低壓差穩(wěn)壓器5個(gè)引腳定義


低壓差穩(wěn)壓器(LDO)芯片的型號(hào)規(guī)格因應(yīng)用場(chǎng)景、性能需求和制造商不同而有所差異。以下是主流LDO芯片的型號(hào)分類、核心參數(shù)對(duì)比及選型指南,幫助快速匹配需求。
一、LDO芯片的核心參數(shù)
1. 關(guān)鍵性能指標(biāo)
參數(shù) | 說明 |
---|---|
輸入電壓范圍 | LDO正常工作的輸入電壓區(qū)間(如1.8V~6V),需覆蓋實(shí)際應(yīng)用中的電源波動(dòng)。 |
輸出電壓 | 固定輸出(如3.3V、5V)或可調(diào)輸出(通過外接電阻設(shè)定范圍,如0.8V~5V)。 |
最大輸出電流 | LDO能持續(xù)提供的最大電流(如1A、3A),需大于負(fù)載電流并預(yù)留20%余量。 |
壓差( ) | 輸入與輸出電壓的最小差值(如100mV),壓差越低效率越高,發(fā)熱越小。 |
靜態(tài)電流( ) | LDO自身消耗的電流(如25nA~100μA),電池供電場(chǎng)景需選擇超低 | 型號(hào)。
負(fù)載調(diào)整率 | 輸出電壓隨負(fù)載電流變化的波動(dòng)(如±0.1%/A),反映LDO的穩(wěn)壓能力。 |
線性調(diào)整率 | 輸出電壓隨輸入電壓變化的波動(dòng)(如±0.01%/V),反映LDO對(duì)輸入電壓波動(dòng)的抑制能力。 |
PSRR(電源抑制比) | LDO抑制輸入電源噪聲的能力(如60dB@1kHz),模擬電路供電需選擇高PSRR型號(hào)。 |
2. 封裝與熱特性
參數(shù) | 說明 |
---|---|
封裝類型 | SOT-23(小體積)、DFN(低熱阻)、TO-220(大功率)等,需根據(jù)PCB布局和散熱需求選擇。 |
熱阻( ) | 封裝到環(huán)境的熱阻(如50°C/W),值越低散熱越好,需結(jié)合功耗計(jì)算結(jié)溫。 |
結(jié)溫范圍 | LDO能正常工作的溫度區(qū)間(如-40°C~125°C),工業(yè)級(jí)/汽車級(jí)型號(hào)需滿足更寬范圍。 |
二、主流LDO芯片型號(hào)分類
1. 超低壓差(Ultra-Low Dropout)
適用場(chǎng)景:電池供電設(shè)備(如可穿戴、物聯(lián)網(wǎng))、需要高效率的場(chǎng)景。
典型型號(hào):
TI TPS7A02:壓差<100mV(1A負(fù)載),靜態(tài)電流25nA,適合長(zhǎng)續(xù)航設(shè)備。
ADI LT3080:壓差<350mV(3A負(fù)載),可調(diào)輸出0V~36V,適合高電流需求。
ST LD39050:壓差150mV(500mA),SOT-23封裝,適合消費(fèi)電子。
2. 低靜態(tài)電流(Low )
適用場(chǎng)景:電池供電且需超低功耗的場(chǎng)景(如傳感器節(jié)點(diǎn)、電子標(biāo)簽)。
典型型號(hào):
TI TPS7A05:靜態(tài)電流1μA,壓差170mV(200mA),適合低功耗MCU供電。
Microchip MCP1700:靜態(tài)電流2μA,壓差178mV(250mA),成本低(<0.1美元)。
ROHM BD7xxLxx:靜態(tài)電流180nA,壓差90mV(300mA),適合紐扣電池供電。
3. 高輸出電流(High Current)
適用場(chǎng)景:需要驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載的場(chǎng)景(如電機(jī)控制、LED驅(qū)動(dòng))。
典型型號(hào):
TI TPS7B4253:輸出電流3A,壓差130mV,支持過流保護(hù)。
ON Semiconductor NCP59302:輸出電流2A,壓差150mV,SOT-223封裝。
Diodes AP2112:輸出電流1A,壓差100mV,SOT-25封裝,適合通用負(fù)載。
4. 高PSRR(低噪聲)
適用場(chǎng)景:模擬電路供電(如ADC參考、運(yùn)放、音頻電路)。
典型型號(hào):
TI TPS7A47:PSRR>70dB@1kHz,輸出電流1A,適合高精度模擬電路。
ADI ADP1764:PSRR>65dB@100kHz,輸出電流3A,低噪聲(5μVrms)。
Renesas ISL80112:PSRR>80dB@1kHz,輸出電流12A,適合射頻電路。
