壓敏電阻（Metal Oxide Varistor, MOV）的型號及參數(shù)中，V 和 D 通常代表不同的參數(shù)或特性，具體區(qū)別取決于不同廠家的型號命名規(guī)則，但一般具有以下通用含義：

1. 參數(shù) V 的含義

V 在壓敏電阻型號中通常表示 電壓相關(guān)參數(shù)，常見有以下兩種：

（1）標(biāo)稱電壓（Rated Voltage 或 Varistor Voltage）

• 定義：指在規(guī)定電流（通常為1mA直流）下，壓敏電阻兩端的電壓值，記為 V?mA 或 V_R。

• 作用：反映壓敏電阻的“閾值電壓”，即當(dāng)電壓超過此值時，電阻值急劇下降，開始導(dǎo)通并限制電壓。

• 示例：

• 型號 14D471K 中的 471 表示標(biāo)稱電壓為 470V（14D為系列代號，K為誤差等級）。

• 型號 07D561K 中的 561 表示標(biāo)稱電壓為 560V。

（2）最大持續(xù)工作電壓（Maximum Continuous Operating Voltage, MCOV）

• 定義：壓敏電阻可長期承受的最大交流或直流電壓有效值，記為 V_AC 或 V_DC。

• 作用：確保壓敏電阻在正常工作電壓下不導(dǎo)通，避免因長期漏電流導(dǎo)致性能退化。

• 示例：

• 某型號標(biāo)注 V_AC=385V，表示其最大持續(xù)交流工作電壓為385V（有效值）。

• 若標(biāo)注 V_DC=510V，則表示最大持續(xù)直流工作電壓為510V。

2. 參數(shù) D 的含義

D 在壓敏電阻型號中通常表示 物理尺寸或封裝形式，也可能與 能量吸收能力 相關(guān)，具體需結(jié)合廠家規(guī)則：

（1）封裝尺寸（Disk Diameter）

• 定義：以數(shù)字或字母表示壓敏電阻的盤狀直徑（單位：毫米）。

• 作用：尺寸越大，通流能力越強，但響應(yīng)時間可能變慢。

• 示例：

• 型號 14D471K 中的 14 表示盤徑為 14mm。

• 型號 20D681K 中的 20 表示盤徑為 20mm。

• 部分廠家可能用字母表示尺寸，如 D 系列對應(yīng)特定直徑范圍（如D7=7mm，D10=10mm）。

（2）能量吸收等級（Energy Absorption Capability）

• 定義：以字母或數(shù)字表示壓敏電阻可吸收的浪涌能量（單位：焦耳，J），通常與尺寸相關(guān)。

• 作用：能量等級越高，越適合抑制高能量浪涌（如雷擊、電源開關(guān)沖擊）。

• 示例：

• 型號 S20K275 中的 S20 表示能量吸收等級為 2000J（具體需查廠家手冊）。

• 型號 14D471K 中的 K 可能表示誤差等級（±10%），但部分廠家用 D 后綴表示高能量型（如 D 系列比標(biāo)準(zhǔn)型能量高30%）。

3. 型號參數(shù)對比示例

以 14D471K 和 20D681K 為例：

參數(shù)	14D471K	20D681K
標(biāo)稱電壓 (V)	470V (1mA直流下)	680V (1mA直流下)
封裝尺寸 (D)	14mm盤徑	20mm盤徑
能量等級	標(biāo)準(zhǔn)型（約600J@2ms）	高能量型（約1200J@2ms）
應(yīng)用場景	低壓電路浪涌抑制（如220V AC）	高壓電路浪涌抑制（如380V AC）

4. 關(guān)鍵區(qū)別總結(jié)

5. 選型建議

1. 明確電壓需求：

• 選擇標(biāo)稱電壓 V?mA 略高于電路最大工作電壓（通常留20%余量）。

• 例如：220V AC電路可選 V?mA=385V 的壓敏電阻（如14D471K）。

2. 匹配能量等級：

• 根據(jù)浪涌類型（如雷擊、電源開關(guān)）選擇能量吸收能力足夠的型號。

• 例如：雷擊防護(hù)需選 D20 或更高能量型（如20D681K）。

3. 考慮封裝尺寸：

• 大尺寸壓敏電阻通流能力強，但占用空間大，需平衡性能與成本。

4. 參考廠家手冊：

• 不同廠家（如Littelfuse、TDK、EPCOS）的型號規(guī)則可能不同，需以具體數(shù)據(jù)手冊為準(zhǔn)。

總結(jié)：壓敏電阻型號中的 V 主要關(guān)聯(lián)電壓參數(shù)（如標(biāo)稱電壓或最大工作電壓），而 D 通常表示封裝尺寸或能量等級。選型時需同時考慮電壓匹配和能量吸收能力，以確保有效抑制浪涌并保護(hù)電路。