原標題：SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？

SiC MOSFET替代Si MOSFET時，在只有單電源正電壓的情況下實現(xiàn)負壓，可以通過在驅(qū)動回路中增加少量元件來產(chǎn)生所需的負壓。以下是一些具體的實現(xiàn)方案：

方案一

1. 元件選擇：

• 使用一個稍高于所需正壓（如+18V）的單電源。

• 選擇一個穩(wěn)壓管（如Z1）和一個二極管（如Z2），其中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓加上二極管的導通壓降應等于所需的正壓（如+15V）。

• 使用一個電容（如C10）來存儲負壓。

2. 工作原理：

• 當開關管導通時，穩(wěn)壓管和二極管共同作用，將電壓穩(wěn)定在+15V左右。此時，電容上會有相應的壓降（如3V），形成負壓。

• 當開關管關斷時，驅(qū)動芯片內(nèi)部的下管導通，加在GS（柵極和源極）上的電壓即為電容上的電壓，即-3V。

3. 注意事項：

• 需要確保電路在第一次工作前，電容C10上的電壓已經(jīng)通過某種方式（如預充電）穩(wěn)定在-3V，以避免被干擾誤開通。

方案二

1. 元件選擇：

• 使用一個穩(wěn)定負壓的穩(wěn)壓管（如Z1，穩(wěn)定電壓為-3V）。

• 同樣使用一個電容（如C10）來存儲負壓。

2. 工作原理：

• 當電路開通時，穩(wěn)壓管Z1穩(wěn)定驅(qū)動用的負壓，電容C10上保持穩(wěn)定的-3V電壓。

• 同時，驅(qū)動正壓保持為所需的電壓（如+15V）。

• 當需要關斷時，加在GS上的電壓即為電容C10上的電壓，即-3V。

3. 注意事項：

• 同樣需要確保電容C10在電路第一次工作前已經(jīng)預充電至穩(wěn)定的負壓。

綜合考慮

• 預充電：為了確保電路在未工作時也能保持穩(wěn)定的負壓，可以通過增加一個電阻R1進行上拉，使電容C10在上電后立即進行預充電，穩(wěn)定在所需的負壓值。

• 適用場景：這兩種方案均適用于SiC MOSFET在只有單電源正電壓時的負壓實現(xiàn)，且所需元件較少，成本較低。

• 其他注意事項：在實現(xiàn)過程中，還需注意元件的選擇和電路的布局，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。

以上方案均基于現(xiàn)有技術和實踐經(jīng)驗，但具體實現(xiàn)時可能需要根據(jù)實際情況進行調(diào)整和優(yōu)化。同時，隨著技術的發(fā)展和新的解決方案的出現(xiàn)，未來可能還會有更簡便、更高效的實現(xiàn)方式。