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l298n和tb6612的優(yōu)缺點(diǎn)

來(lái)源:
2025-07-21
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 15
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

L298N與TB6612電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的深度解析


在嵌入式系統(tǒng)和機(jī)器人項(xiàng)目中,直流電機(jī)扮演著至關(guān)重要的角色,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片則是控制電機(jī)運(yùn)動(dòng)的核心部件。在眾多電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案中,L298NTB6612FNG(以下簡(jiǎn)稱TB6612)是兩款備受關(guān)注且廣泛使用的芯片。它們各自擁有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和局限性,適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。本文將對(duì)這兩款芯片進(jìn)行深入的對(duì)比分析,從工作原理、性能參數(shù)、實(shí)際應(yīng)用以及優(yōu)缺點(diǎn)等方面進(jìn)行詳盡闡述,旨在幫助讀者更好地理解并選擇適合自己項(xiàng)目的電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案。

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L298N電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片詳解


L298N是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,能夠直接驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載,如直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)和繼電器等。它以其較高的電流驅(qū)動(dòng)能力和相對(duì)簡(jiǎn)單的控制方式,在早期和中期的業(yè)余電子愛(ài)好者和教育領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。


1. L298N的工作原理與架構(gòu)


L298N芯片內(nèi)部集成了兩個(gè)獨(dú)立的H橋,每個(gè)H橋由四個(gè)晶體管(通常是雙極型晶體管BJT)組成。這些晶體管的開(kāi)關(guān)組合決定了電流流過(guò)電機(jī)繞組的方向,從而控制電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和停止。每個(gè)H橋可以驅(qū)動(dòng)一個(gè)直流電機(jī),或者將兩個(gè)H橋并聯(lián)起來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)更大電流的電機(jī),或者驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙極型步進(jìn)電機(jī)。

L298N需要外部提供兩路電源:一路是邏輯電源(VSS),通常為5V,用于芯片內(nèi)部邏輯電路的供電;另一路是電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源(VS),電壓范圍較寬,可以從4.5V到36V,用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)。這種分離的供電方式能夠有效隔離電機(jī)工作時(shí)的噪聲對(duì)邏輯電路的影響。

控制L298N的電機(jī)需要三路信號(hào):兩路輸入控制信號(hào)(IN1/IN2或IN3/IN4)用于控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)方向,以及一路使能信號(hào)(ENA或ENB)用于控制電機(jī)轉(zhuǎn)速。使能信號(hào)通??梢赃B接到微控制器的PWM(脈沖寬度調(diào)制)引腳,通過(guò)調(diào)整PWM的占空比來(lái)實(shí)現(xiàn)電機(jī)的調(diào)速。當(dāng)使能信號(hào)為低電平時(shí),電機(jī)停止轉(zhuǎn)動(dòng),即使輸入控制信號(hào)發(fā)生變化,電機(jī)也不會(huì)響應(yīng)。


2. L298N的主要優(yōu)點(diǎn)


  • 驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng): L298N的單個(gè)H橋可以提供高達(dá)2A的連續(xù)電流,峰值電流可達(dá)3A,這使得它能夠驅(qū)動(dòng)一些中等功率的直流電機(jī)。對(duì)于需要較高驅(qū)動(dòng)電流的場(chǎng)合,L298N是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。例如,在一些小型機(jī)器人底盤(pán)、遙控車(chē)或舵機(jī)控制系統(tǒng)中,L298N能夠提供足夠的動(dòng)力。

  • 電壓范圍寬: L298N的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源電壓范圍從4.5V到36V,這意味著它可以兼容多種電源,從電池到適配器,提供了較高的靈活性。這對(duì)于使用不同類型電機(jī)或電源的項(xiàng)目來(lái)說(shuō)非常方便。

  • 成熟可靠: 作為一款經(jīng)典的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,L298N已經(jīng)上市多年,經(jīng)過(guò)了廣泛的市場(chǎng)驗(yàn)證,技術(shù)成熟,資料豐富。無(wú)論是官方數(shù)據(jù)手冊(cè)還是社區(qū)教程,都非常容易找到,這對(duì)于初學(xué)者來(lái)說(shuō)非常有益。

