原標(biāo)題：意法半導(dǎo)體與Soitec合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)

意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與Soitec之間的合作開發(fā)碳化硅（SiC）襯底制造技術(shù)是一項具有戰(zhàn)略意義的合作項目。以下是關(guān)于這次合作的詳細(xì)概述：

1. 合作背景與目標(biāo)：

• 意法半導(dǎo)體與Soitec宣布了下一階段的碳化硅（SiC）襯底合作計劃。

• 此次合作的主要目標(biāo)是意法半導(dǎo)體采用Soitec的SmartSiC技術(shù)制造未來的8英寸碳化硅襯底，從而推動公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務(wù)，并在中期實現(xiàn)量產(chǎn)。

2. 碳化硅（SiC）襯底的重要性：

• 碳化硅是一種顛覆性的化合物半導(dǎo)體材料，尤其在電動汽車和工業(yè)制程領(lǐng)域重要的高增長功率應(yīng)用中，碳化硅材料的固有性質(zhì)使得碳化硅器件的性能和能效優(yōu)于硅基半導(dǎo)體。

• 碳化硅能實現(xiàn)更高效的電源轉(zhuǎn)換、更緊湊的輕量化設(shè)計，并節(jié)省整體系統(tǒng)設(shè)計成本，這些都是汽車和工業(yè)系統(tǒng)成功的關(guān)鍵參數(shù)和要素。

1. 技術(shù)細(xì)節(jié)與優(yōu)勢：

• SmartSiC是Soitec的專有技術(shù)，基于其專有的SmartCut技術(shù)。該技術(shù)從高質(zhì)量碳化硅供體晶圓上切下一個薄層，然后將其粘合到待處理的低電阻多晶硅晶圓片表面。這樣加工后的襯底可有效提高芯片的性能和制造良率。

• 優(yōu)質(zhì)的碳化硅供體晶圓可以多次重復(fù)使用，因此可以大幅降低供體加工的總能耗。

• 從6英寸晶圓升級到8英寸晶圓，可以使制造集成電路的可用面積增加幾乎一倍，每個晶圓上的有效出片量達(dá)到升級前的1.8-1.9倍，從而大幅增加產(chǎn)能。

2. 投資與產(chǎn)能規(guī)劃：

• 意法半導(dǎo)體計劃在意大利建造一座價值7.3億歐元（約合人民幣50.28億元）的襯底項目，預(yù)計年產(chǎn)超過37萬片，借此實現(xiàn)40%碳化硅襯底的自主供應(yīng)。

• 這項為期五年的投資將于2026年完成，并得到意大利2.925億歐元的公共資金的支持，作為該國國家恢復(fù)和復(fù)原計劃的一部分，并獲得歐盟委員會的批準(zhǔn)。

3. 市場影響：

• 此次合作標(biāo)志著碳化硅技術(shù)的進(jìn)一步成熟和廣泛應(yīng)用，將對電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

• 碳化硅襯底的大規(guī)模生產(chǎn)將促進(jìn)碳化硅器件的普及和成本的降低，進(jìn)一步推動電動汽車和工業(yè)系統(tǒng)的電氣化進(jìn)程。

綜上所述，意法半導(dǎo)體與Soitec的合作開發(fā)碳化硅襯底制造技術(shù)是一項具有深遠(yuǎn)影響的項目，將推動碳化硅技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，為電動汽車和工業(yè)系統(tǒng)的電氣化進(jìn)程提供有力支持。