原標題：混合電壓供電的移動設(shè)計兩個細節(jié)

混合電壓供電的移動設(shè)計在當前的電子設(shè)備設(shè)計中占據(jù)重要地位，特別是在追求高耗能功能性和更長電池壽命之間取得平衡的背景下。以下是混合電壓供電移動設(shè)計中的兩個關(guān)鍵細節(jié)：

1. 輸入電壓與電源電壓的關(guān)系

細節(jié)描述：

• 在混合電壓供電的移動設(shè)計中，輸入電壓（VIH）與電源電壓（VCC）之間的關(guān)系對功耗有直接影響。當輸入電壓VIH等于電源電壓VCC時，CMOS（互補金屬氧化物半導體）門電路通常具有極低的靜態(tài)電流（ICC）和泄漏電流，這是移動應用中邏輯器件的理想狀態(tài)。然而，在實際應用中，VIH可能小于VCC，這會導致CMOS門電路的PMOS和NMOS晶體管在不同級別上“導通”，從而產(chǎn)生額外的傳導電流，即ICCT電流。這種電流的增加會顯著提高器件的靜態(tài)功耗。

解決方案：

• 采用具有低ICCT（輸入電容電流）特性的門電路。例如，飛兆半導體的低ICCT門電路通過專有的輸入電壓設(shè)計，降低了輸入閾值電壓，增大了輸入電壓范圍，同時不影響有效邏輯低電平VIL。這種設(shè)計在ICCT電流出現(xiàn)時能夠限制其范圍，從而顯著降低靜態(tài)功耗。

2. 功耗優(yōu)化與電池壽命延長

細節(jié)描述：

• 功耗優(yōu)化是混合電壓供電移動設(shè)計的核心目標之一。隨著便攜設(shè)備整合更多功能，功耗問題日益突出。為了延長電池壽命，必須降低各級電路的功率消耗。在CMOS門電路的設(shè)計中，靜態(tài)功率由基本DC功率公式P=ICC×VCC決定。因此，降低ICC電流是減少功耗的關(guān)鍵。

解決方案：

• 除了采用低ICCT門電路外，還可以通過優(yōu)化電路設(shè)計、選擇低功耗元件、采用先進的封裝技術(shù)（如飛兆半導體的MicroPak封裝技術(shù)）等方式來降低功耗。此外，系統(tǒng)設(shè)計人員還可以通過合理的電源管理策略（如動態(tài)電壓調(diào)整、電源門控等）來進一步降低功耗，從而延長電池壽命。

綜上所述，混合電壓供電的移動設(shè)計需要關(guān)注輸入電壓與電源電壓的關(guān)系以及功耗優(yōu)化與電池壽命延長這兩個關(guān)鍵細節(jié)。通過采用低ICCT門電路、優(yōu)化電路設(shè)計、選擇低功耗元件以及實施合理的電源管理策略等措施，可以顯著提升移動設(shè)備的性能和續(xù)航能力。