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gx18b20數(shù)據(jù)手冊(cè)

來源:
2025-08-05
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 2
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

GX18B20 數(shù)字溫度傳感器技術(shù)手冊(cè)

1. 概述與主要特點(diǎn)

GX18B20 是一款采用獨(dú)特單總線(1-Wire?)接口的數(shù)字溫度傳感器,它能夠直接將測(cè)量到的溫度值轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)輸出。其核心優(yōu)勢(shì)在于其高度集成的設(shè)計(jì),不僅包含了溫度傳感器本身,還集成了高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、溫度報(bào)警功能、暫存器以及通信邏輯控制單元,從而大大簡(jiǎn)化了外部電路設(shè)計(jì),為用戶提供了便利。GX18B20 的測(cè)溫范圍寬廣,覆蓋 +125°C 的區(qū)間,并且在 ?10°C+85°C 的核心溫度范圍內(nèi),其測(cè)量精度高達(dá) ±0.5°C。這種高精度和寬量程的特性使其廣泛適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于工業(yè)控制系統(tǒng)、消費(fèi)電子產(chǎn)品、醫(yī)療設(shè)備、環(huán)境監(jiān)測(cè)以及智能家居系統(tǒng)等。

image.png

該傳感器的另一個(gè)顯著特點(diǎn)是其靈活的供電方式。它支持兩種工作模式:外部電源供電模式寄生電源供電模式。在寄生電源模式下,GX18B20 僅需通過單總線引腳就能獲取工作所需的能量,極大地減少了布線需求,使得在遠(yuǎn)距離或空間受限的應(yīng)用中尤為突出。每個(gè) GX18B20 芯片在出廠時(shí)都已燒錄了一個(gè)唯一的 64 位序列號(hào),這使得多個(gè)傳感器可以共存于同一條單總線上,而不會(huì)產(chǎn)生沖突。主控設(shè)備可以通過這個(gè)序列號(hào)準(zhǔn)確地尋址和識(shí)別每一個(gè)傳感器,從而實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)溫度測(cè)量網(wǎng)絡(luò)。此外,該器件還具備可編程的溫度分辨率,用戶可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求,在 9 位至 12 位之間自由選擇,以平衡測(cè)溫精度和轉(zhuǎn)換時(shí)間。其集成的非易失性存儲(chǔ)器(EEPROM)可以用于存儲(chǔ)報(bào)警溫度限值 THTL 以及配置寄存器,這些設(shè)置即使在斷電后也能得到保留,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的可靠性和便捷性。

2. 引腳配置與功能描述

GX18B20 通常提供兩種封裝形式:TO-92 封裝和 SOP-8 封裝。TO-92 封裝主要用于需要伸出引腳進(jìn)行直接測(cè)量的場(chǎng)景,而 SOP-8 封裝則更適合于表面貼裝的電路板設(shè)計(jì)。兩種封裝的引腳定義和功能完全一致,便于設(shè)計(jì)者在不同應(yīng)用間進(jìn)行切換。

表 2.1:引腳功能描述

引腳名稱

引腳編號(hào)(TO-92)

引腳編號(hào)(SOP-8)

類型

功能描述

GND

1

4

電源地

接電源地,是器件的參考電位。

DATA

2

2

單總線

用于雙向通信的單總線接口。

VDD

3

8

電源正極

當(dāng)使用外部電源供電模式時(shí),連接正電源。在寄生電源模式下,此引腳必須接地。

TO-92 封裝引腳排列圖:

SOP-8 封裝引腳排列圖:

3. 電氣特性參數(shù)

本章節(jié)詳細(xì)列出了 GX18B20 在正常工作條件下以及極限條件下的電氣性能參數(shù),這些數(shù)據(jù)是進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)集成的關(guān)鍵參考。

表 3.1:絕對(duì)最大額定值

這些參數(shù)為器件可承受的極限值,超出這些范圍可能會(huì)對(duì)器件造成永久性損壞,甚至影響其正常功能。因此,在任何情況下,都應(yīng)避免器件工作在這些絕對(duì)最大額定值之外。

