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低壓差穩(wěn)壓器5個(gè)引腳定義
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低壓差穩(wěn)壓器（LDO）芯片的型號(hào)規(guī)格因應(yīng)用場(chǎng)景、性能需求和制造商不同而有所差異。以下是主流LDO芯片的型號(hào)分類、核心參數(shù)對(duì)比及選型指南，幫助快速匹配需求。
一、LDO芯片的核心參數(shù)
1. 關(guān)鍵性能指標(biāo)
| 參數(shù) | 說明 |
|---|---|
| 輸入電壓范圍 | LDO正常工作的輸入電壓區(qū)間（如1.8V~6V），需覆蓋實(shí)際應(yīng)用中的電源波動(dòng)。 |
| 輸出電壓 | 固定輸出（如3.3V、5V）或可調(diào)輸出（通過外接電阻設(shè)定范圍，如0.8V~5V）。 |
| 最大輸出電流 | LDO能持續(xù)提供的最大電流（如1A、3A），需大于負(fù)載電流并預(yù)留20%余量。 |
| 壓差（） | 輸入與輸出電壓的最小差值（如100mV），壓差越低效率越高，發(fā)熱越小。 |
| 靜態(tài)電流（） | LDO自身消耗的電流（如25nA~100μA），電池供電場(chǎng)景需選擇超低型號(hào)。 |
| 負(fù)載調(diào)整率 | 輸出電壓隨負(fù)載電流變化的波動(dòng)（如±0.1%/A），反映LDO的穩(wěn)壓能力。 |
| 線性調(diào)整率 | 輸出電壓隨輸入電壓變化的波動(dòng)（如±0.01%/V），反映LDO對(duì)輸入電壓波動(dòng)的抑制能力。 |
| PSRR（電源抑制比） | LDO抑制輸入電源噪聲的能力（如60dB@1kHz），模擬電路供電需選擇高PSRR型號(hào)。 |
2. 封裝與熱特性
| 參數(shù) | 說明 |
|---|---|
| 封裝類型 | SOT-23（小體積）、DFN（低熱阻）、TO-220（大功率）等，需根據(jù)PCB布局和散熱需求選擇。 |
| 熱阻（） | 封裝到環(huán)境的熱阻（如50°C/W），值越低散熱越好，需結(jié)合功耗計(jì)算結(jié)溫。 |
| 結(jié)溫范圍 | LDO能正常工作的溫度區(qū)間（如-40°C~125°C），工業(yè)級(jí)/汽車級(jí)型號(hào)需滿足更寬范圍。 |
二、主流LDO芯片型號(hào)分類
1. 超低壓差（Ultra-Low Dropout）
適用場(chǎng)景：電池供電設(shè)備（如可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)）、需要高效率的場(chǎng)景。
典型型號(hào)：
TI TPS7A02：壓差<100mV（1A負(fù)載），靜態(tài)電流25nA，適合長(zhǎng)續(xù)航設(shè)備。
ADI LT3080：壓差<350mV（3A負(fù)載），可調(diào)輸出0V~36V，適合高電流需求。
ST LD39050：壓差150mV（500mA），SOT-23封裝，適合消費(fèi)電子。
2. 低靜態(tài)電流（Low ）
適用場(chǎng)景：電池供電且需超低功耗的場(chǎng)景（如傳感器節(jié)點(diǎn)、電子標(biāo)簽）。
典型型號(hào)：
TI TPS7A05：靜態(tài)電流1μA，壓差170mV（200mA），適合低功耗MCU供電。
Microchip MCP1700：靜態(tài)電流2μA，壓差178mV（250mA），成本低（<0.1美元）。
ROHM BD7xxLxx：靜態(tài)電流180nA，壓差90mV（300mA），適合紐扣電池供電。
3. 高輸出電流（High Current）
適用場(chǎng)景：需要驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載的場(chǎng)景（如電機(jī)控制、LED驅(qū)動(dòng)）。
典型型號(hào)：
TI TPS7B4253：輸出電流3A，壓差130mV，支持過流保護(hù)。
ON Semiconductor NCP59302：輸出電流2A，壓差150mV，SOT-223封裝。
Diodes AP2112：輸出電流1A，壓差100mV，SOT-25封裝，適合通用負(fù)載。
4. 高PSRR（低噪聲）
適用場(chǎng)景：模擬電路供電（如ADC參考、運(yùn)放、音頻電路）。
典型型號(hào)：
TI TPS7A47：PSRR>70dB@1kHz，輸出電流1A，適合高精度模擬電路。
ADI ADP1764：PSRR>65dB@100kHz，輸出電流3A，低噪聲（5μVrms）。