  • 封裝簡(jiǎn)單,易于散熱: L298N通常采用多引腳的SIP(單列直插)或PowerZIP封裝,其背面通常帶有大面積的金屬散熱片。這種設(shè)計(jì)有利于將芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去,提高芯片的穩(wěn)定性。在實(shí)際應(yīng)用中,通常會(huì)額外加裝散熱片,以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間高電流工作帶來(lái)的熱量積累。

  • 成本相對(duì)較低: 相較于一些更先進(jìn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案,L298N的價(jià)格通常更具競(jìng)爭(zhēng)力,這使得它成為預(yù)算有限的項(xiàng)目或教學(xué)實(shí)踐的理想選擇。


3. L298N的顯著缺點(diǎn)


盡管L298N擁有諸多優(yōu)點(diǎn),但其缺點(diǎn)也同樣明顯,尤其是在追求效率和小型化的現(xiàn)代設(shè)計(jì)中。

  • 高壓降與低效率: 這是L298N最主要的缺點(diǎn)之一。L298N內(nèi)部使用的是雙極型晶體管(BJT),其導(dǎo)通電阻相對(duì)較大。當(dāng)電流流過(guò)這些晶體管時(shí),會(huì)在晶體管上產(chǎn)生較大的電壓降(飽和壓降)。例如,在輸出2A電流時(shí),每個(gè)H橋的電壓降可能達(dá)到2V左右,這意味著在芯片內(nèi)部會(huì)消耗大量的電能轉(zhuǎn)化為熱能。這種能量損耗導(dǎo)致L298N的轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較低,尤其是在低電壓驅(qū)動(dòng)高電流電機(jī)時(shí),發(fā)熱問(wèn)題會(huì)更加突出。

  • 發(fā)熱量大,需要額外散熱: 由于上述的低效率問(wèn)題,L298N在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量。在驅(qū)動(dòng)較大電流的電機(jī)時(shí),即使外加散熱片,也可能出現(xiàn)過(guò)熱保護(hù),甚至芯片損壞的情況。這限制了L298N在高功率和長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行應(yīng)用中的使用。在設(shè)計(jì)時(shí)必須充分考慮散熱措施,如使用更大的散熱片、強(qiáng)制風(fēng)冷等,這無(wú)疑增加了系統(tǒng)的體積和復(fù)雜性。

  • 體積較大: L298N芯片本身的封裝尺寸就相對(duì)較大,加上必要的外部元件(如續(xù)流二極管)和散熱片,使得整個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊的體積偏大。這對(duì)于空間受限的嵌入式設(shè)備或微型機(jī)器人來(lái)說(shuō)是一個(gè)明顯的劣勢(shì)。

  • 控制信號(hào)復(fù)雜: L298N需要三路控制信號(hào)(兩路方向控制,一路使能PWM調(diào)速),相較于一些只需要兩路信號(hào)即可控制方向和速度的芯片來(lái)說(shuō),占用了更多的微控制器GPIO資源。在GPIO資源緊張的項(xiàng)目中,這可能成為一個(gè)考量因素。

  • 不帶續(xù)流二極管: L298N芯片內(nèi)部不包含續(xù)流二極管。在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如電機(jī))時(shí),當(dāng)電機(jī)兩端電壓突然發(fā)生變化時(shí),電機(jī)內(nèi)部的電感會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì),如果沒(méi)有續(xù)流二極管,這個(gè)反向電動(dòng)勢(shì)可能會(huì)損壞驅(qū)動(dòng)芯片。因此,在使用L298N時(shí),必須在外部電機(jī)兩端并聯(lián)四個(gè)續(xù)流二極管(通常是FR107或1N4007等快恢復(fù)二極管),這增加了電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和元件數(shù)量。雖然市面上常見(jiàn)的L298N模塊通常已經(jīng)集成了這些二極管,但在自行搭建電路時(shí)需要特別注意。

  • 噪聲較大: L298N在使用PWM調(diào)速時(shí),由于其開(kāi)關(guān)特性,可能會(huì)產(chǎn)生明顯的電磁噪聲,這可能對(duì)附近的其他敏感電子元件造成干擾。


