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國產(chǎn)MOS場效應管7n60

來源: hqew
2021-01-11
類別:基礎知識
eye 99
文章創(chuàng)建人 拍明

原標題:國產(chǎn)MOS場效應管7n60

國產(chǎn)MOS場效應管7N60是一種廣泛應用于電子領域的器件,以下是對其的詳細介紹:

一、基本特性

7N60是N溝道增強型高壓功率MOS場效應管,具有高效、節(jié)能的特點。它通過在絕緣層上投射電場來影響流過晶體管的電流,具有輸入阻抗高、耦合電容容量小、功耗低等優(yōu)勢。

二、電性參數(shù)

  • 漏源電壓(VDSS):600V。這是指場效應管漏極和源極之間的最大允許電壓。

  • 漏極電流(ID):7A。這是指在場效應管導通時,漏極允許流過的最大電流。

  • 柵源電壓(VGS):通常±30V,這是指柵極和源極之間的電壓范圍。

  • 漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):在VGS=10V時,RDS(on)的典型值為1.0Ω(不同品牌和型號可能略有差異,如FHP7N60/FHF7N60的RDS(on)為1.3Ω(max)@VGS=10V)。較低的導通電阻有助于降低功耗和提高效率。

  • 連續(xù)二極管正向電流(IS):7A。

  • 脈沖二極管正向電流(ISM):28A。

  • 二極管正向電壓(VSD):1.5V。

  • 零柵極電壓漏極電流(IDSS):通常很小,如1uA。

  • 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容:這些電容值決定了場效應管的開關速度和穩(wěn)定性。輸入電容的典型值為900PF,輸出電容為100PF,反向傳輸電容為11.5PF(具體數(shù)值可能因型號而異)。

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三、封裝形式

7N60場效應管有多種封裝形式,如TO-220、TO-262、TO-263等,方便用戶根據(jù)實際應用場景選擇合適的封裝。

四、應用領域

由于7N60具有高效、節(jié)能、高輸入阻抗等特點,它廣泛應用于開關電源、LED驅動、AC-DC轉換器、DC-DC轉換器、高壓H橋PWM馬達驅動等領域。在這些應用中,7N60能夠提供穩(wěn)定的電流控制和高效的能量轉換。

五、注意事項

  • 在使用7N60時,應確保工作電壓和電流不超過其最大允許值,以避免器件損壞。

  • 在設計電路時,應充分考慮7N60的開關速度和穩(wěn)定性要求,以確保電路的正常工作。

  • 為了提高系統(tǒng)的可靠性,可以選擇經(jīng)過雪崩能量測試和改進的dv/dt能力驗證的7N60型號。

綜上所述,國產(chǎn)MOS場效應管7N60是一種性能優(yōu)異、應用廣泛的器件。在選擇和使用時,應充分考慮其電性參數(shù)、封裝形式和應用場景等因素,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。


責任編輯:David

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