原標(biāo)題：意法半導(dǎo)體STL52N60DM6 600v STPOWER MOSFET MDmesh DM6系列的介紹、特性、及應(yīng)用

意法半導(dǎo)體 STL52N60DM6 是采用 PowerFLAT 8×8 HV 封裝的 N 通道 600V STPOWER MOSFET，屬于 MDmesh DM6 系列。以下是其介紹、特性及應(yīng)用：

介紹：

這種高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢復(fù)二極管系列的一部分。與之前的 MDmesh 快速一代相比，DM6 結(jié)合了非常低的恢復(fù)電荷（Qrr）、恢復(fù)時(shí)間（trr）和每面積 RDS(on)的出色改進(jìn)，以及市場(chǎng)上最有效的開關(guān)行為之一，適用于要求最苛刻的高效電橋拓?fù)浜?ZVS 相移轉(zhuǎn)換器。

特性：

• 快速恢復(fù)體二極管；

• 與上一代相比，每個(gè)區(qū)域的 RDS(on)更低，典型值為 72mΩ；

• 低柵極電荷、輸入電容和電阻；

• 100%雪崩測(cè)試；

• 極高的 dv/dt 耐用性，峰值二極管恢復(fù)電壓斜率可達(dá) 100V/ns，MOSFET dv/dt 耐用性為 100V/ns；

• 齊納保護(hù)；

• 額外的驅(qū)動(dòng)源引腳帶來出色的開關(guān)性能；

• 連續(xù)漏極電流在 TC=25°C 時(shí)為 45A，在 TC=100°C 時(shí)為 28A；

• 脈沖漏極電流（受安全工作區(qū)域限制）達(dá) 128A；

• 總功耗在 TC=25°C 時(shí)為 174W；

• 存儲(chǔ)溫度范圍為-55°C 至 150°C；

• 工作結(jié)溫范圍較廣。

應(yīng)用：

• 切換應(yīng)用程序；

• 可用于電動(dòng)汽車充電樁、電信設(shè)備或數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器等領(lǐng)域；

• 適用于全橋和半橋拓?fù)?、零電壓開關(guān)（ZVS）相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個(gè)穩(wěn)定可靠的二極管來處理動(dòng)態(tài) dv/dt 的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

MDmesh DM6 系列屬于 STPOWER?產(chǎn)品組合，全系共有多款產(chǎn)品，額定輸出電流范圍較寬，柵極電荷、RDS(ON)電阻有所不同，采用了包括新的低電感無引線 TO-LL、PowerFLAT 8×8 HV、D2PAK、TO-220 和 TO-247 等主流的功率封裝，其中 TO-247 配備短引線、長引線或 Kelvin 引腳，適合有精密電流檢測(cè)需求的應(yīng)用。該系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。