TB6612電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片詳解


TB6612FNG是日本東芝(Toshiba)公司生產(chǎn)的一款低功耗、高性能的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。它采用了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為H橋開(kāi)關(guān)元件,相較于L298N的BJT,具有更高的效率和更低的功耗,因此在小型化、低功耗和高效率的應(yīng)用中越來(lái)越受歡迎。


1. TB6612的工作原理與架構(gòu)


TB6612芯片同樣集成了兩個(gè)獨(dú)立的H橋,每個(gè)H橋由P溝道和N溝道MOSFET組成。與L298N類似,通過(guò)控制MOSFET的開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)控制電流方向,從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和停止。它也可以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流電機(jī)或一個(gè)步進(jìn)電機(jī)。

TB6612也需要兩路電源:一路是邏輯電源VCC,電壓范圍為2.7V至5.5V,兼容常見(jiàn)的微控制器電壓;另一路是電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源VM,電壓范圍為2.7V至15V。與L298N相比,TB6612的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源電壓上限較低,但這對(duì)于大部分基于電池供電的小型機(jī)器人和智能設(shè)備來(lái)說(shuō)已經(jīng)足夠。

控制TB6612的電機(jī)也需要三路信號(hào),但其控制邏輯略有不同。它通常使用兩個(gè)輸入引腳(AIN1/AIN2或BIN1/BIN2)來(lái)控制電機(jī)方向,一個(gè)PWM輸入引腳(PWMA/PWMB)來(lái)控制電機(jī)速度。此外,它還有一個(gè)STBY(待機(jī))引腳,用于芯片的使能控制。當(dāng)STBY引腳為高電平時(shí),芯片工作;當(dāng)為低電平時(shí),芯片進(jìn)入待機(jī)模式,功耗極低,電機(jī)停止轉(zhuǎn)動(dòng)。這種待機(jī)功能在電池供電的應(yīng)用中非常有優(yōu)勢(shì)。


2. TB6612的主要優(yōu)點(diǎn)


TB6612的設(shè)計(jì)理念旨在克服L298N的諸多局限性,特別是在效率和體積方面。

  • 高效率與低功耗: 這是TB6612最突出的優(yōu)點(diǎn)。由于內(nèi)部采用了MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件,其導(dǎo)通電阻(Ron)遠(yuǎn)低于L298N的BJT。這意味著在相同電流下,TB6612內(nèi)部的電壓降更小,從而大大降低了能量損耗,提高了轉(zhuǎn)換效率。高效率直接帶來(lái)的好處就是芯片發(fā)熱量顯著降低,延長(zhǎng)了電池續(xù)航時(shí)間,并降低了對(duì)散熱的需求。在許多應(yīng)用中,TB6612甚至不需要額外的散熱片。

  • 體積小巧: TB6612通常采用SSOP-24或QFN封裝,芯片尺寸非常小。由于發(fā)熱量低,它通常不需要像L298N那樣龐大的散熱片,這使得整個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊可以做得非常緊湊。對(duì)于空間有限的微型機(jī)器人、智能穿戴設(shè)備或IoT設(shè)備來(lái)說(shuō),這是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。

  • 內(nèi)置續(xù)流二極管: TB6612芯片內(nèi)部集成了續(xù)流二極管(通常是肖特基二極管)。這大大簡(jiǎn)化了外部電路設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量和PCB面積,也降低了設(shè)計(jì)出錯(cuò)的風(fēng)險(xiǎn)。用戶無(wú)需再手動(dòng)添加外部二極管,使得布線更加簡(jiǎn)潔。

  • 低壓操作能力: TB6612的邏輯電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源都可以低至2.7V,這使得它非常適合與3.3V或5V的微控制器直接連接,并且可以驅(qū)動(dòng)一些低壓電機(jī),或者在電池電壓下降時(shí)仍能正常工作。

  • 具備待機(jī)功能: STBY引腳的存在使得芯片可以進(jìn)入低功耗待機(jī)模式。在電機(jī)不工作時(shí),通過(guò)將STBY引腳置低,可以大幅降低整個(gè)系統(tǒng)的功耗,這對(duì)于延長(zhǎng)電池壽命至關(guān)重要,特別是在移動(dòng)機(jī)器人或便攜式設(shè)備中。

