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內(nèi)存插槽有哪些類型?什么是內(nèi)存模組?

來源: 21ic
2020-11-19
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 57
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:內(nèi)存插槽有哪些類型?什么是內(nèi)存模組?

內(nèi)存插槽是指主板上用來插內(nèi)存條的插槽,內(nèi)存插槽的類型決定了主板所能支持的內(nèi)存類型和規(guī)格。以下是幾種常見的內(nèi)存插槽類型:

  1. SIMM(Single Inline Memory Module)插槽

    • 早期的內(nèi)存模塊接口,金手指(導(dǎo)電觸片)位于內(nèi)存條的一側(cè),且兩側(cè)金手指提供的信號(hào)相同。

    • 多用于早期的FPM(Fast Page Mode,快速頁(yè)面模式)和EDO(Extended Data Out,擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出)DRAM。

    • 隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展,SIMM逐漸被更高性能的接口所取代,但在一些老舊系統(tǒng)中仍可見到。

  2. DIMM(Dual Inline Memory Module)插槽

    • 目前最為常見的內(nèi)存插槽類型,金手指位于內(nèi)存條的兩側(cè),且兩側(cè)金手指獨(dú)立傳輸信號(hào),提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)男屎头€(wěn)定性。

    • 廣泛應(yīng)用于臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器以及部分筆記本電腦中。

    • 包括多種類型,如SDRAM DIMM、DDR DIMM、DDR2 DIMM、DDR3 DIMM、DDR4 DIMM等,它們?cè)谝_數(shù)、電壓和傳輸速度等方面有所不同。

  3. SO-DIMM(Small Outline DIMM Module)插槽

    • 專為筆記本電腦設(shè)計(jì)的內(nèi)存插槽,尺寸比標(biāo)準(zhǔn)的DIMM插槽小很多,以適應(yīng)筆記本電腦緊湊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

    • 引腳數(shù)根據(jù)內(nèi)存規(guī)格的不同而有所差異,如SDRAM SO-DIMM為144Pin引腳,DDR SO-DIMM為200Pin引腳,DDR2/DDR3/DDR4 SO-DIMM的引腳數(shù)可能有所變化。

  4. MicroDIMM和MiniRegistered DIMM插槽

    • 這兩種插槽是SO-DIMM的變種,主要用于滿足特定尺寸或性能要求的筆記本電腦。

    • MicroDIMM插槽的引腳數(shù)較少,如DDR為172Pin,DDR2為214Pin。

    • MiniRegistered DIMM插槽的引腳數(shù)較多,如244Pin,主要用于DDR2內(nèi)存。

  5. RIMM(Rambus Inline Memory Module)插槽

    • Rambus公司生產(chǎn)的RDRAM內(nèi)存所采用的接口類型。

    • RIMM內(nèi)存與DIMM的外型尺寸相似,但金手指和傳輸技術(shù)有所不同。

    • 由于RDRAM內(nèi)存價(jià)格較高,RIMM插槽在DIY市場(chǎng)上較為罕見,多用于高端服務(wù)器和專業(yè)工作站等特定領(lǐng)域。

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內(nèi)存模組

內(nèi)存模組是指芯片組所能支持的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存插槽數(shù)量以及相關(guān)的內(nèi)存配置。以下是關(guān)于內(nèi)存模組的一些關(guān)鍵點(diǎn):

  1. 定義:內(nèi)存模組是芯片組所能支持的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存插槽數(shù)量,它決定了計(jì)算機(jī)能夠安裝的內(nèi)存數(shù)量和類型。

  2. 類型

    • 根據(jù)用途和性能的不同,內(nèi)存模組可分為多種類型,如RDIMM(Registered DIMM,寄存器內(nèi)存模組)、LRDIMM(Load Reduced DIMM,低負(fù)載寄存器內(nèi)存模組)、UDIMM(Unbuffered DIMM,無緩沖內(nèi)存模組)和SODIMM(小型雙列直插內(nèi)存模組)等。

    • RDIMM和LRDIMM主要用于服務(wù)器內(nèi)存模組,提供更高的數(shù)據(jù)容量和可靠性;UDIMM和SODIMM則主要用于普通臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦。

  3. 技術(shù)演進(jìn)

    • 隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存模組也在不斷演進(jìn)。例如,DDR5內(nèi)存模組相比DDR4在速度、容量、能耗和穩(wěn)定性方面都有顯著提升。

    • DDR5內(nèi)存模組的帶寬是DDR4的兩倍,起始頻率比DDR4標(biāo)準(zhǔn)頻率增加50%,單個(gè)存儲(chǔ)芯片密度是DDR4最大密度的4倍,且工作電壓更低,功耗更低。

  4. 配套芯片

    • 內(nèi)存模組上除了內(nèi)存條本身外,還需要配置內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。這些芯片用于提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性,以匹配CPU日益提高的運(yùn)行速度及性能。

    • 在DDR5世代,內(nèi)存模組配套芯片增加了電源管理集成電路(PMIC),用于管理內(nèi)存的電源供應(yīng)。

綜上所述,內(nèi)存插槽的類型和內(nèi)存模組都是影響計(jì)算機(jī)內(nèi)存性能和容量的關(guān)鍵因素。在選擇和配置內(nèi)存時(shí),需要根據(jù)計(jì)算機(jī)型號(hào)、主板規(guī)格以及性能需求來選擇合適的內(nèi)存插槽類型和內(nèi)存模組。


責(zé)任編輯:David

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