S9013晶體管參數(shù)詳解與引腳圖

S9013是一款常見(jiàn)的NPN型小功率通用晶體管，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中，如放大、開(kāi)關(guān)、振蕩等。它以其小巧的封裝、良好的性能和低廉的價(jià)格，成為業(yè)余愛(ài)好者和專(zhuān)業(yè)工程師的常用選擇。理解S9013的各項(xiàng)參數(shù)、特性及其引腳排列，對(duì)于正確使用和設(shè)計(jì)電路至關(guān)重要。

一、S9013晶體管概述

S9013屬于雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的一種，具體為NPN（負(fù)-正-負(fù)）型。這意味著它的基極（Base）通常施加正電壓相對(duì)于發(fā)射極（Emitter）來(lái)控制集電極（Collector）和發(fā)射極之間的電流。它的主要功能是在電路中實(shí)現(xiàn)電流的放大或作為電子開(kāi)關(guān)。由于其較低的功耗和適中的頻率特性，S9013常用于中低頻信號(hào)放大、驅(qū)動(dòng)LED、控制繼電器以及各種數(shù)字邏輯接口電路中。

二、S9013引腳排列與識(shí)別

正確識(shí)別S9013的引腳是使用它的第一步。S9013通常采用TO-92封裝，這是一種三引腳的塑料封裝，外形呈半圓形或扁平狀。

引腳圖：

當(dāng)晶體管的平面朝向您，引腳向下時(shí)（仰視），從左到右的引腳順序通常為：

• 1. 發(fā)射極 (Emitter, E)

• 2. 基極 (Base, B)

• 3. 集電極 (Collector, C)

引腳識(shí)別要點(diǎn)：

• TO-92封裝方向： 確保您是平視或仰視晶體管的標(biāo)記面（有型號(hào)印刷的一面），引腳向下。

• 絲印標(biāo)記： 有些TO-92封裝的晶體管，在引腳上方會(huì)有微小的字母E、B、C標(biāo)記，或者用點(diǎn)、缺口等方式輔助識(shí)別。但S9013通常沒(méi)有這些直接標(biāo)記，需要記住標(biāo)準(zhǔn)排列。

• 萬(wàn)用表測(cè)試： 如果不確定引腳順序，可以使用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔或HFE檔進(jìn)行測(cè)試。

• 二極管檔： 對(duì)于NPN晶體管，將紅表筆接基極，黑表筆分別接集電極和發(fā)射極，應(yīng)該都會(huì)顯示二極管正向壓降（約0.6V-0.7V）?；鶚O與發(fā)射極之間的正向壓降略低于基極與集電極之間的正向壓降。

• HFE檔： 將晶體管插入萬(wàn)用表的HFE測(cè)試插座，如果連接正確，萬(wàn)用表會(huì)顯示HFE值。通過(guò)嘗試不同組合，可以找出基極、集電極和發(fā)射極。

正確識(shí)別引腳是避免電路損壞和確保晶體管正常工作的關(guān)鍵。

三、S9013主要電氣參數(shù)詳解

理解S9013的電氣參數(shù)是其在電路中正確應(yīng)用的基石。這些參數(shù)定義了晶體管的極限工作條件、放大能力以及開(kāi)關(guān)特性。

3.1 絕對(duì)最大額定值 (Absolute Maximum Ratings)

絕對(duì)最大額定值是指在任何情況下，晶體管不應(yīng)超過(guò)的電壓、電流和功耗極限。超過(guò)這些值，即使是瞬間，也可能導(dǎo)致晶體管永久性損壞。在電路設(shè)計(jì)時(shí)，必須確保晶體管在所有可能的工作條件下都不會(huì)達(dá)到這些最大值。

• 集電極-基極電壓 (VCBO): 集電極與基極之間的最大反向電壓。

• 典型值： 40V。

• 說(shuō)明： 當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極與基極之間能夠承受的最大反向電壓。這是評(píng)估晶體管耐壓能力的重要參數(shù)之一，尤其是在高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。在設(shè)計(jì)時(shí)，加在集電極和基極之間的電壓峰值，包括電源波動(dòng)和感性負(fù)載產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)，都不能超過(guò)此值。