  • 高PWM頻率支持: TB6612能夠支持高達(dá)100kHz的PWM頻率。更高的PWM頻率可以使電機(jī)運(yùn)行更加平穩(wěn),減少電流紋波和電機(jī)噪聲,同時(shí)也可以提高調(diào)速的精度和響應(yīng)速度。

  • 抗干擾能力強(qiáng): 由于其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)和MOSFET的特性,TB6612在抗電磁干擾(EMI)方面表現(xiàn)更好,對(duì)其他敏感電路的影響更小。


3. TB6612的局限性


盡管TB6612在許多方面優(yōu)于L298N,但它也并非完美無(wú)缺,存在一些需要注意的局限性。

  • 驅(qū)動(dòng)電流相對(duì)較?。?/strong> TB6612的單路連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流通常為1.2A,峰值電流可達(dá)3.2A。雖然對(duì)于大多數(shù)小型電機(jī)來(lái)說(shuō)已經(jīng)足夠,但相較于L298N的2A連續(xù)電流,TB6612在驅(qū)動(dòng)一些中等或較大功率的電機(jī)時(shí)可能會(huì)顯得力不從心。如果項(xiàng)目需要驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)1.2A的電機(jī),則可能需要考慮并聯(lián)使用兩路TB6612或選擇其他更強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)芯片。

  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓范圍較窄: TB6612的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源電壓上限為15V。這意味著它無(wú)法驅(qū)動(dòng)那些需要更高電壓(如24V、36V)才能正常工作的電機(jī)。這在工業(yè)控制或一些特殊應(yīng)用中可能是一個(gè)限制。

  • 成本相對(duì)較高: 相較于L298N,TB6612芯片的價(jià)格通常會(huì)略高一些。雖然差距不大,但對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)或預(yù)算極其緊張的項(xiàng)目來(lái)說(shuō),這仍是一個(gè)需要考慮的因素。

  • 過(guò)流/過(guò)熱保護(hù)不完善: TB6612內(nèi)部通常具備熱關(guān)斷功能,當(dāng)芯片溫度過(guò)高時(shí)會(huì)自動(dòng)關(guān)閉輸出以保護(hù)芯片。然而,其過(guò)流保護(hù)機(jī)制可能不如一些高端驅(qū)動(dòng)芯片那樣完善和可配置。在某些極端情況下,持續(xù)的過(guò)載仍可能導(dǎo)致芯片損壞。

  • 引腳數(shù)量略多,布線可能略復(fù)雜: 盡管芯片體積小,但其SSOP-24等封裝的引腳數(shù)量相對(duì)較多且密集,對(duì)于手工焊接或初學(xué)者來(lái)說(shuō),布線和焊接可能需要更細(xì)致的操作。


L298N與TB6612的綜合對(duì)比與選擇建議


通過(guò)以上對(duì)L298N和TB6612的詳細(xì)分析,我們可以清晰地看到它們各自的優(yōu)缺點(diǎn)。下表總結(jié)了它們之間的關(guān)鍵差異:

特性L298NTB6612
H橋開(kāi)關(guān)元件雙極型晶體管(BJT)MOSFET
驅(qū)動(dòng)效率較低,約50%-70%較高,約90%-95%
發(fā)熱量大,需要額外散熱片小,多數(shù)情況無(wú)需額外散熱
連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流2A (單路H橋)1.2A (單路H橋)
峰值電流3A (單路H橋)3.2A (單路H橋)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓4.5V - 36V2.7V - 15V
邏輯電源電壓5V2.7V - 5.5V
內(nèi)置續(xù)流二極管無(wú),需外部添加
體積較大小巧
功耗(待機(jī))無(wú)待機(jī)模式,持續(xù)消耗具備低功耗待機(jī)模式
PWM頻率支持較低,通常<10kHz較高,可達(dá)100kHz
成本相對(duì)較低相對(duì)較高
抗干擾能力一般較好
易用性成熟穩(wěn)定,資料豐富,模塊集成度高易于集成,無(wú)需外部二極管,但焊接可能需細(xì)致


何時(shí)選擇L298N?