5. 汽車級(jí)(AEC-Q100認(rèn)證)
適用場(chǎng)景:汽車電子(如ECU、傳感器、車載娛樂系統(tǒng))。
典型型號(hào):
ST LD1117A33:輸入耐壓40V,輸出3.3V,過溫保護(hù),AEC-Q100認(rèn)證。
TI TPS7B7702:輸入耐壓42V,輸出電流2A,支持反接保護(hù),適合車載電源。
ON Semiconductor NCV8163:輸入耐壓60V,輸出電流150mA,適合高電壓汽車電路。
三、LDO芯片選型指南
1. 根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景選擇
場(chǎng)景 | 推薦參數(shù) |
---|---|
電池供電 | 低壓差(<100mV)、低靜態(tài)電流(<1μA)、小封裝(如SOT-23)。 |
模擬電路 | 高PSRR(>60dB@1kHz)、低噪聲(<10μVrms)、固定輸出電壓(如1.8V、2.5V)。 |
汽車電子 | 輸入耐壓高(>40V)、過溫/過壓保護(hù)、AEC-Q100認(rèn)證。 |
大電流負(fù)載 | 輸出電流>1A、壓差<200mV、支持過流保護(hù)(如打嗝模式)。 |
2. 根據(jù)性能需求選擇
需求 | 推薦型號(hào) |
---|---|
超低功耗 | TI TPS7A02(25nA)、ROHM BD7xxLxx(180nA)。 |
高精度輸出 | ADI LT3080(可調(diào)輸出±0.1%)、TI TPS7A47(固定輸出±0.8%)。 |
抗干擾能力強(qiáng) | ADI ADP1764(PSRR>65dB@100kHz)、Renesas ISL80112(PSRR>80dB@1kHz)。 |
成本敏感 | Microchip MCP1700(<0.1美元)、Diodes AP2112(通用型,性價(jià)比高)。 |
3. 根據(jù)封裝與散熱選擇
封裝類型 | 適用場(chǎng)景 |
---|---|
SOT-23 | 小體積、低功耗場(chǎng)景(如可穿戴設(shè)備)。 |
DFN/QFN | 低熱阻、高散熱需求(如大電流LDO)。 |
TO-220 | 大功率場(chǎng)景(如輸出電流>3A),需配合散熱片使用。 |
WLP(晶圓級(jí)封裝) | 超小體積(如0.4mm×0.4mm),適合高密度PCB(如智能手表)。 |
四、典型應(yīng)用案例
1. 電池供電設(shè)備(如智能手環(huán))
需求:3.3V供電,電流<100mA,續(xù)航>1年。
選型:TI TPS7A02(壓差<100mV,靜態(tài)電流25nA,SOT-23封裝)。
優(yōu)勢(shì):超低功耗延長(zhǎng)電池壽命,小體積節(jié)省PCB空間。
2. 模擬電路供電(如ADC參考)
需求:2.5V參考電壓,PSRR>60dB@1kHz,噪聲<5μVrms。
選型:TI TPS7A47(PSRR>70dB@1kHz,噪聲3.5μVrms)。
優(yōu)勢(shì):高PSRR抑制電源噪聲,低噪聲保證ADC精度。
3. 汽車電子(如OBD-II接口)
需求:輸入電壓12V(波動(dòng)范圍9V~16V),輸出5V/1A,過溫保護(hù)。
選型:ST LD1117A33(輸入耐壓40V,輸出3.3V,AEC-Q100認(rèn)證)。
優(yōu)勢(shì):高輸入耐壓適應(yīng)汽車電源波動(dòng),AEC-Q100認(rèn)證滿足車規(guī)要求。
五、總結(jié)
核心參數(shù)優(yōu)先級(jí):
電池供電場(chǎng)景優(yōu)先選擇低壓差+低靜態(tài)電流;
模擬電路優(yōu)先選擇高PSRR+低噪聲;
汽車電子優(yōu)先選擇高輸入耐壓+車規(guī)認(rèn)證。
選型步驟:
明確輸入/輸出電壓、電流需求;
根據(jù)場(chǎng)景選擇關(guān)鍵參數(shù)(如功耗、精度、抗干擾能力);
結(jié)合封裝、成本和供貨周期最終確定型號(hào)。
推薦制造商:
通用型:TI、ADI、ST、ON Semiconductor;
低成本:Microchip、Diodes、Richtek;
車規(guī)級(jí):ST、TI、ON Semiconductor、Renesas。
通過匹配應(yīng)用場(chǎng)景的核心需求,可快速篩選出合適的LDO芯片型號(hào),平衡性能、成本與可靠性。
責(zé)任編輯:Pan
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