• 集電極-發(fā)射極電壓 (VCEO): 集電極與發(fā)射極之間的最大電壓。

• 典型值： 25V。

• 說(shuō)明： 當(dāng)基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓。這個(gè)參數(shù)比$V_{CBO}$更常用于評(píng)估晶體管在放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的耐壓能力，因?yàn)樗N近實(shí)際電路中的工作狀態(tài)。在關(guān)斷狀態(tài)下，晶體管集電極上的電壓不應(yīng)超過(guò)此值。

• 發(fā)射極-基極電壓 (VEBO): 發(fā)射極與基極之間的最大反向電壓。

• 典型值： 5V。

• 說(shuō)明： 當(dāng)集電極開(kāi)路時(shí)，發(fā)射極與基極之間能夠承受的最大反向電壓。這個(gè)參數(shù)通常用于保護(hù)基極-發(fā)射極結(jié)。在某些電路中，如果基極被反向偏置，必須確保電壓不超過(guò)這個(gè)極限，否則可能導(dǎo)致基極-發(fā)射極結(jié)擊穿。

• 集電極電流 (IC): 集電極的最大持續(xù)電流。

• 典型值： 500mA。

• 說(shuō)明： 這是集電極允許通過(guò)的最大DC電流。在放大或開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，流過(guò)集電極的電流不應(yīng)長(zhǎng)時(shí)間超過(guò)此值。如果超過(guò)，可能會(huì)導(dǎo)致晶體管過(guò)熱損壞，或者使其工作在飽和區(qū)深度不夠，影響性能。

• 基極電流 (IB): 基極的最大持續(xù)電流。

• 典型值： 50mA。

• 說(shuō)明： 這是基極允許通過(guò)的最大DC電流。雖然基極電流通常遠(yuǎn)小于集電極電流，但其最大值限制了基極驅(qū)動(dòng)電路的能力。過(guò)大的基極電流也可能導(dǎo)致晶體管損壞。

• 總功耗 (PC): 晶體管允許消耗的最大功率。

• 典型值： 625mW (在環(huán)境溫度TA=25°C下)。

• 說(shuō)明： 晶體管的功耗主要由集電極電流和集電極-發(fā)射極電壓的乘積決定 (PC=VCE×IC)。此參數(shù)指示了晶體管在給定封裝和散熱條件下能夠散發(fā)的熱量上限。如果功耗超過(guò)此值，晶體管內(nèi)部溫度會(huì)急劇升高，導(dǎo)致性能下降甚至熱擊穿。當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，最大允許功耗會(huì)降低，這通常通過(guò)功耗降額曲線來(lái)表示。對(duì)于TO-92封裝，通常需要在100°C以上進(jìn)行功耗降額。

• 結(jié)溫 (TJ): 晶體管內(nèi)部PN結(jié)的最高允許溫度。

• 典型值： 150°C。

• 說(shuō)明： 這是晶體管芯片內(nèi)部結(jié)點(diǎn)的最高工作溫度。當(dāng)晶體管工作時(shí)，它會(huì)發(fā)熱，內(nèi)部結(jié)溫會(huì)升高。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)確保在最壞工作條件下，結(jié)溫不超過(guò)此值，否則會(huì)嚴(yán)重影響晶體管的壽命和可靠性。

• 存儲(chǔ)溫度范圍 (TSTG): 晶體管在非工作狀態(tài)下可以安全存儲(chǔ)的溫度范圍。

• 典型值： ?55°C to 150°C。

• 說(shuō)明： 這個(gè)范圍定義了器件在不通電的情況下可以承受的溫度極限，超出這個(gè)范圍可能導(dǎo)致物理或電氣特性的不可逆變化。

3.2 電氣特性 (Electrical Characteristics)

電氣特性是在特定測(cè)試條件下，晶體管的典型性能參數(shù)。這些參數(shù)對(duì)于電路設(shè)計(jì)者選擇合適的晶體管和預(yù)測(cè)電路行為至關(guān)重要。

• 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 (V(BR)CEO): 基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的擊穿電壓。

