Transphorm TP65H300G4LSGB 650V SuperGaN 氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)管是一種240毫歐正常關(guān)閉器件，采用8x8 PQFN封裝。該GaN FET采用Transphorms Gen IV平臺(tái)，該平臺(tái)結(jié)合了先進(jìn)的epi和專利設(shè)計(jì)技術(shù)，以簡(jiǎn)化可制造性。TP65H300G4LSGB GaN場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。這種氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)降低柵極電荷、輸出電容、交叉損耗和反向恢復(fù)電荷來(lái)提高效率。典型應(yīng)用包括消費(fèi)類、電源適配器、低功耗SMPS和照明。

特性

• 第四代科技

• 通過(guò)jedec認(rèn)證的GaN技術(shù)

• 動(dòng)態(tài)RDS(on)eff)生產(chǎn)測(cè)試

• 穩(wěn)健設(shè)計(jì)，定義如下:

• 寬柵極安全裕度

• 瞬態(tài)過(guò)電壓能力

• 非常低的Q(RR)

• 降低交叉損耗

• 提高了硬開關(guān)和軟開關(guān)電路的效率

• 提高功率密度

• 減小系統(tǒng)尺寸和重量

• 整體較低的系統(tǒng)成本

• 易于驅(qū)動(dòng)與常用的柵極驅(qū)動(dòng)器

• GSD引腳布局改善了高速設(shè)計(jì)

• 符合rohs標(biāo)準(zhǔn)和無(wú)鹵素包裝

規(guī)范

• 650V漏源電壓V(DSS)

• 800V瞬態(tài)漏源電壓V(DSS(TR))

• ±12V門源電壓VGSS

• 21W最大功率耗散(PD) @T(C)=25℃

• 連續(xù)漏極電流I(D):

• @T 6.5 (C) = 25°C

• @T 4.1 (C) = 100°C

• 30A脈沖漏極電流I(DM)(脈沖寬度:10μs)

• 2V ~ 2.8V柵極閾值電壓V(GS)范圍

• 漏源極導(dǎo)通電阻:

• 240毫歐 ~ 312毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=25℃)

• 492毫歐 (V(GS)=6V, I(D)=6.5A, T(J)=150℃)

• 典型電容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):

• 730 pf輸入

• 16 pf輸出

• 2pF反向轉(zhuǎn)移

• 充電(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):

• 8.8nC柵極總電荷

• 2.5nC柵極源電荷

• 1.2nC柵漏電荷

• 38nC輸出電荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)

應(yīng)用程序

• 消費(fèi)者

• 電源適配器

• 低功率SMPS

• 照明