參數(shù)

符號(hào)

數(shù)值

單位

VDD 電源電壓

VDD

-0.5 到 +6.0

V

DATA 引腳電壓

VDATA

-0.5 到 VDD + 0.5

V

DATA 引腳吸收電流

IDATA

20

mA

存儲(chǔ)溫度范圍

TSTG

-55 到 +125

°C

焊接溫度(10s)

-

260

°C

表 3.2:工作條件

這些參數(shù)是確保 GX18B20 能夠正常、穩(wěn)定、可靠地工作的推薦范圍。在此范圍內(nèi),器件的性能指標(biāo)均能得到保證。

參數(shù)

符號(hào)

數(shù)值

單位

供電電壓范圍

VDD

3.0 到 5.5

V

寄生電源電壓

VP

3.0 到 5.5

V

工作溫度范圍

TA

-55 到 +125

°C

表 3.3:直流特性

這些參數(shù)描述了 GX18B20 在靜態(tài)工作狀態(tài)下的電流、電壓等特性。

參數(shù)

符號(hào)

條件

最小值

典型值

最大值

單位

正常工作電流

IDD

VDD = 5V

-

1.0

1.5

mA

待機(jī)電流

ISB

VDD = 5V

-

1.0

2.0

μA

DATA 引腳低電平輸出電壓

VOL

IOUT = 4mA

-

-

0.4

V

DATA 引腳高電平輸入電壓

VIH

-

2.2

-

VDD + 0.3

V

DATA 引腳低電平輸入電壓

VIL

-

-0.3

-

0.8

V

表 3.4:AC 特性

這些參數(shù)主要涉及單總線通信的時(shí)序特性,對(duì)于正確實(shí)現(xiàn)通信協(xié)議至關(guān)重要。單總線通信的時(shí)序非常嚴(yán)格,主設(shè)備必須嚴(yán)格遵守這些時(shí)間參數(shù)。

參數(shù)

符號(hào)

描述

最小值

最大值

單位

復(fù)位脈沖時(shí)間

tRST

主設(shè)備拉低總線以發(fā)起復(fù)位

480

-

μs

存在脈沖時(shí)間

tPRES

從設(shè)備拉低總線以響應(yīng)復(fù)位

60

240

μs

存在脈沖等待時(shí)間

tPDH

主設(shè)備在復(fù)位后等待從設(shè)備響應(yīng)

15

60

μs

寫 1 時(shí)隙

tW1

主設(shè)備寫 1 的總時(shí)隙

60

120

μs

寫 0 時(shí)隙

tW0

主設(shè)備寫 0 的總時(shí)隙

60

120

μs

讀取數(shù)據(jù)時(shí)隙

tRD

主設(shè)備從總線讀取數(shù)據(jù)時(shí)隙

60

120

μs

總線恢復(fù)時(shí)間

tREC

寫時(shí)隙或讀時(shí)隙結(jié)束后總線恢復(fù)時(shí)間

1

-

μs

4. 工作原理與通信協(xié)議

GX18B20 的核心工作原理是利用一個(gè)精密的溫度敏感元件,通過集成的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)將其模擬溫度信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字量。其內(nèi)部的轉(zhuǎn)換器采用了 sigma-delta 技術(shù),以實(shí)現(xiàn)高精度和低功耗的特性。轉(zhuǎn)換后的數(shù)字溫度值存儲(chǔ)在內(nèi)部的暫存器中,主控設(shè)備(通常是單片機(jī))通過單總線協(xié)議讀取這些數(shù)據(jù)。

4.1 單總線(1-Wire?)協(xié)議詳解

GX18B20 采用的單總線協(xié)議是一種由主設(shè)備控制的半雙工通信協(xié)議,所有通信都通過一根數(shù)據(jù)線(DATA)完成。為了確保通信的正確性,所有時(shí)序都必須嚴(yán)格遵守。

