安派瑞PSMN071-100NSE n通道ASFET專為繼電器更換、浪涌管理和電池管理應用而設計。該ASFET包括一個增強的安全操作區(qū)域(SOA)，用于優(yōu)越的線性模式操作。PSMN071-100NSE n溝道ASFET提供低漏源導通狀態(tài)電阻，具有低I(2)R導通損耗。該ASFET的最大漏源電壓為100V，最大漏源電流為9.8A，最大總功耗為31W，最大結溫為175℃。PSMN071-100NSE n通道ASFET采用緊湊的2mm x 2mm DFN2020封裝，具有增強的SOA。除此之外，其他值得注意的應用包括IEEE802.3at和專有PoE解決方案、WIFI 熱點、5G皮蜂窩和CCTV。

特性

• 增強的安全操作區(qū)域(SOA)為優(yōu)越的線性模式操作

• 低漏源導通狀態(tài)電阻低I(2)R導通損耗

• 2mm × 2mm節(jié)省空間的DFN2020封裝

• 極低漏極漏電流

• 歐盟/ CN通過無鉛認證

規(guī)范

• 最大漏源電壓100V

• 9.8A最大漏極電流

• 最大總功耗31W

• 最大非重復雪崩電流

• 175°C最高結溫

• 260°C峰值焊接溫度

應用程序

• IEEE802.3at和專有PoE解決方案

• 侵入管理

• eFuse應用程序

• 電池管理應用

• 繼電器替代

• WIFI熱點

• 5克微微細胞

• 中央電視臺