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意法半導(dǎo)體高能效功率變換應(yīng)用,推出新的 45W和150W GaN 產(chǎn)品

來源: 中電網(wǎng)
2021-08-31
類別:新品快報(bào)
eye 17
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:意法半導(dǎo)體高能效功率變換應(yīng)用,推出新的 45W和150W GaN 產(chǎn)品

意法半導(dǎo)體針對高能效功率變換應(yīng)用,推出了新的45W和150W GaN(氮化鎵)產(chǎn)品,分別是MasterGaN3和MasterGaN5。這兩款產(chǎn)品作為集成功率系統(tǒng)封裝,為設(shè)計(jì)開關(guān)式電源、充電器、適配器、高壓功率因數(shù)校正(PFC)和DC/DC變換器的工程師提供了更多的選擇和靈活性。以下是關(guān)于這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:

一、產(chǎn)品特點(diǎn)

  1. 高能效與小型化

    • GaN晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)更高的開關(guān)頻率,這使得新的集成功率系統(tǒng)封裝能夠使電源尺寸比基于硅的設(shè)計(jì)縮小80%,同時(shí)具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。

  2. 集成化設(shè)計(jì)

    • MasterGaN3和MasterGaN5均集成兩個(gè)650V功率晶體管、優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動器和相關(guān)的安全保護(hù)電路。這種設(shè)計(jì)消除了柵極驅(qū)動器和電路布局設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),簡化了設(shè)計(jì)流程。

  3. 靈活的應(yīng)用場景

    • MasterGaN3的兩個(gè)GaN功率晶體管的導(dǎo)通電阻值(Rds(on))不相等,分別為225mΩ和450mΩ,使其適用于軟開關(guān)和有源整流變換器。

    • MasterGaN5中兩個(gè)晶體管的導(dǎo)通電阻值均為450mΩ,適用于LLC諧振和有源鉗位反激變換器等拓?fù)洹?/span>

  4. 廣泛的兼容性

    • 這兩款器件都兼容3.3V至15V邏輯信號的輸入,簡化了與DSP處理器、FPGA或微控制器等主控制器和霍爾傳感器等外部設(shè)備的連接。

  5. 安全保護(hù)功能

    • 新產(chǎn)品集成了多種安全保護(hù)功能,包括高低邊欠壓鎖定(UVLO)、柵極驅(qū)動器互鎖、過熱保護(hù)和關(guān)斷引腳,提高了系統(tǒng)的整體安全性和可靠性。

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二、產(chǎn)品配套

  • 每款MasterGaN產(chǎn)品都配有一個(gè)專用的原型開發(fā)板(如EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5),這些開發(fā)板包含單端或互補(bǔ)驅(qū)動信號發(fā)生器電路、可調(diào)的死區(qū)時(shí)間發(fā)生器以及相關(guān)的設(shè)備接口,方便用戶采用不同的輸入信號或PWM信號進(jìn)行測試和調(diào)試。

三、量產(chǎn)與封裝

  • MasterGaN3和MasterGaN5現(xiàn)已量產(chǎn),并采用針對高壓應(yīng)用優(yōu)化的9mm x 9mm GQFN封裝,高低壓焊盤間爬電距離為2mm。

四、公司背景

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)是一家擁有46,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者的公司,掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家獨(dú)立的半導(dǎo)體設(shè)備制造商,意法半導(dǎo)體與十萬余客戶、數(shù)千名合作伙伴共同研發(fā)產(chǎn)品和解決方案,構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng),以應(yīng)對各種挑戰(zhàn)和新機(jī)遇,滿足世界對可持續(xù)發(fā)展的更高需求。

綜上所述,意法半導(dǎo)體的MasterGaN3和MasterGaN5產(chǎn)品以其高能效、小型化、集成化設(shè)計(jì)以及廣泛的安全保護(hù)功能和兼容性,為高能效功率變換應(yīng)用提供了理想的解決方案。


責(zé)任編輯:David

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