4.1.1 初始化與復(fù)位時(shí)序

每個(gè)通信序列都必須以一個(gè)初始化時(shí)序開始。主設(shè)備首先將單總線拉低至少 tRST = 480μs,以發(fā)出復(fù)位信號(hào)。在主設(shè)備釋放總線后,總線會(huì)通過外部上拉電阻恢復(fù)到高電平。如果總線上有 GX18B20 存在并準(zhǔn)備好通信,它會(huì)在主設(shè)備釋放總線后的 tPDH = 15μs 到 60μs 之間,將總線拉低 tPRES = 60μs 到 240μs 的時(shí)間,這就是存在脈沖。主設(shè)備通過檢測(cè)這個(gè)存在脈沖來確認(rèn)總線上是否有從設(shè)備響應(yīng)。如果沒有存在脈沖,主設(shè)備會(huì)認(rèn)為總線上沒有 GX18B20 存在,通信失敗。

4.1.2 寫時(shí)隙

主設(shè)備通過向總線寫入單個(gè)位來向 GX18B20 發(fā)送數(shù)據(jù)。寫 0 和寫 1 的時(shí)序不同。

  • 寫入邏輯 1: 主設(shè)備將總線拉低 1μs 到 15μs,然后立即釋放總線。總線通過上拉電阻恢復(fù)到高電平。這個(gè)時(shí)隙的總長(zhǎng)度必須在 60μs 到 120μs 之間。

  • 寫入邏輯 0: 主設(shè)備將總線拉低 60μs 到 120μs,然后釋放總線。在這個(gè)時(shí)隙內(nèi),總線始終保持低電平。

在每個(gè)寫時(shí)隙之間,必須有至少 tREC = 1μs 的恢復(fù)時(shí)間。

4.1.3 讀時(shí)隙

主設(shè)備通過發(fā)送讀時(shí)隙來請(qǐng)求 GX18B20 傳輸數(shù)據(jù)。讀時(shí)隙同樣由主設(shè)備發(fā)起。

  • 讀取時(shí)隙: 主設(shè)備首先將總線拉低 1μs 到 15μs,然后釋放總線。在主設(shè)備釋放總線后 15μs 內(nèi),GX18B20 會(huì)將要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)位寫入總線。如果數(shù)據(jù)位為 1,它會(huì)保持總線為高電平;如果數(shù)據(jù)位為 0,它會(huì)主動(dòng)將總線拉低。主設(shè)備必須在主設(shè)備發(fā)起讀時(shí)隙后的 15μs 內(nèi)完成對(duì)總線電平的采樣,以獲取正確的數(shù)據(jù)。每個(gè)讀時(shí)隙的總長(zhǎng)度也必須在 60μs 到 120μs 之間。

4.2 暫存器(Scratchpad)結(jié)構(gòu)

GX18B20 內(nèi)部包含一個(gè) 9 字節(jié)的暫存器,用于存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)和配置信息。主設(shè)備可以通過單總線協(xié)議訪問和修改這個(gè)暫存器。其詳細(xì)結(jié)構(gòu)如下:

表 4.1:暫存器(Scratchpad)結(jié)構(gòu)

字節(jié)

功能

描述

0

溫度值LSB

存儲(chǔ) 16 位溫度值的低 8 位。

1

溫度值MSB

存儲(chǔ) 16 位溫度值的高 8 位。

2

溫度高限 (TH)

報(bào)警高溫度限值,8 位帶符號(hào)整數(shù)。

3

溫度低限 (TL)

報(bào)警低溫度限值,8 位帶符號(hào)整數(shù)。

4

配置寄存器

用于設(shè)置溫度轉(zhuǎn)換分辨率。

5

保留

此字節(jié)為保留位,讀出值為全 1。

6

保留

此字節(jié)為保留位,讀出值為全 1。

7

保留

此字節(jié)為保留位,讀出值為全 1。

8

CRC 校驗(yàn)碼

用于對(duì)前 8 個(gè)字節(jié)進(jìn)行 CRC 校驗(yàn)。

其中,配置寄存器(字節(jié) 4)的結(jié)構(gòu)如下:

表 4.2:配置寄存器結(jié)構(gòu)

