原標題：650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產器件重載時溫度更低

關于650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產器件在重載時溫度更低的現(xiàn)象，可以從以下幾個方面進行詳細分析：

一、測試背景與目的

650V 60mΩ SiC MOSFET作為一種高性能的功率半導體器件，廣泛應用于光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等領域。隨著電動汽車市場的快速增長（據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%），對SiC MOSFET的需求也在不斷增加。為了驗證國產SiC MOSFET在高溫重載條件下的性能表現(xiàn)，國內廠商如派恩杰半導體等進行了相關的高溫性能測試對比。

二、測試平臺與方法

派恩杰半導體采用自主設計的Buck-Boost效率測試平臺對650V 60mΩ SiC MOSFET進行了高溫性能對比測試。該測試平臺用于650V/1200V TO247-4 分立SiC MOSFET的開環(huán)功率實驗、器件系統(tǒng)效率和溫升性能測試、雙脈沖測試以及電池充放電系統(tǒng)。測試平臺最大輸入電壓可達800Vdc，輸出400Vdc，可工作在Buck模式或者Boost模式。

三、測試結果分析

在測試中，派恩杰半導體選擇了其650V 60mΩ產品P3M06060K4與某國際知名品牌（C品牌）的4pin 650V 60mΩ SiC MOSFET進行對比。測試結果顯示，在高溫重載條件下，國產P3M06060K4器件表現(xiàn)出更優(yōu)的性能：

1. 溫度表現(xiàn)：

• 在100kHz條件下，當輸出功率達到4kW時，P3M06060K4器件的溫度為86℃，而C品牌器件的溫度為96℃。隨著功率的增加，P3M06060K4器件在更高功率（如4.7kW）下才達到100℃的溫度，而C品牌器件的溫度始終保持在96℃左右。

• 在65kHz條件下，類似的結果也被觀察到。在4.3kW時，P3M06060K4器件的溫度為80℃，而C品牌器件的溫度達到102℃。當功率增加到5kW時，P3M06060K4器件的溫度才接近100℃。

2. 效率表現(xiàn)：

• 在輕載時，兩款器件的效率基本一致，均達到99%。但在重載時，P3M06060K4器件的效率更高。

四、原因分析

P3M06060K4器件在高溫重載條件下表現(xiàn)出更優(yōu)的性能，主要得益于其較低的導通電阻（Rdson）隨溫度變化的特性。在高溫下，P3M06060K4器件的導通損耗更小，從而減少了熱量的產生和溫度的上升。

五、結論

綜上所述，國產650V 60mΩ SiC MOSFET在高溫重載條件下表現(xiàn)出更低的溫度和更高的效率，這證明了國產SiC MOSFET在性能上已經達到甚至超過了國際一流水平。隨著技術的不斷進步和市場的擴大，國產SiC MOSFET有望在更多領域得到廣泛應用。