能,以提高系統(tǒng)的魯棒性。
6. IR2153 與其他驅(qū)動(dòng)器的比較
IR2153屬于“自振蕩”系列驅(qū)動(dòng)器,與需要外部PWM控制器信號(hào)的“邏輯輸入”驅(qū)動(dòng)器(如IR2110、IR2104等)有所不同。
優(yōu)點(diǎn): IR2153的優(yōu)點(diǎn)在于其集成度高,設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,成本低廉。它特別適合那些對(duì)頻率精度要求不是特別高,但追求成本效益和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的應(yīng)用,例如照明鎮(zhèn)流器。
缺點(diǎn): 它的缺點(diǎn)是頻率和死區(qū)時(shí)間固定或受限,無(wú)法進(jìn)行實(shí)時(shí)占空比調(diào)節(jié)或頻率調(diào)制,這使得它不適用于需要精確控制輸出電壓或電流的PFC(功率因數(shù)校正)或同步整流等復(fù)雜應(yīng)用。對(duì)于這些應(yīng)用,通常需要使用帶有外部PWM控制信號(hào)的驅(qū)動(dòng)器。
7. 總結(jié)
IR2153作為一款高度集成的自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)器,憑借其內(nèi)置振蕩器、高壓兼容性、內(nèi)部死區(qū)時(shí)間以及欠壓鎖定等特點(diǎn),極大地簡(jiǎn)化了半橋功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)。它在熒光燈鎮(zhèn)流器、緊湊型熒光燈、開(kāi)關(guān)電源、逆變器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。通過(guò)正確理解其工作原理、引腳功能以及設(shè)計(jì)考量,工程師可以高效地利用IR2153構(gòu)建穩(wěn)定、可靠且具有成本效益的功率轉(zhuǎn)換解決方案。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,IR2153及其系列產(chǎn)品將繼續(xù)在簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮重要作用。
責(zé)任編輯:David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開(kāi)資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對(duì)本文的引用持有異議,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時(shí)處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn),拍明芯城不對(duì)內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的,請(qǐng)讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請(qǐng)聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對(duì)此聲明的最終解釋權(quán)。