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時科SKJ40N65-T7超級結(jié)MOSFET,提升性能的關(guān)鍵元件

來源: 時科官方投稿
2024-06-06
類別:業(yè)界動態(tài)
eye 25
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

  超級結(jié)MOS(Super Junction MOSFET)在微型儲能、家用電器、汽車電子和工業(yè)控制等應(yīng)用廣泛,但什么樣標(biāo)準(zhǔn)的超級結(jié)MOS能夠為應(yīng)用場景有效保駕護航,超級結(jié)MOS的選型要求及標(biāo)準(zhǔn)主要包括以下幾個方面:

  電流和電壓額定值

  電壓額定值(VDS):

  MOSFET的漏源電壓必須高于電路中的最大工作電壓。常見電壓等級如600V、650V、700V等應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用的工作電壓來選擇。例如,對于微型儲能、家用電器設(shè)備,650V的MOSFET通常是合適的選擇。

  電流額定值(ID):

  需要根據(jù)應(yīng)用中的最大負載電流來確定MOSFET的額定電流,確保其能夠在最大負載下安全運行。對于微型儲能、家用電器,高電流額定值通常能更好地滿足大功率需求。

  導(dǎo)通電阻(Rds(on))

  低導(dǎo)通電阻:

  低導(dǎo)通電阻能夠減少導(dǎo)通損耗,提高效率。需要在特定的柵極電壓和漏極電流條件下選擇具有盡可能低的RDS(on)的MOSFET。例如,時科的SKJ40N65-T7在VGS=10V、ID=20A時的RDS(on)不超過99mΩ,是一個低導(dǎo)通電阻的優(yōu)秀選擇

  開關(guān)性能

  開關(guān)速度:

  需要選擇具有快速開關(guān)速度的MOSFET,以適應(yīng)高頻應(yīng)用。超結(jié)eiMOS通常具有較短的上升時間、下降時間和開關(guān)延遲時間,適合高頻操作。

  柵極電荷(Qg):

  低柵極電荷能夠降低驅(qū)動損耗,提升整體效率。

  熱管理

  熱阻(RθJA, RθJC):

  MOSFET的熱阻參數(shù)決定其散熱能力,低熱阻能更好地將熱量傳導(dǎo)出去,防止過熱。

  封裝類型:

  選擇合適的封裝類型(如TO-220、D2PAK、TO-247等)以滿足散熱和空間要求。例如,SKJ40N65-T7采用TO-247-3封裝,具有良好的散熱性能。

  安全裕度

  雪崩能量(EAS):

  確保MOSFET具有足夠的雪崩能量能力,以應(yīng)對意外的過電壓情況。

  SOA(安全工作區(qū)):

  需要在各種工作條件下都能安全運行。

  其他關(guān)鍵參數(shù)

  其他關(guān)鍵參數(shù):

  輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)和反向恢復(fù)時間(trr):這些參數(shù)影響MOSFET的動態(tài)性能,選擇時需要綜合考慮電路的具體要求。超高速體二極管的反向恢復(fù)時間快,可以提高整體效率。

  超結(jié)MOS的選型需要綜合考慮電壓和電流額定值、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度、熱管理、安全裕度、寄生參數(shù)以及應(yīng)用的具體需求,選擇合適的產(chǎn)品以確保最佳性能和可靠性。通過對上述的認知了解,我們對超級結(jié)MOS選型有了標(biāo)準(zhǔn),那時科又有怎樣的超級結(jié)MOS能夠 安全、低功耗、高性能的為應(yīng)用場景服務(wù)。

image.png

  SKJ40N65-T7 超級結(jié)MOSFET 主要特性

  漏源電壓(VDS): 650V

  連續(xù)漏極電流(ID): 40A

  封裝類型: TO-247-3

  閾值電壓(VGS(th): 2~4V

  導(dǎo)通電阻(RDS(on)): 在VGS=10V、ID=20A的條件下不超過99mΩ

  超高速體二極管: 反向恢復(fù)時間更快,提高工作效率

image.png

  技術(shù)優(yōu)勢

  低導(dǎo)通電阻: 超級結(jié)構(gòu)技術(shù)專門用于最小化導(dǎo)通狀態(tài)電阻,在高電壓下也能保持低導(dǎo)通電阻,有效減少開關(guān)損耗。

  高開關(guān)性能: 優(yōu)秀的開關(guān)性能使其能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,減少開關(guān)損耗,提高整體效率。

  高能量耐受: 在雪崩和換相模式下能夠承受高能量脈沖,提高器件的可靠性。

  超高速體二極管: 反向恢復(fù)時間快,進一步提高工作效率,特別適合高頻開關(guān)電路。

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  典型應(yīng)用

  01:家用電器

  高效率電源管理:低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度減少熱量生成,提高整體系統(tǒng)效率。

  EMI性能良好:低噪聲開關(guān)特性有助于減少電磁干擾,適應(yīng)高標(biāo)準(zhǔn)的顯示設(shè)備要求。

  02:微型儲能

  高效率和低待機功耗:低RDS(on)和低Qg特性提高充電器效率,減少能耗。

  封裝和散熱能力:TO-247-3封裝具有良好的散熱性能,適用于高頻、高功率輸出的產(chǎn)品領(lǐng)域。

  03:工業(yè)電源

  高耐壓低阻抗:高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特性使其能夠在電力供應(yīng)應(yīng)用中穩(wěn)定運行,提供可靠的電力傳輸。

  關(guān)于時科

  時科是全球知名的半導(dǎo)體分立元器件廠商之一,主要為工程師與設(shè)計人員提供各種半導(dǎo)體產(chǎn)品與軟件。

  應(yīng)用行業(yè):汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、航空、儲能、快充、電源;

  應(yīng)用場景:信號檢測和整流、電流調(diào)節(jié)和開關(guān)電路、電源管理和保護電路、高效電源轉(zhuǎn)換和充電系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、防靜電保護電機控制、開關(guān)電源和放大器;

  產(chǎn)品類目:二極管、三極管、肖特基、碳化硅肖特基、氮化鎵IC、鋰電池保護IC、IGBT、ESD保護管、整流管、MOSFET等40多個細分品類,超過5000款單品;


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: SKJ40N65-T7 MOSFET 時科

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