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驅(qū)動(dòng)高壓鎖相環(huán)頻率合成器電路的VCO

來源: 中電網(wǎng)
2020-09-28
類別:技術(shù)信息
eye 42
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:驅(qū)動(dòng)高壓鎖相環(huán)頻率合成器電路的VCO

驅(qū)動(dòng)高壓鎖相環(huán)(PLL)頻率合成器電路的壓控振蕩器(VCO)是頻率合成系統(tǒng)的核心組件之一,其性能直接影響整個(gè)PLL的輸出頻率穩(wěn)定性、相位噪聲和調(diào)諧范圍。以下從VCO的工作原理、關(guān)鍵參數(shù)、設(shè)計(jì)要點(diǎn)及與PLL的協(xié)同工作等方面進(jìn)行詳細(xì)分析:


1. VCO的工作原理

VCO是一種輸出頻率隨輸入控制電壓線性變化的振蕩器,其核心結(jié)構(gòu)通?;贚C諧振回路或環(huán)形振蕩器:

  • LC-VCO:利用電感(L)和電容(C)的諧振特性,通過變?nèi)荻O管(Varactor)改變電容值以調(diào)整頻率。

  • 環(huán)形VCO:由奇數(shù)個(gè)反相器級(jí)聯(lián)形成,通過改變延遲單元的電流或負(fù)載電容調(diào)整頻率。

關(guān)鍵特性

  • 調(diào)諧范圍:VCO需覆蓋PLL所需的頻率范圍(如通信頻段)。

  • 增益(Kvco):單位電壓引起的頻率變化量(MHz/V),需與PLL環(huán)路帶寬匹配。

  • 相位噪聲:VCO的固有噪聲會(huì)通過PLL傳遞到輸出,需優(yōu)化諧振回路Q值或電流源噪聲。


2. VCO在PLL中的關(guān)鍵參數(shù)


參數(shù)影響設(shè)計(jì)要點(diǎn)
調(diào)諧范圍需覆蓋PLL的輸出頻率范圍(如5~6GHz),并留有余量以補(bǔ)償工藝和溫度變化。采用多頻段VCO(如電容陣列)或?qū)捳{(diào)諧變?nèi)荻O管。
Kvco穩(wěn)定性Kvco隨頻率變化會(huì)導(dǎo)致PLL環(huán)路增益變化,影響穩(wěn)定性。設(shè)計(jì)低Kvco變化率(如<20%),或通過自適應(yīng)偏置補(bǔ)償。
相位噪聲直接決定PLL輸出噪聲,需滿足通信標(biāo)準(zhǔn)(如-100dBc/Hz@1MHz偏移)。優(yōu)化諧振回路Q值(如使用高Q電感)、降低電流源噪聲、采用尾電流濾波技術(shù)。
功耗高頻VCO通常功耗較高,需在性能與功耗間權(quán)衡。采用低功耗拓?fù)洌ㄈ鏑lass-C VCO)或動(dòng)態(tài)偏置技術(shù)。



3. VCO與PLL的協(xié)同設(shè)計(jì)

  • 環(huán)路帶寬選擇

    • 帶寬過寬:VCO相位噪聲可能主導(dǎo)輸出噪聲。

    • 帶寬過窄:對(duì)參考雜散抑制能力下降。

    • 典型值:通常為VCO中心頻率的1/10~1/20。

  • 電荷泵電流(Icp)與環(huán)路濾波器

    • Icp需與VCO的Kvco匹配,確保環(huán)路增益穩(wěn)定。

    • 環(huán)路濾波器(如三階無源濾波器)需抑制電荷泵噪聲,同時(shí)提供足夠的相位裕度(通常>45°)。

  • 頻率鎖定與校準(zhǔn)

    • 高壓VCO(如>5V)可能需要分壓電路或電荷泵級(jí)聯(lián)以適應(yīng)PLL控制電壓范圍。

    • 初始頻率校準(zhǔn)(如二進(jìn)制電容陣列)可加速鎖定過程。


4. 高壓VCO的特殊考慮

  • 耐壓設(shè)計(jì)

    • 晶體管需選擇高壓器件(如LDMOS或高壓CMOS工藝)。

    • 變?nèi)荻O管需承受高壓(如>10V),避免擊穿。

  • 線性度優(yōu)化

    • 高壓下VCO的Kvco可能非線性,需通過反饋或預(yù)失真技術(shù)補(bǔ)償。

  • 熱穩(wěn)定性

    • 高壓可能導(dǎo)致器件發(fā)熱,需優(yōu)化版圖布局或采用溫度補(bǔ)償電路。

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5. 典型應(yīng)用案例

  • 5G通信

    • 需求:24~40GHz調(diào)諧范圍,相位噪聲<-90dBc/Hz@1MHz。

    • 方案:采用差分LC-VCO,結(jié)合電容陣列和自適應(yīng)偏置。

  • 雷達(dá)系統(tǒng)

    • 需求:高頻(如77GHz)、低相位噪聲(<-100dBc/Hz@1MHz)。

    • 方案:使用變壓器反饋VCO(TF-VCO)提高Q值。


6. 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與解決方案

  • 挑戰(zhàn)1:Kvco隨溫度和工藝變化大。

    • 方案:采用數(shù)字輔助校準(zhǔn)(DAC調(diào)節(jié)電容陣列)。

  • 挑戰(zhàn)2:高壓下相位噪聲惡化。

    • 方案:使用尾電流濾波或噪聲整形技術(shù)。

  • 挑戰(zhàn)3:調(diào)諧范圍與相位噪聲的權(quán)衡。

    • 方案:采用多核VCO(不同頻段獨(dú)立優(yōu)化)。


總結(jié)

驅(qū)動(dòng)高壓PLL的VCO設(shè)計(jì)需綜合考慮調(diào)諧范圍、相位噪聲、Kvco穩(wěn)定性及功耗。通過優(yōu)化諧振回路、選擇合適的工藝(如SiGe BiCMOS或GaAs)以及與PLL環(huán)路的協(xié)同設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高性能頻率合成器。實(shí)際應(yīng)用中,還需結(jié)合具體場景(如通信標(biāo)準(zhǔn)、功耗預(yù)算)進(jìn)行權(quán)衡。


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標(biāo)簽: 頻率合成器

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