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WINBOND w25q128jvsiq FLASH存儲器中文資料

來源:
2024-06-04
類別:基礎(chǔ)知識
eye 431
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

WINBOND W25Q128JVSQ FLASH存儲器詳解

一、W25Q128JVSQ型號概述

W25Q128JVSQ是由Winbond(華邦)公司生產(chǎn)的一款128Mbit(16MB)串行閃存(Serial Flash Memory),它采用SPI(Serial Peripheral Interface)總線協(xié)議進(jìn)行通信。該存儲器具有高性能和低功耗的特點,廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中,如消費類電子、通信設(shè)備、汽車電子等。

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型號后綴含義

W25Q128JVSQ的型號后綴“JVSQ”代表了不同的參數(shù)和特性:

  • J:工作電壓范圍為2.7V至3.6V

  • V:工作溫度范圍為-40°C至+85°C(工業(yè)級)

  • S:8引腳SOIC封裝

  • Q:支持標(biāo)準(zhǔn)SPI、雙SPI和四SPI接口

中文描述: Winbond 閃存芯片,128Mbit(16M x 8),SPI接口,8引腳SOIC封裝

英文描述: Flash,16MX8,PDSO8,SOIC-8

W25Q128JVSIQ中文參數(shù)

存儲器大小128Mbit長度5.38mm
接口類型SPI高度1.91mm
封裝類型SOIC寬度5.38mm
引腳數(shù)目8尺寸5.38 x 5.38 x 1.91mm
組織16M x 8最低工作溫度-40 °C
安裝類型表面貼裝最高工作溫度+85 °C
最小工作電源電壓2.7 V每字組的位元數(shù)目8Bit
最大工作電源電壓3.6 V字組數(shù)目16M

128 MB串行閃存,具有統(tǒng)一的4 KB扇區(qū)和雙路/四路SPI

單路/雙路/四路SPI操作

統(tǒng)一的4 KB可擦除扇區(qū)和32 KB/64 KB可擦除塊

65536頁(256字節(jié)),頁編程時間為0.7 mS(典型值)

連續(xù)讀取,8/16/32/64字節(jié)包繞

時鐘工作頻率高達(dá)133 MHz(雙路/四路SPI時分別為266/532 MHz)

2.7至3.6 V電源

<1μA斷電電流

-40°C至+85°C工作范圍

編程/擦除暫停/恢復(fù)、暫停狀態(tài)位

工廠編程的唯一ID

具有雙路/四路SPI的電子ID,為頂部或底部塊提供硬件和軟件寫入保護

易失和非易失狀態(tài)寄存器位

鎖定和OTP保護

串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP)

3 x 256字節(jié)安全寄存器,帶OTP鎖

補充陣列保護位

單個塊/扇區(qū)寫入保護

軟件重置和可配置硬件/復(fù)位引腳

可編程輸出驅(qū)動器強度

二、工作原理

基本結(jié)構(gòu)

W25Q128JVSQ內(nèi)部主要由以下幾部分組成:

  1. 存儲陣列:由多個存儲單元組成,用于存儲數(shù)據(jù)。

  2. 命令控制器:用于接收和解析來自主機的命令。

  3. 地址寄存器:存儲當(dāng)前讀寫操作的地址。

  4. 數(shù)據(jù)寄存器:暫存讀寫數(shù)據(jù)。

  5. 狀態(tài)寄存器:用于指示設(shè)備的狀態(tài)和設(shè)置操作模式。

通信接口

W25Q128JVSQ通過SPI接口與主機進(jìn)行通信。SPI是一種全雙工的同步串行通信協(xié)議,由主設(shè)備(通常是MCU)和從設(shè)備(如Flash存儲器)組成。通信時鐘(SCLK)由主設(shè)備生成,數(shù)據(jù)在MOSI(Master Out Slave In)和MISO(Master In Slave Out)引腳上傳輸,CS(Chip Select)引腳用于選擇從設(shè)備。

讀寫操作

  1. 讀操作:主機發(fā)送讀命令和目標(biāo)地址,存儲器響應(yīng)并通過MISO引腳返回數(shù)據(jù)。支持標(biāo)準(zhǔn)讀取、快速讀取和高效讀取模式。

  2. 寫操作:主機發(fā)送寫命令、目標(biāo)地址和數(shù)據(jù),存儲器接收數(shù)據(jù)并將其寫入存儲單元。寫操作前需先執(zhí)行寫使能命令以解鎖寫保護。

擦除操作

存儲器的數(shù)據(jù)擦除以塊為單位進(jìn)行,支持以下幾種擦除操作:

  • 芯片擦除:擦除整個存儲器

  • 扇區(qū)擦除:擦除4KB的扇區(qū)

  • 塊擦除:擦除32KB或64KB的塊

擦除/寫入周期

W25Q128JVSQ的擦寫周期壽命高達(dá)10萬次,數(shù)據(jù)保持時間長達(dá)20年,適合需要頻繁讀寫操作和長時間數(shù)據(jù)保存的應(yīng)用場景。

三、特點

  1. 高性能:支持高達(dá)104MHz的SPI時鐘頻率,快速讀取速度可達(dá)80MB/s。

  2. 低功耗:待機電流低至1μA,功耗管理功能強大,適合電池供電的便攜設(shè)備。

  3. 數(shù)據(jù)保護:具備硬件和軟件兩種寫保護機制,防止數(shù)據(jù)被意外修改。

  4. 靈活性:支持標(biāo)準(zhǔn)SPI、雙SPI和四SPI接口,兼容多種主控設(shè)備。

  5. 可靠性:高擦寫耐久性和長數(shù)據(jù)保存時間,確保數(shù)據(jù)長期可靠存儲。

四、應(yīng)用

W25Q128JVSQ廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  1. 消費電子:如智能手機、平板電腦、智能手表等,存儲操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。

  2. 通信設(shè)備:如路由器、交換機等,存儲固件和配置文件。

  3. 汽車電子:如汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、車載娛樂系統(tǒng)等,存儲地圖數(shù)據(jù)和多媒體內(nèi)容。

  4. 工業(yè)控制:如PLC、HMI等,存儲控制程序和操作數(shù)據(jù)。

  5. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備:如智能家居設(shè)備、傳感器等,存儲固件和數(shù)據(jù)記錄。

五、參數(shù)

電氣特性

  • 工作電壓:2.7V - 3.6V

  • 工作溫度:-40°C - +85°C

  • 待機電流:1μA(典型值)

  • 讀取電流:25mA(最大值)

  • 寫入電流:50mA(最大值)

性能指標(biāo)

  • 存儲容量:128Mbit(16MB)

  • SPI時鐘頻率:最高104MHz

  • 讀取速度:最高80MB/s

  • 擦寫耐久性:100,000次擦寫周期

  • 數(shù)據(jù)保持時間:20年

封裝形式

  • 8引腳SOIC(150mil)

  • 8引腳WSON(6x5mm)

  • 16引腳SOP(300mil)

六、總結(jié)

W25Q128JVSQ作為一款高性能、低功耗和高可靠性的串行閃存,憑借其卓越的特性和靈活的接口,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。其高耐久性和長數(shù)據(jù)保持時間確保了數(shù)據(jù)的安全性和持久性,成為許多應(yīng)用領(lǐng)域的不二選擇。通過本文的介紹,相信讀者對W25Q128JVSQ有了更深入的了解,能夠更好地在實際應(yīng)用中發(fā)揮其優(yōu)勢。

責(zé)任編輯:David

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