• 測(cè)試條件： IC=1mA,IB=0。

• 最小值： 25V。

• 說(shuō)明： 這是$V_{CEO}$的最小值保證。實(shí)際使用時(shí)，電路中的電壓峰值應(yīng)遠(yuǎn)低于此值，以提供足夠的裕量。

• 集電極-基極擊穿電壓 (V(BR)CBO): 發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極與基極之間的擊穿電壓。

• 測(cè)試條件： IC=100μA,IE=0。

• 最小值： 40V。

• 說(shuō)明： $V_{CBO}$的最小值保證，指示了集電極-基極結(jié)的反向耐壓能力。

• 發(fā)射極-基極擊穿電壓 (V(BR)EBO): 集電極開(kāi)路時(shí)，發(fā)射極與基極之間的擊穿電壓。

• 測(cè)試條件： IE=100μA,IC=0。

• 最小值： 5V。

• 說(shuō)明： $V_{EBO}$的最小值保證，對(duì)于防止基極-發(fā)射極反向擊穿非常重要。

• 集電極截止電流 (ICBO): 發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極與基極之間的反向漏電流。

• 測(cè)試條件： VCB=40V,IE=0。

• 最大值： 100nA。

• 說(shuō)明： 理想情況下，PN結(jié)反向偏置時(shí)不應(yīng)有電流流過(guò)。但實(shí)際上，存在微小的漏電流。$I_{CBO}$越小，表示晶體管的截止性能越好，漏電越少，在低功耗或高阻抗電路中尤為重要。

• 發(fā)射極截止電流 (IEBO): 集電極開(kāi)路時(shí)，發(fā)射極與基極之間的反向漏電流。

• 測(cè)試條件： VEB=5V,IC=0。

• 最大值： 100nA。

• 說(shuō)明： 與$I_{CBO}$類(lèi)似，表示發(fā)射極-基極結(jié)的反向漏電流。

• 集電極-發(fā)射極飽和電壓 (VCE(sat)): 晶體管飽和導(dǎo)通時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的電壓降。

• 測(cè)試條件： IC=100mA,IB=10mA。

• 最大值： 0.3V。

• 說(shuō)明： 當(dāng)晶體管作為開(kāi)關(guān)使用并完全導(dǎo)通時(shí)，它會(huì)進(jìn)入飽和區(qū)。此時(shí)集電極與發(fā)射極之間并非理想的零電壓降，而是存在一個(gè)較小的電壓。$V_{CE(sat)}越小，表示晶體管在導(dǎo)通時(shí)的損耗越小，開(kāi)關(guān)效率越高。對(duì)于驅(qū)動(dòng)LED或繼電器等應(yīng)用，低的V_{CE(sat)}$可以減少發(fā)熱并提高效率。

• 基極-發(fā)射極飽和電壓 (VBE(sat)): 晶體管飽和導(dǎo)通時(shí)，基極與發(fā)射極之間的電壓降。

• 測(cè)試條件： IC=100mA,IB=10mA。

• 最大值： 1.2V。

• 說(shuō)明： 這是晶體管飽和導(dǎo)通時(shí)，基極-發(fā)射極結(jié)的正向壓降。它決定了基極驅(qū)動(dòng)電路所需的電壓。通常在0.7V-1.2V之間，具體取決于集電極電流和溫度。

• 基極-發(fā)射極導(dǎo)通電壓 (VBE(on)): 晶體管開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的基極-發(fā)射極電壓。

• 測(cè)試條件： VCE=5V,IC=2mA。

• 典型值： 0.6V (通常范圍在0.6V到0.7V之間)。

• 說(shuō)明： 這是使晶體管從截止區(qū)進(jìn)入放大區(qū)所需的最小基極-發(fā)射極正向電壓。它是設(shè)計(jì)偏置電路的重要參數(shù)。

• 直流電流增益 (hFE 或 β): 晶體管的直流放大倍數(shù)。

• S9013-D (HFE: 60-150)

• S9013-E (HFE: 100-200)

• S9013-F (HFE: 160-300)

• S9013-G (HFE: 200-400)