盡管TB6612在性能上表現(xiàn)更優(yōu),但L298N仍然在某些特定場(chǎng)景下具有其存在的價(jià)值:

  1. 預(yù)算極其有限的入門(mén)級(jí)項(xiàng)目: 如果項(xiàng)目對(duì)成本非常敏感,且對(duì)效率、體積和發(fā)熱量沒(méi)有嚴(yán)格要求,L298N模塊的低廉價(jià)格會(huì)是一個(gè)吸引力。

  2. 驅(qū)動(dòng)電流需求較高且電壓適中的電機(jī): 如果需要驅(qū)動(dòng)的電機(jī)在1.2A到2A的連續(xù)電流范圍內(nèi),且工作電壓在15V以上36V以下,那么L298N可能是一個(gè)合適的選擇,但務(wù)必注意散熱問(wèn)題。

  3. 對(duì)體積和功耗不敏感的教學(xué)或?qū)嶒?yàn)平臺(tái): 在教育領(lǐng)域或僅用于驗(yàn)證概念的原型設(shè)計(jì)中,L298N因其簡(jiǎn)單粗暴的特性和易于理解的原理,仍常被用于演示電機(jī)控制的基礎(chǔ)知識(shí)。

  4. 擁有現(xiàn)成L298N模塊或資源: 如果手頭已經(jīng)有L298N模塊,或者項(xiàng)目是基于已有的L298N設(shè)計(jì)進(jìn)行迭代,那么繼續(xù)使用L298N也是一種選擇。

在選擇L298N時(shí),務(wù)必考慮并采取充分的散熱措施,并確保電源能夠提供足夠的電流。


何時(shí)選擇TB6612?


對(duì)于絕大多數(shù)現(xiàn)代嵌入式項(xiàng)目,尤其是在追求性能、效率和小型化的背景下,TB6612通常是更優(yōu)的選擇:

  1. 電池供電的移動(dòng)設(shè)備或機(jī)器人: 高效率和低功耗待機(jī)模式使得TB6612能夠顯著延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間,這對(duì)于無(wú)人機(jī)、遙控車(chē)、智能小車(chē)等移動(dòng)平臺(tái)至關(guān)重要。

  2. 對(duì)體積有嚴(yán)格限制的項(xiàng)目: TB6612的小巧封裝和無(wú)需額外散熱的特性,使其成為微型機(jī)器人、穿戴設(shè)備或IoT設(shè)備的理想選擇。

  3. 對(duì)發(fā)熱量敏感的項(xiàng)目: 如果項(xiàng)目對(duì)溫度控制有嚴(yán)格要求,或者設(shè)備內(nèi)部空間狹小導(dǎo)致散熱困難,那么低發(fā)熱的TB6612將是首選。

  4. 需要驅(qū)動(dòng)低壓電機(jī)的項(xiàng)目: TB6612對(duì)低至2.7V的工作電壓支持,使其能夠更好地驅(qū)動(dòng)一些小型、低壓的電機(jī)。

  5. 追求更高PWM頻率以獲得更平滑控制的應(yīng)用: 如果需要電機(jī)運(yùn)行更加平穩(wěn)、噪聲更低,或者對(duì)調(diào)速精度有較高要求,TB6612的高PWM頻率支持會(huì)非常有益。

  6. 希望簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)和布線: 內(nèi)置續(xù)流二極管的特性大大簡(jiǎn)化了外部電路,減少了元件數(shù)量和布線復(fù)雜性,使得開(kāi)發(fā)過(guò)程更加高效。

總而言之,TB6612是當(dāng)前主流的、更推薦的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,特別適合對(duì)效率、體積和功耗有較高要求的項(xiàng)目。


實(shí)際應(yīng)用考量與進(jìn)階探討


除了上述的芯片特性對(duì)比,在實(shí)際應(yīng)用中還有一些重要的考量因素和進(jìn)階技巧,能夠幫助開(kāi)發(fā)者更好地利用這兩種芯片。


1. 電源選擇與濾波


無(wú)論是L298N還是TB6612,穩(wěn)定的電源都是電機(jī)正常工作的基礎(chǔ)。

  • L298N: 由于其較高的電壓范圍,可以選擇多種電源,但要確保電源有足夠的電流輸出能力,并能承受電機(jī)啟動(dòng)時(shí)的瞬態(tài)大電流。由于其發(fā)熱量大,電源部分的穩(wěn)壓和濾波也尤為重要,建議在電源輸入端加入大容量電解電容(如100uF或更大)和瓷片電容(0.1uF)進(jìn)行濾波,以減少電機(jī)工作產(chǎn)生的紋波和噪聲對(duì)電源的干擾。