位 7

位 6

位 5

位 4

位 3

位 2

位 1

位 0

0

0

R1

R0

1

1

1

1

R1R0 共同決定了溫度轉(zhuǎn)換的分辨率:

  • R1=0,R0=0 9 位分辨率(轉(zhuǎn)換時(shí)間約 93.75ms)

  • R1=0,R0=1 10 位分辨率(轉(zhuǎn)換時(shí)間約 187.5ms)

  • R1=1,R0=0 11 位分辨率(轉(zhuǎn)換時(shí)間約 375ms)

  • R1=1,R0=1 12 位分辨率(轉(zhuǎn)換時(shí)間約 750ms)

5. 指令集(Command Set)

GX18B20 的指令集分為兩類:ROM 指令功能指令。ROM 指令用于對(duì)多個(gè)設(shè)備進(jìn)行尋址,而功能指令則用于執(zhí)行特定的任務(wù),如溫度轉(zhuǎn)換、讀寫暫存器等。

5.1 ROM 指令

這些指令用于在多點(diǎn)總線應(yīng)用中,識(shí)別和選擇特定的 GX18B20 芯片。

  • 0xCC (Skip ROM): 當(dāng)總線上只有一個(gè) GX18B20 設(shè)備時(shí),主設(shè)備可以使用此指令跳過 64 位 ROM 序列號(hào),直接發(fā)送功能指令。

  • 0x33 (Read ROM): 允許主設(shè)備讀取單個(gè) GX18B20 的 64 位序列號(hào)。此指令僅在總線上只有一個(gè)從設(shè)備時(shí)有效。

  • 0x55 (Match ROM): 主設(shè)備發(fā)送此指令后,緊接著發(fā)送一個(gè) 64 位序列號(hào)。總線上只有序列號(hào)匹配的那個(gè) GX18B20 會(huì)響應(yīng)后續(xù)的功能指令。

  • 0xF0 (Search ROM): 用于在總線上的多個(gè) GX18B20 中,逐一發(fā)現(xiàn)它們的 64 位序列號(hào)。這是一個(gè)復(fù)雜的搜索算法,需要主設(shè)備進(jìn)行多次迭代才能找到所有設(shè)備。

  • 0xEC (Alarm Search): 用于搜索暫存器中 THTL 寄存器觸發(fā)報(bào)警的 GX18B20。

5.2 功能指令

這些指令用于控制 GX18B20 的具體功能。

  • 0x44 (Convert T): 發(fā)送此指令后,GX18B20 會(huì)啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換過程。在轉(zhuǎn)換期間,它會(huì)拉低總線,直到轉(zhuǎn)換完成。主設(shè)備可以通過總線電平來判斷轉(zhuǎn)換是否完成。

  • 0xBE (Read Scratchpad): 用于從 GX18B20 的暫存器中讀取全部 9 個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。主設(shè)備發(fā)送此指令后,從設(shè)備會(huì)連續(xù)傳輸 9 個(gè)字節(jié),包括溫度數(shù)據(jù)、配置寄存器和 CRC 校驗(yàn)碼。

  • 0x4E (Write Scratchpad): 用于向暫存器中的 TH、TL 和配置寄存器寫入數(shù)據(jù)。主設(shè)備發(fā)送此指令后,需依次寫入三個(gè)字節(jié):TH、TL 和配置寄存器數(shù)據(jù)。

  • 0x48 (Copy Scratchpad): 用于將暫存器中的 TH、TL 和配置寄存器數(shù)據(jù)復(fù)制到非易失性 EEPROM 中,以實(shí)現(xiàn)掉電數(shù)據(jù)保存。