• 說(shuō)明： $h_{FE}$是晶體管最重要的參數(shù)之一，它表示集電極電流與基極電流之比 ($h_{FE} = I_C / I_B$)。高$h_{FE}意味著晶體管可以用較小的基極電流控制較大的集電極電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的放大倍數(shù)或更低的驅(qū)動(dòng)要求。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，通常會(huì)考慮h_{FE}的最小值，以確保在最差情況下也能滿足放大或開(kāi)關(guān)的要求。不同批次的S9013可能會(huì)有不同的h_{FE}$范圍，因此在需要精確增益的應(yīng)用中，應(yīng)選擇特定分檔的器件。

• 測(cè)試條件： VCE=5V,IC=1mA。

• 最小值： 60。

• 測(cè)試條件： VCE=5V,IC=50mA。

• 最小值： 60。

• 最大值： 400。

• 分檔： S9013通常有不同的$h_{FE}$分檔，例如：

• 集電極輸出電容 (Cob): 集電極與基極之間的輸出電容。

• 測(cè)試條件： IE=0,VCB=10V,f=1MHz。

• 最大值： 10pF。

• 說(shuō)明： 這是晶體管內(nèi)部的寄生電容之一。它主要影響晶體管在高頻下的性能，因?yàn)樗鼤?huì)形成一個(gè)低通濾波器，限制高頻信號(hào)的通過(guò)。在高速開(kāi)關(guān)或高頻放大電路中，低的$C_{ob}$更為理想。

• 發(fā)射極輸入電容 (Cib): 發(fā)射極與基極之間的輸入電容。

• 測(cè)試條件： IC=0,VEB=0.5V,f=1MHz。

• 最大值： 20pF。

• 說(shuō)明： 另一個(gè)寄生電容，它也會(huì)影響高頻特性。

• 共射截止頻率 (fT): 晶體管的特征頻率或增益帶寬積。

• 測(cè)試條件： IC=10mA,VCE=5V,f=100MHz。

• 最小值： 150MHz。

• 說(shuō)明： fT是晶體管的電流增益下降到1時(shí)的頻率。它衡量了晶體管在高頻下的放大能力。fT越高，晶體管在高頻電路中的性能越好，能夠處理的信號(hào)頻率越高。S9013的fT通常在150MHz到250MHz左右，這使得它適用于中低頻放大和一些簡(jiǎn)單的射頻應(yīng)用。

• 噪聲系數(shù) (NF): 晶體管自身產(chǎn)生的噪聲量。

• 測(cè)試條件： IC=1mA,VCE=5V,RS=1kΩ,f=1kHz。

• 最大值： 10dB。

• 說(shuō)明： 噪聲系數(shù)表示晶體管在放大信號(hào)時(shí)引入的額外噪聲。在對(duì)信噪比要求較高的應(yīng)用（如音頻前置放大器）中，較低的噪聲系數(shù)是理想的。10dB的噪聲系數(shù)對(duì)于通用型晶體管來(lái)說(shuō)是可接受的。

四、S9013的等效電路模型

為了更好地理解和分析S9013在電路中的行為，可以將其近似為一個(gè)簡(jiǎn)化的小信號(hào)等效電路。最常用的模型是混合$pi$模型或T模型。這些模型將晶體管的內(nèi)部物理特性抽象為電阻、電容和受控源等電路元件，從而可以使用電路分析方法來(lái)計(jì)算其增益、輸入/輸出阻抗和頻率響應(yīng)等。

4.1 小信號(hào)模型的主要參數(shù)

• 跨導(dǎo) (gm): 表示輸出電流變化與輸入電壓變化的比值。對(duì)于晶體管，它表示集電極電流的變化量與基極-發(fā)射極電壓的變化量之間的關(guān)系，是晶體管放大能力的核心參數(shù)。

• 輸入電阻 (rπ): 表示基極與發(fā)射極之間的小信號(hào)等效電阻。

• 輸出電阻 (ro): 表示集電極與發(fā)射極之間的小信號(hào)等效電阻。

• 寄生電容 (Cπ,Cμ): 分別代表基極-發(fā)射極結(jié)和基極-集電極結(jié)的擴(kuò)散電容和耗盡層電容，它們是限制晶體管高頻性能的主要因素。