  • TB6612: 雖然其電壓范圍較窄,但對(duì)電源的穩(wěn)定性同樣有要求。由于其效率高,對(duì)電源的紋波和噪聲容忍度相對(duì)較好,但適當(dāng)?shù)臑V波仍然是必要的。在邏輯電源和電機(jī)電源輸入端靠近芯片的位置,放置0.1uF的瓷片電容和10uF的電解電容可以有效改善電源質(zhì)量。


2. PWM頻率的選擇


PWM頻率的選擇對(duì)電機(jī)運(yùn)行平穩(wěn)性、效率和噪聲都有影響。

  • L298N: 由于BJT的開(kāi)關(guān)特性,L298N通常不適合過(guò)高的PWM頻率。過(guò)高的頻率會(huì)導(dǎo)致晶體管頻繁開(kāi)關(guān),增加開(kāi)關(guān)損耗,進(jìn)一步加劇發(fā)熱。一般建議將PWM頻率設(shè)置在1kHz到10kHz之間。

  • TB6612: 由于采用MOSFET,TB6612可以支持高達(dá)100kHz的PWM頻率。更高的PWM頻率可以減少電機(jī)電流的紋波,使得電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)更加平滑,尤其是在低速運(yùn)行時(shí),可以有效消除“咔噠”聲,降低電機(jī)噪聲。此外,高頻PWM也能提高電流控制的響應(yīng)速度。


3. 保護(hù)機(jī)制與故障處理


雖然芯片本身具備一定的保護(hù)功能,但了解和利用這些功能,并在系統(tǒng)層面增加額外的保護(hù),可以提高系統(tǒng)的魯棒性。

  • L298N: L298N通常具有熱關(guān)斷功能,當(dāng)芯片溫度超過(guò)設(shè)定閾值時(shí),會(huì)自動(dòng)關(guān)閉輸出以防止損壞。但在實(shí)際使用中,由于其高發(fā)熱特性,熱關(guān)斷可能頻繁觸發(fā),導(dǎo)致電機(jī)間歇性工作。因此,充足的散熱是預(yù)防熱關(guān)斷的關(guān)鍵。

  • TB6612: TB6612也內(nèi)置熱關(guān)斷功能。此外,一些高級(jí)版本的驅(qū)動(dòng)芯片可能還具備過(guò)流保護(hù)、欠壓鎖定等功能。在設(shè)計(jì)時(shí),可以通過(guò)監(jiān)測(cè)電機(jī)電流來(lái)判斷是否發(fā)生堵轉(zhuǎn)或過(guò)載,并及時(shí)停止電機(jī)或降低驅(qū)動(dòng)電流,從而保護(hù)芯片和電機(jī)。


4. 電磁兼容性(EMC)


電機(jī)作為感性負(fù)載,在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的電磁噪聲,對(duì)周?chē)碾娮釉斐筛蓴_。

  • 布局與布線: 合理的PCB布局和布線對(duì)EMC至關(guān)重要。將大電流回路(如電機(jī)驅(qū)動(dòng)回路)與小信號(hào)回路(如微控制器控制信號(hào))分離,并盡量縮短大電流回路的長(zhǎng)度,使用較寬的走線來(lái)降低阻抗。

  • 濾波: 除了電源濾波外,在電機(jī)兩端并聯(lián)0.1uF的瓷片電容和小電感(如幾u(yù)H的磁珠)可以有效抑制電機(jī)刷引起的高頻噪聲。

  • 接地: 良好的接地是降低噪聲和提高系統(tǒng)穩(wěn)定性的基礎(chǔ)。采用星形接地或大面積的地平面可以有效減少地線噪聲。


5. 驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)


雖然本文主要討論了驅(qū)動(dòng)直流電機(jī),但L298N和TB6612也可以用于驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)。

  • L298N: 由于其每路2A的驅(qū)動(dòng)能力,可以驅(qū)動(dòng)雙極型步進(jìn)電機(jī)。通常需要使用兩路H橋來(lái)驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)的兩個(gè)繞組。通過(guò)控制四路輸入信號(hào)的順序和PWM占空比,可以實(shí)現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)的全步、半步或微步驅(qū)動(dòng)。

