意法半導(dǎo)體 LM211DT 模擬比較器

LM211DT 是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的高性能模擬比較器。它屬于 LM211 系列，系列中還有 LM211、LM211D 和 LM211DR 等型號(hào)。每個(gè)型號(hào)之間的主要差異在于封裝形式和溫度范圍。LM211DT 是雙列直插式封裝（DIP）類型，適用于各種應(yīng)用場(chǎng)合。

LM211 系列中的其它型號(hào)，如 LM211D 和 LM211DR，分別對(duì)應(yīng)于不同的封裝形式和特性。LM211 是基本型號(hào)，適用于通用比較應(yīng)用，LM211D 和 LM211DR 則提供了更高的集成度和不同的工作溫度范圍。用戶可根據(jù)具體應(yīng)用需求選擇合適的型號(hào)，以實(shí)現(xiàn)最佳性能。

中文描述： 模擬比較器，軌至軌，電壓，1個(gè)比較器，200 ns，5V至±15V，SOIC，8引腳

英文描述： Comparator Single±15V/30V 8-Pin SO N T/R

數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://www.kmzr.net.cn/data/k01-309950-LM211DT.html

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LM211DT中文參數(shù)

LM211DT概述

LM211DT是一款電壓比較器，具有低輸入電流和選通脈沖。它還被設(shè)計(jì)為可以在很寬的電源電壓范圍內(nèi)工作，從標(biāo)準(zhǔn)±15V運(yùn)算放大器電源到用于IC邏輯的5V單電源。它的輸出與RTL-DTL和TTL以及MOS電路兼容，并且可以在高達(dá)50mA的輸出電流下切換高達(dá)50V的電壓。

±30V差分輸入電壓范圍

±15V功耗時(shí)為135mW

150nA最大輸入電流

20nA最大失調(diào)電流

應(yīng)用

自動(dòng)化與過程控制，傳感與儀器

工作原理

LM211DT 模擬比較器的工作原理基于比較兩個(gè)輸入電壓信號(hào)的大小，并在輸出端產(chǎn)生相應(yīng)的電壓信號(hào)。具體來說，LM211DT 內(nèi)部包含一個(gè)高增益的差動(dòng)放大器，具有兩個(gè)輸入端：同相輸入端（V+）和反相輸入端（V-）。當(dāng)同相輸入電壓（V+）高于反相輸入電壓（V-）時(shí)，輸出端輸出高電平；反之，當(dāng)同相輸入電壓（V+）低于反相輸入電壓（V-）時(shí)，輸出端輸出低電平。

該比較器具有單電源和雙電源工作模式，單電源時(shí)的工作電壓范圍為 3V 至 32V，雙電源時(shí)的工作電壓范圍為 ±1.5V 至 ±16V。內(nèi)部設(shè)計(jì)包括一個(gè)電流鏡結(jié)構(gòu)，確保輸出級(jí)的快速響應(yīng)和高驅(qū)動(dòng)能力，適合處理高速信號(hào)。

LM211DT 還具備良好的輸入失調(diào)電壓特性，使其在低電平信號(hào)比較中保持高精度。此外，輸入失調(diào)電流和偏置電流都非常低，進(jìn)一步提高了比較器的精度和穩(wěn)定性。

特點(diǎn)

LM211DT 模擬比較器具有以下主要特點(diǎn)：

1. 高速響應(yīng)：LM211DT 的響應(yīng)時(shí)間非常短，典型值為 200ns，適用于需要快速響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)合。

2. 低輸入失調(diào)電壓：典型值為 2mV，確保在低電平信號(hào)下也能保持高精度。

3. 寬電源電壓范圍：支持 3V 至 32V 的單電源工作模式，或者 ±1.5V 至 ±16V 的雙電源工作模式，適應(yīng)各種應(yīng)用需求。

4. 低功耗：典型工作電流為 1.1mA，有效降低系統(tǒng)功耗。

5. 高共模抑制比（CMRR）：共模抑制比典型值為 85dB，確保在存在共模信號(hào)干擾時(shí)仍能穩(wěn)定工作。

6. 寬溫度范圍：工作溫度范圍為 -40°C 至 85°C，適合在嚴(yán)苛環(huán)境中使用。

應(yīng)用

LM211DT 的多種特點(diǎn)使其在廣泛的應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色，具體應(yīng)用包括但不限于：

1. 電壓比較器：用于對(duì)兩個(gè)電壓信號(hào)進(jìn)行比較，如零交越檢測(cè)和電壓窗口檢測(cè)。

2. 信號(hào)整形和波形發(fā)生器：用于將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，如在脈沖寬度調(diào)制（PWM）電路中使用。

3. 過壓和欠壓保護(hù)電路：監(jiān)測(cè)電源電壓，當(dāng)電壓超出設(shè)定范圍時(shí)，產(chǎn)生警報(bào)或保護(hù)信號(hào)。

4. 振蕩器和定時(shí)電路：與外部元件配合，用于產(chǎn)生精確的時(shí)間間隔和振蕩頻率。

5. 電平檢測(cè)和電平轉(zhuǎn)換：用于檢測(cè)特定電平信號(hào)并觸發(fā)后續(xù)電路動(dòng)作。

6. 工業(yè)自動(dòng)化：用于傳感器信號(hào)處理和控制系統(tǒng)，確保系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和響應(yīng)速度。

參數(shù)

LM211DT 的關(guān)鍵參數(shù)如下：

1. 輸入失調(diào)電壓（V_OS）：最大值 7mV，典型值 2mV。

2. 輸入失調(diào)電流（I_OS）：最大值 50nA，典型值 20nA。

3. 輸入偏置電流（I_B）：最大值 250nA，典型值 100nA。

4. 響應(yīng)時(shí)間（t_RESP）：典型值 200ns。

5. 電源電流（I_CC）：典型值 1.1mA。

6. 共模抑制比（CMRR）：典型值 85dB。

7. 電源電壓范圍（V_CC）：?jiǎn)坞娫?3V 至 32V，雙電源 ±1.5V 至 ±16V。

8. 工作溫度范圍（T_A）：-40°C 至 85°C。

總結(jié)

意法半導(dǎo)體的 LM211DT 模擬比較器是一款性能優(yōu)越、適用范圍廣泛的電子元件。其高速響應(yīng)、低輸入失調(diào)電壓和寬電源電壓范圍使其在各類應(yīng)用中都能表現(xiàn)出色，特別適用于需要快速、精確信號(hào)比較的場(chǎng)合。通過選擇合適的型號(hào)和封裝形式，用戶可以在不同應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最佳性能，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。