  • 0xB8 (Recall EEPROM): 用于將 EEPROM 中存儲(chǔ)的 THTL 和配置寄存器數(shù)據(jù)重新加載到暫存器中。

6. 溫度測(cè)量流程與數(shù)據(jù)解析

獲取 GX18B20 溫度值的典型流程是一個(gè)多步操作,涉及到指令發(fā)送、等待轉(zhuǎn)換以及數(shù)據(jù)讀取。

6.1 獲取溫度值的標(biāo)準(zhǔn)步驟

  1. 初始化: 主設(shè)備發(fā)送復(fù)位脈沖,并檢測(cè) GX18B20 的存在脈沖。

  2. ROM 指令: 發(fā)送 ROM 指令,例如 0xCC (Skip ROM),以選擇要通信的設(shè)備。

  3. 溫度轉(zhuǎn)換: 發(fā)送 0x44 (Convert T) 指令,通知 GX18B20 開始溫度轉(zhuǎn)換。

  4. 等待轉(zhuǎn)換: 主設(shè)備等待轉(zhuǎn)換完成??梢圆捎脙煞N方法:

    • 方法一(等待固定時(shí)間): 根據(jù)當(dāng)前的分辨率設(shè)置,等待相應(yīng)的時(shí)間(例如 12 位分辨率需要 750ms)。

    • 方法二(輪詢總線): 在發(fā)送 0x44 指令后,總線會(huì)保持低電平。主設(shè)備可以連續(xù)發(fā)起讀時(shí)隙,直到 GX18B20 將總線釋放為高電平,表示轉(zhuǎn)換完成。

  5. 讀取數(shù)據(jù): 轉(zhuǎn)換完成后,主設(shè)備再次發(fā)送初始化和 ROM 指令,然后發(fā)送 0xBE (Read Scratchpad) 指令。

  6. 數(shù)據(jù)解析: 主設(shè)備從總線上連續(xù)讀取 9 個(gè)字節(jié)的暫存器數(shù)據(jù)。

  7. CRC 校驗(yàn): 主設(shè)備計(jì)算前 8 個(gè)字節(jié)的 CRC 校驗(yàn)碼,并與讀取的第 9 個(gè)字節(jié)進(jìn)行比對(duì),以驗(yàn)證數(shù)據(jù)的完整性和正確性。

  8. 溫度計(jì)算: 將讀取到的暫存器中第 0 字節(jié)和第 1 字節(jié)(溫度值)組合成一個(gè) 16 位的帶符號(hào)數(shù),根據(jù)其分辨率和符號(hào)位進(jìn)行溫度值的計(jì)算。

6.2 溫度值解析

讀取到的 16 位溫度值是一個(gè)帶符號(hào)的二進(jìn)制補(bǔ)碼形式。最高位(MSB)是符號(hào)位,當(dāng)其為 0 時(shí)表示正溫度,為 1 時(shí)表示負(fù)溫度。

  • 對(duì)于正溫度: 直接將 16 位二進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制,然后除以相應(yīng)的分辨率因子。

  • 對(duì)于負(fù)溫度: 采用二進(jìn)制補(bǔ)碼規(guī)則,先按位取反,然后加 1,再轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制,最后加上負(fù)號(hào)。

例如,在 12 位分辨率下:

  • 正溫度 25.0°C 的二進(jìn)制表示為 0000 0001 1001 0000。

  • 負(fù)溫度 -10.0°C 的二進(jìn)制表示為 1111 1111 1001 0000。

分辨率與溫度值的關(guān)系:

  • 12 位:溫度值 = 原始值 / 16

  • 11 位:溫度值 = 原始值 / 8

  • 10 位:溫度值 = 原始值 / 4

  • 9 位:溫度值 = 原始值 / 2

7. 典型應(yīng)用電路

GX18B20 提供了兩種主要的應(yīng)用電路配置,以適應(yīng)不同的電源需求和布線復(fù)雜性。

7.1 外部電源供電模式

在這種模式下,GX18B20 通過 VDD 引腳連接到外部電源,通常是 +3.3V 到 +5V。DATA 引腳需要通過一個(gè)上拉電阻連接到 VDD。這種模式的優(yōu)點(diǎn)是通信穩(wěn)定可靠,尤其是在總線較長(zhǎng)或有較多設(shè)備連接時(shí),能提供更充足的電流,確保通信時(shí)序的穩(wěn)定。

外部電源供電模式的優(yōu)點(diǎn):

