原標(biāo)題：拋棄納米制程叫法、開啟半導(dǎo)體埃米時(shí)代：英特爾公布技術(shù)路線圖，啟動(dòng)芯片代工服務(wù)

英特爾公布技術(shù)路線圖，拋棄納米制程叫法，啟動(dòng)芯片代工服務(wù)

一、技術(shù)路線圖的公布

英特爾在近年來公布了其詳細(xì)的技術(shù)路線圖，旨在通過創(chuàng)新技術(shù)來保持其在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位。這一路線圖不僅展示了英特爾在制程工藝上的進(jìn)步，還標(biāo)志著其正式開啟半導(dǎo)體埃米時(shí)代，即超越傳統(tǒng)納米制程的新階段。

二、拋棄納米制程叫法

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，傳統(tǒng)的基于納米的制程節(jié)點(diǎn)命名方法已經(jīng)不再與晶體管實(shí)際的柵極長度相對應(yīng)。為了更準(zhǔn)確地反映制程技術(shù)的實(shí)際情況，英特爾決定拋棄納米制程的叫法，并引入全新的命名體系。這一新體系基于客戶看重的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，即性能、功率和面積，來命名未來的制程節(jié)點(diǎn)。

三、半導(dǎo)體埃米時(shí)代的開啟

英特爾的技術(shù)路線圖顯示，其將在未來幾年內(nèi)推出多個(gè)新的制程節(jié)點(diǎn)，包括Intel 4、Intel 3和Intel 20A等。這些制程節(jié)點(diǎn)將采用更先進(jìn)的技術(shù)，如極紫外光刻（EUV）技術(shù)和高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更高的性能、更低的功耗和更小的芯片面積。其中，Intel 20A更是標(biāo)志著英特爾正式進(jìn)入半導(dǎo)體埃米時(shí)代，開啟了超越傳統(tǒng)納米制程的新篇章。

四、啟動(dòng)芯片代工服務(wù)

為了進(jìn)一步擴(kuò)大市場份額并滿足客戶需求，英特爾還宣布啟動(dòng)芯片代工服務(wù)（IFS）。這一服務(wù)將為客戶提供從設(shè)計(jì)到制造的全方位解決方案，幫助客戶更快地推出新產(chǎn)品并搶占市場先機(jī)。AWS和高通等知名企業(yè)已經(jīng)成為英特爾代工服務(wù)的首批客戶，這充分證明了英特爾在芯片代工領(lǐng)域的實(shí)力和潛力。

五、技術(shù)亮點(diǎn)與創(chuàng)新

1. RibbonFET晶體管架構(gòu)：作為Intel 20A制程的核心技術(shù)之一，RibbonFET實(shí)現(xiàn)了對Gate All Around晶體管的優(yōu)化和創(chuàng)新。該技術(shù)不僅加快了晶體管的開關(guān)速度，還實(shí)現(xiàn)了與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。

2. PowerVia背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)：這是英特爾獨(dú)有的創(chuàng)新技術(shù)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號(hào)傳輸。PowerVia的引入將進(jìn)一步提升芯片的能效和性能。

3. EUV光刻技術(shù)的全面應(yīng)用：從Intel 4節(jié)點(diǎn)開始，英特爾將全面應(yīng)用EUV光刻技術(shù)來生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品。這一技術(shù)的使用將使得刻印極微小的圖樣成為可能，從而進(jìn)一步提高芯片的集成度和性能。

六、未來展望

英特爾的技術(shù)路線圖顯示了其在半導(dǎo)體行業(yè)的雄心壯志和堅(jiān)定決心。通過不斷創(chuàng)新和突破，英特爾有望在未來幾年內(nèi)繼續(xù)保持其在制程工藝和封裝技術(shù)上的領(lǐng)先地位。同時(shí)，隨著芯片代工服務(wù)的正式啟動(dòng)和不斷拓展，英特爾也將為更多客戶提供高質(zhì)量的芯片制造解決方案，推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展。