Renesas ISL80112：PSRR>80dB@1kHz，輸出電流12A，適合射頻電路。
5. 汽車級(jí)（AEC-Q100認(rèn)證）
適用場(chǎng)景：汽車電子（如ECU、傳感器、車載娛樂系統(tǒng)）。
典型型號(hào)：
ST LD1117A33：輸入耐壓40V，輸出3.3V，過溫保護(hù)，AEC-Q100認(rèn)證。
TI TPS7B7702：輸入耐壓42V，輸出電流2A，支持反接保護(hù)，適合車載電源。
ON Semiconductor NCV8163：輸入耐壓60V，輸出電流150mA，適合高電壓汽車電路。
三、LDO芯片選型指南
1. 根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景選擇
| 場(chǎng)景 | 推薦參數(shù) |
|---|---|
| 電池供電 | 低壓差（<100mV）、低靜態(tài)電流（<1μA）、小封裝（如SOT-23）。 |
| 模擬電路 | 高PSRR（>60dB@1kHz）、低噪聲（<10μVrms）、固定輸出電壓（如1.8V、2.5V）。 |
| 汽車電子 | 輸入耐壓高（>40V）、過溫/過壓保護(hù)、AEC-Q100認(rèn)證。 |
| 大電流負(fù)載 | 輸出電流>1A、壓差<200mV、支持過流保護(hù)（如打嗝模式）。 |
2. 根據(jù)性能需求選擇
| 需求 | 推薦型號(hào) |
|---|---|
| 超低功耗 | TI TPS7A02（25nA）、ROHM BD7xxLxx（180nA）。 |
| 高精度輸出 | ADI LT3080（可調(diào)輸出±0.1%）、TI TPS7A47（固定輸出±0.8%）。 |
| 抗干擾能力強(qiáng) | ADI ADP1764（PSRR>65dB@100kHz）、Renesas ISL80112（PSRR>80dB@1kHz）。 |
| 成本敏感 | Microchip MCP1700（<0.1美元）、Diodes AP2112（通用型，性價(jià)比高）。 |
3. 根據(jù)封裝與散熱選擇
| 封裝類型 | 適用場(chǎng)景 |
|---|---|
| SOT-23 | 小體積、低功耗場(chǎng)景（如可穿戴設(shè)備）。 |
| DFN/QFN | 低熱阻、高散熱需求（如大電流LDO）。 |
| TO-220 | 大功率場(chǎng)景（如輸出電流>3A），需配合散熱片使用。 |
| WLP（晶圓級(jí)封裝） | 超小體積（如0.4mm×0.4mm），適合高密度PCB（如智能手表）。 |
四、典型應(yīng)用案例
1. 電池供電設(shè)備（如智能手環(huán)）
需求：3.3V供電，電流<100mA，續(xù)航>1年。
選型：TI TPS7A02（壓差<100mV，靜態(tài)電流25nA，SOT-23封裝）。
優(yōu)勢(shì)：超低功耗延長(zhǎng)電池壽命，小體積節(jié)省PCB空間。
2. 模擬電路供電（如ADC參考）
需求：2.5V參考電壓，PSRR>60dB@1kHz，噪聲<5μVrms。
選型：TI TPS7A47（PSRR>70dB@1kHz，噪聲3.5μVrms）。
優(yōu)勢(shì)：高PSRR抑制電源噪聲，低噪聲保證ADC精度。
3. 汽車電子（如OBD-II接口）
需求：輸入電壓12V（波動(dòng)范圍9V~16V），輸出5V/1A，過溫保護(hù)。
選型：ST LD1117A33（輸入耐壓40V，輸出3.3V，AEC-Q100認(rèn)證）。
優(yōu)勢(shì)：高輸入耐壓適應(yīng)汽車電源波動(dòng)，AEC-Q100認(rèn)證滿足車規(guī)要求。
五、總結(jié)
核心參數(shù)優(yōu)先級(jí)：
電池供電場(chǎng)景優(yōu)先選擇低壓差+低靜態(tài)電流；
模擬電路優(yōu)先選擇高PSRR+低噪聲；
汽車電子優(yōu)先選擇高輸入耐壓+車規(guī)認(rèn)證。
選型步驟：
明確輸入/輸出電壓、電流需求；
根據(jù)場(chǎng)景選擇關(guān)鍵參數(shù)（如功耗、精度、抗干擾能力）；
結(jié)合封裝、成本和供貨周期最終確定型號(hào)。
推薦制造商：
通用型：TI、ADI、ST、ON Semiconductor；
低成本：Microchip、Diodes、Richtek；
車規(guī)級(jí)：ST、TI、ON Semiconductor、Renesas。
通過匹配應(yīng)用場(chǎng)景的核心需求，可快速篩選出合適的LDO芯片型號(hào)，平衡性能、成本與可靠性。
責(zé)任編輯：Pan
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