通過(guò)這些參數(shù)和模型，工程師可以預(yù)測(cè)S9013在特定頻率和偏置點(diǎn)下的交流特性，從而優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。

五、S9013的應(yīng)用電路舉例

S9013作為一款通用晶體管，其應(yīng)用范圍非常廣泛。以下是一些典型的應(yīng)用場(chǎng)景：

5.1 信號(hào)放大電路

S9013常用于各種低功耗、中低頻信號(hào)放大電路，例如：

• 共發(fā)射極放大器： 最常見(jiàn)的放大電路結(jié)構(gòu)，具有高電壓增益和適中的輸入/輸出阻抗。通過(guò)合理設(shè)計(jì)偏置電路和負(fù)載電阻，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)小信號(hào)的有效放大。例如，用于麥克風(fēng)前置放大、音頻信號(hào)放大等。

• 共集電極放大器（射極跟隨器）： 提供電壓增益接近1的緩沖作用，但具有高輸入阻抗和低輸出阻抗。常用于阻抗匹配，驅(qū)動(dòng)低阻抗負(fù)載，如揚(yáng)聲器或長(zhǎng)電纜。

• 共基極放大器： 具有高頻特性好、輸入阻抗低、輸出阻抗高等特點(diǎn)。常用于高頻放大或電流放大。

5.2 開(kāi)關(guān)電路

由于S9013具有較快的開(kāi)關(guān)速度和可觀的集電極電流能力，它非常適合作為電子開(kāi)關(guān)使用，例如：

• LED驅(qū)動(dòng)： S9013可以驅(qū)動(dòng)中等功率的LED，通過(guò)基極的電流控制LED的亮滅。當(dāng)基極電流足夠大時(shí)，晶體管飽和導(dǎo)通，LED點(diǎn)亮；當(dāng)基極無(wú)電流或電流很小時(shí)，晶體管截止，LED熄滅。

• 繼電器驅(qū)動(dòng)： 驅(qū)動(dòng)小功率繼電器。繼電器線圈通常需要比微控制器GPIO口更高的電流，S9013可以作為電流放大器來(lái)驅(qū)動(dòng)繼電器線圈。在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載如繼電器時(shí)，需要在集電極和電源之間并聯(lián)一個(gè)續(xù)流二極管，以吸收關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)，保護(hù)晶體管。

• 小功率電機(jī)控制： 控制小功率DC電機(jī)的啟停。

• 數(shù)字邏輯接口： 用于連接不同電壓等級(jí)的數(shù)字邏輯電路，或者將微控制器的弱輸出信號(hào)放大以驅(qū)動(dòng)更強(qiáng)的負(fù)載。

5.3 振蕩電路

S9013也可以用于構(gòu)建各種振蕩電路，例如：

• 多諧振蕩器： 產(chǎn)生方波或矩形波信號(hào)，常用于定時(shí)器、閃爍燈等。

• LC振蕩器： 產(chǎn)生特定頻率的正弦波信號(hào)，用于射頻電路或信號(hào)發(fā)生器。

• 晶體振蕩器： 結(jié)合石英晶體，產(chǎn)生非常穩(wěn)定的高精度頻率信號(hào)，是微控制器和數(shù)字電路中常用的時(shí)鐘源。

5.4 電壓穩(wěn)壓電路

在一些簡(jiǎn)單的穩(wěn)壓電路中，S9013可以配合齊納二極管等元件，構(gòu)成串聯(lián)穩(wěn)壓器，為負(fù)載提供相對(duì)穩(wěn)定的電壓。

六、S9013的選型與使用注意事項(xiàng)

雖然S9013是一款通用且易于使用的晶體管，但在實(shí)際應(yīng)用中仍需注意以下幾點(diǎn)：

• 仔細(xì)核對(duì)參數(shù)： 在設(shè)計(jì)電路時(shí)，務(wù)必根據(jù)實(shí)際需求仔細(xì)核對(duì)S9013的各項(xiàng)參數(shù)，特別是最大額定值。確保工作電壓、電流和功耗都在其安全工作區(qū)（SOA）內(nèi)，并留有足夠的裕量。

