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Anvo-Systems Dresden ANV22AA8并行nvSRAM的介紹、特性、及應(yīng)用

來(lái)源: hqbuy
2021-06-08
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 23
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:Anvo-Systems Dresden ANV22AA8并行nvSRAM的介紹、特性、及應(yīng)用

Anvo-Systems Dresden ANV22AA8并行nvSRAM是一款高性能的1Mb非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。以下是其詳細(xì)介紹、特性和應(yīng)用:

介紹

ANV22AA8并行nvSRAM集成了每個(gè)存儲(chǔ)單元一個(gè)非易失性SONOS存儲(chǔ)元素,組織為128k個(gè)8位字。它提供了兩種獨(dú)立的工作模式:SRAM模式和非易失性模式。

特性

  1. 高性能源件

    • 訪問(wèn)時(shí)間:25ns

    • 輸出使能訪問(wèn)時(shí)間:10ns

    • 電源電流(I(CC)):10mA典型值

  2. 非易失性存儲(chǔ)

    • 數(shù)據(jù)傳輸:從SRAM到SONOS元素(存儲(chǔ))或從SONOS元素到SRAM(收回)

    • 自動(dòng)存儲(chǔ):在斷電或停電情況下自動(dòng)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸

    • 自動(dòng)收回:在通電時(shí)自動(dòng)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,也可通過(guò)軟件序列或單引腳(HSB)控制

  3. 數(shù)據(jù)保護(hù)

    • 無(wú)限次讀寫

    • 非易失性數(shù)據(jù)保留時(shí)間:長(zhǎng)達(dá)100年

  4. 電源電壓

    • 工作電壓范圍:2.7V至3.6V

  5. 溫度范圍

    • 工作溫度范圍:0°C至+70°C

  6. 其他特性

    • 通過(guò)ReadLastSuccessfulWrittenAddress可以讀出最后一次寫入成功的數(shù)據(jù)的3字節(jié)地址

    • 支持軟件序列或硬件(HSB)控制的非易失性存儲(chǔ)

    • 內(nèi)部收回過(guò)程是一個(gè)兩步程序

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應(yīng)用

ANV22AA8并行nvSRAM適用于需要高可靠性、快速訪問(wèn)時(shí)間和非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于:

  1. 工業(yè)控制系統(tǒng)

    • 需要可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)的工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備

  2. 醫(yī)療設(shè)備

    • 關(guān)鍵數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ),確保在斷電情況下數(shù)據(jù)不丟失

  3. 通信設(shè)備

    • 需要高速數(shù)據(jù)訪問(wèn)和可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的通信模塊

  4. 汽車電子

    • 車載信息系統(tǒng)和控制單元,需要在各種工作條件下保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性和快速響應(yīng)

  5. 消費(fèi)電子

    • 高端消費(fèi)電子產(chǎn)品,如智能手表、智能家居設(shè)備等,需要快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)和非易失性存儲(chǔ)

總之,ANV22AA8并行nvSRAM憑借其高性能和非易失性特性,廣泛應(yīng)用于需要高可靠性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)的各種領(lǐng)域。


責(zé)任編輯:David

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