  • TB6612: 同樣可以驅(qū)動(dòng)雙極型步進(jìn)電機(jī),但受限于其1.2A的連續(xù)電流,適合驅(qū)動(dòng)功率較小的步進(jìn)電機(jī)。控制原理與L298N類似,通過(guò)兩路H橋?qū)Σ竭M(jìn)電機(jī)繞組進(jìn)行順序激勵(lì)。


6. 驅(qū)動(dòng)多電機(jī)系統(tǒng)


如果項(xiàng)目需要驅(qū)動(dòng)兩個(gè)以上的電機(jī),可以考慮以下方案:

  • 多芯片并用: 最直接的方法是使用多個(gè)L298N或TB6612芯片,每個(gè)芯片驅(qū)動(dòng)兩個(gè)電機(jī)。這種方案簡(jiǎn)單直接,但會(huì)增加PCB面積和成本。

  • 更高集成度的驅(qū)動(dòng)器: 對(duì)于需要驅(qū)動(dòng)更多電機(jī)或更高功率電機(jī)的系統(tǒng),可以考慮使用集成度更高的多通道電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片(如DRV8833、DRV8871等)或?qū)S玫亩噍S電機(jī)驅(qū)動(dòng)板。這些芯片通常提供更緊湊的解決方案和更完善的保護(hù)功能。


總結(jié)與展望


L298N和TB6612是兩款各具特色的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片。L298N以其皮實(shí)耐用、驅(qū)動(dòng)電流大、電壓范圍寬以及價(jià)格低廉的特點(diǎn),在過(guò)去的很長(zhǎng)一段時(shí)間里占據(jù)了市場(chǎng)主導(dǎo)地位,尤其適合于初學(xué)者入門(mén)、對(duì)效率和體積不敏感的通用性實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目,以及需要驅(qū)動(dòng)較大電流電機(jī)的場(chǎng)景。然而,其效率低下、發(fā)熱量大、體積龐大以及需要外部續(xù)流二極管的缺點(diǎn),使其在現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中逐漸失去了優(yōu)勢(shì)。

相反,TB6612憑借其高效率、低發(fā)熱、小體積、內(nèi)置續(xù)流二極管以及低功耗待機(jī)模式等顯著優(yōu)點(diǎn),成為了當(dāng)前小型化、高效率、電池供電等應(yīng)用場(chǎng)景的優(yōu)選方案。它能夠提供更長(zhǎng)的電池續(xù)航、更緊湊的設(shè)計(jì)以及更平穩(wěn)的電機(jī)控制體驗(yàn)。

在選擇這兩種芯片時(shí),開(kāi)發(fā)者應(yīng)根據(jù)項(xiàng)目的具體需求進(jìn)行權(quán)衡:

  • 如果項(xiàng)目對(duì)成本極其敏感,且對(duì)效率、體積和發(fā)熱量容忍度較高,或者需要驅(qū)動(dòng)2A左右、電壓較高的電機(jī),L298N可能是一個(gè)勉強(qiáng)可行的選擇,但務(wù)必做好散熱。

  • 如果項(xiàng)目對(duì)效率、體積、功耗有較高要求,且驅(qū)動(dòng)電機(jī)電流在1.2A以下,工作電壓在15V以下,那么TB6612無(wú)疑是更明智、更現(xiàn)代化的選擇。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片不斷涌現(xiàn),它們?cè)诩啥?、效率、保護(hù)功能和智能化方面持續(xù)進(jìn)步。例如,許多新型驅(qū)動(dòng)芯片集成了更先進(jìn)的電流檢測(cè)、短路保護(hù)、欠壓鎖定等功能,并且提供SPI、I2C等數(shù)字接口,使得控制更加靈活和精確。然而,L298N和TB6612作為入門(mén)級(jí)和常用型電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片,依然在各自的細(xì)分市場(chǎng)中發(fā)揮著作用,理解它們的優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)于電子工程師和愛(ài)好者來(lái)說(shuō)仍然具有重要的指導(dǎo)意義。掌握這兩款經(jīng)典芯片的特性,有助于為未來(lái)學(xué)習(xí)和應(yīng)用更高級(jí)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

責(zé)任編輯:David

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