原標(biāo)題：ST推出新款MasterGaN4器件，實(shí)現(xiàn)高達(dá)200瓦的高能效功率變換

ST（意法半導(dǎo)體）推出的新款MasterGaN4器件，確實(shí)實(shí)現(xiàn)了高達(dá)200瓦的高能效功率變換。以下是對該器件的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品概述

MasterGaN4是意法半導(dǎo)體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，集成了兩個(gè)對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵（GaN）功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能。這款器件旨在簡化高達(dá)200W的高能效電源變換應(yīng)用的設(shè)計(jì)。

二、主要特點(diǎn)

1. 高性能GaN晶體管：

• MasterGaN4內(nèi)部的GaN晶體管具有出色的開關(guān)性能，工作頻率更高，能效更高，散熱發(fā)熱更少。

• 設(shè)計(jì)人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器，從而設(shè)計(jì)出更小、更輕的電源、充電器和適配器。

2. 優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器：

• MasterGaN4集成了優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器，解決了復(fù)雜的柵極控制和電路布局難題。

• 柵極驅(qū)動(dòng)器的高側(cè)可以容易地由集成自舉二極管提供。

3. 電路保護(hù)功能：

• MasterGaN4內(nèi)置了多種保護(hù)功能，包括柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖、高低邊欠壓鎖定（UVLO）以及過熱保護(hù)，可進(jìn)一步簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)。

• 還有一個(gè)專用的關(guān)斷引腳，方便用戶進(jìn)行關(guān)斷操作。

4. 寬電源電壓范圍：

• MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V~15V，可以直接連接到控制器，如霍爾效應(yīng)傳感器、微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。

• 4.75V~9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現(xiàn)有電源軌。

5. 封裝與安全性：

• MasterGaN4采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，體積小巧。

• 超過2mm的爬電距離確保在高壓應(yīng)用中的使用安全。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓?fù)湟约败涢_關(guān)拓?fù)?，如有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。此外，它還可應(yīng)用于開關(guān)模式電源、充電器和適配器、高壓PFC、DC-DC和DC-AC轉(zhuǎn)換器等。

四、總結(jié)

ST推出的新款MasterGaN4器件以其高性能的GaN晶體管、優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器、豐富的電路保護(hù)功能以及寬電源電壓范圍等特點(diǎn)，為高達(dá)200W的高能效功率變換應(yīng)用提供了理想的解決方案。該器件不僅簡化了設(shè)計(jì)流程，還提高了系統(tǒng)的能效和可靠性，具有廣闊的應(yīng)用前景。