原標(biāo)題：三星公布 1.4nm 工藝節(jié)點(diǎn)計(jì)劃

三星已經(jīng)公布了其1.4nm工藝節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃。根據(jù)最近的搜索結(jié)果，三星在2024年6月14日舉行的相關(guān)活動(dòng)中，正式官宣了他們的半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展計(jì)劃[1][2][3][4]。

具體來(lái)說(shuō)，三星計(jì)劃于2025年開(kāi)始量產(chǎn)2nm芯片，并預(yù)計(jì)在2027年推出1.4nm工藝。這次的計(jì)劃覆蓋了多個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等版本，每一版都在提升性能的同時(shí)進(jìn)行技術(shù)深化[1][3][4]。

值得注意的是，三星的第一代2nm技術(shù)SF2預(yù)計(jì)將于2025年完成所有籌備工作，為其商業(yè)化鋪平道路。而更先進(jìn)的SF2Z節(jié)點(diǎn)則計(jì)劃在2027年投入市場(chǎng)使用，該技術(shù)整合了創(chuàng)新的后端供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)，旨在極大提升能源利用效率[1][2][3]。

除了工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)外，三星還對(duì)其多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MBCFET)架構(gòu)進(jìn)行了深度優(yōu)化。這種新型晶體管通過(guò)采用先進(jìn)的外延技術(shù)和集成方案，在性能方面取得了11%至46%的飛躍，并降低了約50%的漏電流[1][3]。

此外，三星還與Arm達(dá)成了戰(zhàn)略協(xié)作，并共同優(yōu)化基于最前沿GAA晶體管技術(shù)的下一代Arm Cortex-X和Cortex-A CPU內(nèi)核，進(jìn)一步鞏固了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位[1][3]。

總的來(lái)說(shuō)，三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展和突破，特別是其1.4nm工藝節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃，顯示了其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和持續(xù)創(chuàng)新的決心。然而，關(guān)于三星1.4nm工藝節(jié)點(diǎn)的具體實(shí)現(xiàn)和性能表現(xiàn)，還需要在未來(lái)的量產(chǎn)和實(shí)際應(yīng)用中進(jìn)行驗(yàn)證。