原標(biāo)題：為對抗三星、SK 海力士，傳日本鎧俠將砸1182億新建3D NAND Flash廠

為對抗三星、SK 海力士等競爭對手，日本鎧俠（Kioxia，原東芝半導(dǎo)體）確實計劃投資巨額資金新建3D NAND Flash廠。以下是關(guān)于此計劃的詳細(xì)歸納：

一、投資計劃概述

• 投資主體：日本鎧俠（Kioxia）

• 投資金額：約2兆日元（約合人民幣1182億元）

• 投資目的：新建3D NAND Flash廠，以擴(kuò)大產(chǎn)能并提升技術(shù)競爭力，對抗三星、SK 海力士等競爭對手。

二、新建廠房詳情

• 廠房名稱：K2

• 建設(shè)地點：日本巖手縣北上市工廠

• 建設(shè)規(guī)模：K2廠房的規(guī)模預(yù)計是2020年上半年開始營運的K1廠房的2倍。

• 建設(shè)進(jìn)度：

• 2022年春天：開始動工興建。

• 2023年春天：預(yù)計完成廠房工程。

• 數(shù)個月后：開始生產(chǎn)3D NAND Flash。

三、生產(chǎn)設(shè)備與資金來源

• 生產(chǎn)設(shè)備：K2廠房所需的生產(chǎn)設(shè)備主要將從鎧俠的四日市工廠（日本三重縣）轉(zhuǎn)移過來。

• 資金來源：鎧俠計劃與合作伙伴西部數(shù)據(jù)（Western Digital, WD）共同負(fù)擔(dān)生產(chǎn)設(shè)備投資費用。此外，總額2兆日元的投資中，除了含K2廠房及附帶設(shè)施的興建費用外，也包含設(shè)備補(bǔ)充四日市工廠的費用。

四、市場競爭與技術(shù)發(fā)展

• 市場競爭：鎧俠希望通過新建3D NAND Flash廠來擴(kuò)大產(chǎn)能，并提升技術(shù)競爭力，以對抗三星、SK 海力士等競爭對手。

• 技術(shù)發(fā)展：隨著云端服務(wù)、5G通訊等技術(shù)的不斷發(fā)展，NAND Flash的市場需求持續(xù)增長。鎧俠通過投資新建廠房和引進(jìn)先進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備，旨在滿足市場需求并保持技術(shù)領(lǐng)先地位。

五、其他相關(guān)信息

• IPO計劃：由于市場行情回溫緩慢，鎧俠的IPO計劃較原定時程出現(xiàn)延誤，最快可能也要到2021年的夏天之后。

• 行業(yè)趨勢：除了鎧俠外，其他半導(dǎo)體廠商也在積極投資擴(kuò)建產(chǎn)能。例如，英特爾計劃投資200億美元在亞利桑那州建設(shè)全新半導(dǎo)體工廠，臺積電也打算在亞利桑那州投資120億美元新設(shè)工廠。這些投資都將進(jìn)一步推動半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展和競爭。

綜上所述，日本鎧俠為對抗三星、SK 海力士等競爭對手，計劃投資約1182億元人民幣新建3D NAND Flash廠。該計劃將有助于提高鎧俠的產(chǎn)能和技術(shù)競爭力，并滿足市場需求。