• HFE分檔： 如果電路對(duì)放大倍數(shù)有較高要求，或者批量生產(chǎn)時(shí)需要保持一致性，應(yīng)注意S9013的HFE分檔，選擇適合的型號(hào)。HFE受溫度和集電極電流影響，在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮其變化。

• 散熱問(wèn)題： 盡管S9013是小功率晶體管，但當(dāng)工作電流較大或環(huán)境溫度較高時(shí)，仍可能出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題。在極端情況下，可能需要考慮額外的散熱措施，如增大PCB銅箔面積作為散熱片。

• 引腳識(shí)別： 再次強(qiáng)調(diào)，正確識(shí)別TO-92封裝的引腳至關(guān)重要，接錯(cuò)引腳可能導(dǎo)致晶體管損壞或電路不工作。

• 防靜電： 晶體管屬于半導(dǎo)體器件，對(duì)靜電比較敏感。在操作和安裝時(shí)，應(yīng)采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施，如佩戴防靜電手環(huán)，避免直接觸摸引腳。

• 替換考慮： S9013有很多類(lèi)似或兼容的替代品，如S8050、2N3904等。在需要替換時(shí)，除了關(guān)注NPN/PNP類(lèi)型和引腳排列，更要仔細(xì)對(duì)比其電氣參數(shù)，確保替換品能滿足電路要求。通常S8050的電流能力比S9013略高，而2N3904的耐壓和HFE分檔可能有所不同。

• 交流特性： 對(duì)于高頻應(yīng)用，除了fT，還應(yīng)考慮寄生電容對(duì)頻率響應(yīng)的影響。在某些情況下，可能需要采用更專(zhuān)業(yè)的射頻晶體管。

• 噪聲： 在對(duì)噪聲敏感的應(yīng)用中（如音頻前置放大），需要注意S9013的噪聲系數(shù)，或選擇專(zhuān)門(mén)的低噪聲晶體管。

七、S9013與其他類(lèi)似晶體管的對(duì)比

在小功率通用晶體管領(lǐng)域，除了S9013，還有一些常見(jiàn)的型號(hào)，例如S8050、S9014、S9015、2N3904等。了解它們之間的差異有助于更好地進(jìn)行選擇。

• S8050： 也是NPN型，與S9013在很多方面相似，但通常S8050的最大集電極電流（IC）更高，可以達(dá)到1.5A（而S9013通常為0.5A），耐壓可能略有不同。因此，S8050更適合驅(qū)動(dòng)需要更大電流的負(fù)載。

• S9014： NPN型，主要特點(diǎn)是低噪聲，常用于音頻前置放大等對(duì)信噪比要求較高的場(chǎng)合。其集電極電流通常較小。

• S9015： PNP型，是S9014的PNP對(duì)應(yīng)型號(hào)，也具有低噪聲特性。

• 2N3904： 國(guó)際上非常流行的NPN通用小功率晶體管。其參數(shù)與S9013相似，但在某些具體數(shù)值（如VCEO、IC、$h_{FE}$范圍）上可能存在細(xì)微差異。2N3904通常被認(rèn)為是S9013的一個(gè)良好替代品。

選擇合適的晶體管，需要綜合考慮電路的具體需求（電流、電壓、頻率、噪聲、功耗等），以及成本和易獲得性。

八、結(jié)論

S9013作為一款經(jīng)典且廣泛使用的NPN型小功率通用晶體管，以其均衡的性能和成本優(yōu)勢(shì)，在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。深入理解其引腳排列、各項(xiàng)電氣參數(shù)、絕對(duì)最大額定值以及典型應(yīng)用，是每一位電子工程師和愛(ài)好者必備的知識(shí)。正確地選擇和使用S9013，不僅能確保電路的正常工作，還能提高設(shè)計(jì)的可靠性和效率。掌握了S9013的特性，也就掌握了小信號(hào)晶體管應(yīng)用的基礎(chǔ)，為更復(fù)雜電路的設(shè)計(jì)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。