原標(biāo)題：30億美元打水漂，美光放棄3D Xpoint研發(fā)

“30億美元打水漂，美光放棄3D Xpoint研發(fā)”這一說(shuō)法主要基于美光公司在3D XPoint技術(shù)研發(fā)上的大量投入以及最終決定放棄該技術(shù)研發(fā)的事實(shí)。以下是對(duì)此事件的詳細(xì)分析：

一、背景介紹

3D XPoint是由英特爾和美光兩大存儲(chǔ)器芯片巨頭共同開(kāi)發(fā)的一種內(nèi)存存儲(chǔ)技術(shù)，旨在填補(bǔ)動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）和NAND閃存之間的存儲(chǔ)市場(chǎng)空白。該技術(shù)號(hào)稱(chēng)可以實(shí)現(xiàn)比NAND閃存快一千倍的存取速度，曾被人們吹捧為“游戲規(guī)則的改變者”和“硅和晶體管的替代品”。

二、美光的投入與決策

1. 研發(fā)投入：美光在3D XPoint技術(shù)上的研發(fā)投入巨大，據(jù)估計(jì)，與英特爾共同開(kāi)發(fā)該技術(shù)期間，美光投入了約30億美元（約合195億元人民幣）。

2. 商業(yè)化嘗試：盡管美光嘗試以QuantX品牌包裝3D XPoint，并發(fā)布了X100企業(yè)級(jí)SSD，但市場(chǎng)規(guī)模有限，并未達(dá)到預(yù)期的商業(yè)效果。

3. 決策放棄：由于需求不足，美光在2021年3月宣布終止對(duì)3D XPoint技術(shù)的所有研發(fā)，并將資源轉(zhuǎn)移到基于CXL工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的新接口內(nèi)存等產(chǎn)品上。同時(shí)，美光還計(jì)劃出售其位于美國(guó)猶他州Lehi的3D XPoint芯片工廠。

三、美光放棄3D XPoint的原因

1. 市場(chǎng)需求不足：盡管3D XPoint技術(shù)具有諸多優(yōu)勢(shì)，但由于其高昂的成本和特定的應(yīng)用場(chǎng)景，市場(chǎng)需求并未達(dá)到預(yù)期水平。這導(dǎo)致美光無(wú)法通過(guò)大規(guī)模商業(yè)化來(lái)收回研發(fā)成本。

2. 技術(shù)挑戰(zhàn)：3D XPoint技術(shù)的制造過(guò)程復(fù)雜，且需要采用先進(jìn)的光刻圖案化步驟。這增加了生產(chǎn)成本，并限制了產(chǎn)品容量的增加。同時(shí)，與DRAM相比，3D XPoint在速度和延遲方面仍存在一定差距。

3. 合作伙伴關(guān)系的變化：英特爾和美光在合作了兩代技術(shù)后，于2018年開(kāi)始拆分閃存合作關(guān)系。這導(dǎo)致美光在獨(dú)立開(kāi)發(fā)3D XPoint技術(shù)時(shí)面臨更多挑戰(zhàn)。

四、后續(xù)發(fā)展

1. 出售工廠：美光最終將其位于猶他州Lehi的3D XPoint芯片工廠出售給德州儀器，標(biāo)志著其正式退出3D XPoint業(yè)務(wù)。

2. 轉(zhuǎn)向新領(lǐng)域：美光將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向開(kāi)發(fā)支持CXL標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存產(chǎn)品等新領(lǐng)域，以尋求新的增長(zhǎng)點(diǎn)。

綜上所述，“30億美元打水漂”這一說(shuō)法雖然夸張，但確實(shí)反映了美光在3D XPoint技術(shù)研發(fā)上的巨大投入和最終放棄的遺憾。然而，商業(yè)決策往往受到多種因素的影響，美光在評(píng)估了市場(chǎng)需求、技術(shù)挑戰(zhàn)和合作伙伴關(guān)系后，做出了放棄3D XPoint技術(shù)的決策，并將資源投入到更具潛力的新領(lǐng)域。