原標(biāo)題：東芝GT20N135SRA硅n通道IGBT的介紹、特性、及應(yīng)用

東芝GT20N135SRA硅n通道IGBT是一款高性能的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），以下是對(duì)其介紹、特性及應(yīng)用的詳細(xì)分析：

一、介紹

東芝GT20N135SRA硅n通道IGBT是第6.5代IGBT產(chǎn)品，由東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社推出。這款I(lǐng)GBT集成了自由二極管（FWD）在IGBT芯片中，形成了單片集成的結(jié)構(gòu)。它專為需要高電壓、高電流以及高效率的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)，如電壓諧振逆變器、軟開關(guān)電路、感應(yīng)灶臺(tái)以及家用電器等。

二、特性

東芝GT20N135SRA硅n通道IGBT具有一系列優(yōu)異的特性，主要包括：

1. 低飽和電壓：該IGBT具有較低的飽和電壓，典型值為1.60V（在不同條件下可能有所變化，如某些資料中提及的1.75V），這有助于減少導(dǎo)通損耗，提高能效。

2. 高溫工作能力：其最大結(jié)溫高達(dá)175°C，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，拓寬了應(yīng)用范圍。

3. 高速切換能力：具備快速切換能力，IGBT的t(f)（關(guān)斷時(shí)間）典型值為0.25μs，這有助于提升系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度和效率。

4. 低結(jié)殼熱阻：結(jié)殼熱阻較低，有助于散熱，減少熱應(yīng)力對(duì)器件的影響，提高系統(tǒng)可靠性。

5. 增強(qiáng)的導(dǎo)通損耗特性：IGBT和二極管都針對(duì)高溫條件下的導(dǎo)通損耗特性進(jìn)行了優(yōu)化，有助于降低設(shè)備功耗。

6. 較大的安全工作范圍：相比前代產(chǎn)品，其安全工作范圍有所擴(kuò)大，使得設(shè)備設(shè)計(jì)更加靈活和簡(jiǎn)化。