原標(biāo)題：Vishay / Siliconix SiHH080N60E E系列功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用

Vishay Siliconix的SiHH080N60E是E系列功率MOSFET中的一款產(chǎn)品，它采用先進(jìn)的封裝技術(shù)和材料設(shè)計(jì)，為電信、工業(yè)及計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度的解決方案。

特性

1. 封裝與尺寸：SiHH080N60E采用頂部冷卻的PowerPAK 8x8LR封裝，其尺寸為10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm。與D2PAK封裝相比，其占位面積減小了50.8%，高度降低了66%，極大地節(jié)省了空間并提高了功率密度。

2. 熱性能：由于采用頂部冷卻設(shè)計(jì)，SiHH080N60E具有出色的熱性能，結(jié)殼熱阻極低，僅為+0.25°C/W。這允許在相同的導(dǎo)通電阻水平下，比D2PAK封裝提供高46%的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

3. 電氣性能：

• 導(dǎo)通電阻：在10V時(shí)，典型導(dǎo)通電阻為0.074歐姆，與上一代器件相比降低了27%。

• 柵極電荷：超低柵極電荷，低至42 nC，與上一代器件相比降低了60%。

• FOM（導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積）：達(dá)到業(yè)界最低的3.1 Ω*nC，有助于降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，提高能源效率。

4. 開關(guān)性能：MOSFET的有效輸出電容C(o(er))和C(o(tr))分別為79 pF和499 pF，這些值有助于提高功率因數(shù)校正（PFC）、半橋和雙開關(guān)正向設(shè)計(jì)等硬開關(guān)拓?fù)渲械拈_關(guān)性能。

5. 其他特性：封裝還提供開爾文（Kelvin）連接以提高開關(guān)效率；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素；耐受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100%通過UIS測試。

應(yīng)用

SiHH080N60E E系列功率MOSFET的典型應(yīng)用包括：

• 服務(wù)器、邊緣計(jì)算、超級(jí)計(jì)算機(jī)等高性能計(jì)算系統(tǒng)。

• 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、UPS（不間斷電源）系統(tǒng)。

• 高強(qiáng)度放電（HID）燈和熒光鎮(zhèn)流器。

• 通信SMPS（開關(guān)電源）、太陽能逆變器。

• 焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

• 電池充電器等電力電子系統(tǒng)。

總之，Vishay Siliconix的SiHH080N60E E系列功率MOSFET以其緊湊的封裝、卓越的熱性能、優(yōu)異的電氣性能和廣泛的應(yīng)用范圍，成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的理想選擇。