  • 穩(wěn)定可靠:器件能獲得持續(xù)且充足的電源,避免在溫度轉(zhuǎn)換等高功耗操作時(shí)因電壓跌落導(dǎo)致的通信錯(cuò)誤。

  • 適用于多點(diǎn)總線:在連接大量器件或總線距離較長(zhǎng)時(shí),能夠提供穩(wěn)定的電源,確保所有器件正常工作。

7.2 寄生電源供電模式

在寄生電源模式下,GX18B20 的 VDD 引腳必須接地,器件通過 DATA 引腳在總線處于高電平時(shí)獲取能量,并儲(chǔ)存在內(nèi)部電容中。在總線被拉低時(shí),器件依靠這個(gè)電容提供的能量工作。為了保證內(nèi)部電容在總線為高電平期間能快速充電,上拉電阻的阻值至關(guān)重要,一般推薦使用 4.7kΩ。

寄生電源供電模式的優(yōu)點(diǎn):

  • 布線簡(jiǎn)單:僅需兩根線(DATA 和 GND)即可實(shí)現(xiàn)通信和供電,簡(jiǎn)化了電路板設(shè)計(jì)和布線。

  • 適用于遠(yuǎn)距離應(yīng)用:減少了電源線數(shù)量,在遠(yuǎn)距離布線時(shí)成本更低。

寄生電源供電模式的注意事項(xiàng):

  • 上拉電阻選擇:上拉電阻的阻值需謹(jǐn)慎選擇,不能過大也不能過小。過大會(huì)導(dǎo)致充電速度慢,過小則會(huì)增加功耗。

  • 強(qiáng)上拉:在溫度轉(zhuǎn)換期間,GX18B20 會(huì)消耗較大的瞬時(shí)電流。為了保證轉(zhuǎn)換的穩(wěn)定進(jìn)行,主設(shè)備必須在發(fā)送 0x44 (Convert T) 指令后,通過一個(gè) MOS 管或三極管提供一個(gè)臨時(shí)的強(qiáng)上拉電流,以確保 DATA 引腳的電壓在轉(zhuǎn)換期間不會(huì)跌落。

8. 封裝信息與訂購(gòu)指南

GX18B20 提供了兩種主流的封裝形式,以滿足不同的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)需求。

8.1 TO-92 封裝

TO-92 封裝是一種常見的、價(jià)格低廉的直插式封裝,通常用于不需要嚴(yán)格限制尺寸的應(yīng)用。它的引腳可以直接焊接在孔式 PCB 上,或者通過引線延伸到需要測(cè)量的位置。

TO-92 封裝尺寸圖:

8.2 SOP-8 封裝

SOP-8 封裝是一種表面貼裝封裝,適用于對(duì)尺寸有嚴(yán)格要求且需要自動(dòng)化焊接的場(chǎng)景。其緊湊的尺寸和標(biāo)準(zhǔn)化引腳排列使其成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的理想選擇。

SOP-8 封裝尺寸圖:

8.3 訂購(gòu)信息

根據(jù)不同的封裝和包裝方式,GX18B20 有多種訂購(gòu)型號(hào)。

訂購(gòu)型號(hào)

封裝形式

包裝方式

GX18B20+

TO-92

批量包裝

GX18B20/T&R

SOP-8

卷帶包裝

9. 修訂歷史

為了保持文檔的最新和準(zhǔn)確性,本手冊(cè)會(huì)定期進(jìn)行修訂。以下是本手冊(cè)的主要修訂記錄。

表 9.1:修訂歷史

修訂版本

修訂日期

描述

V1.0

2025年5月1日

初版發(fā)布。

V1.1

2025年7月15日

增加了關(guān)于寄生電源模式下強(qiáng)上拉的詳細(xì)說明,并修正了部分時(shí)序參數(shù)的描述。

V1.2

2025年8月5日

優(yōu)化了章節(jié)結(jié)構(gòu),增加了溫度解析的詳細(xì)示例,并更新了典型應(yīng)用電路圖。


責(zé)任編輯:

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