安森美BSS138 MOS管中文資料

一、型號(hào)類型及概述

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一，提供全面的半導(dǎo)體解決方案。BSS138是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。

BSS138 MOS管屬于小信號(hào)MOSFET，主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度。該器件采用SOT-23封裝，非常適合表面貼裝技術(shù)，廣泛用于低電壓開(kāi)關(guān)和信號(hào)處理應(yīng)用。其主要型號(hào)有標(biāo)準(zhǔn)型、增強(qiáng)型等，這些型號(hào)在電氣特性上有所差異，但在基本結(jié)構(gòu)和工作原理上是一致的。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：MOS管

中文描述： MOSFET，N溝道，Si，Vds=50 V，220 mA，3引腳SOT-23封裝

英文描述： MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23

數(shù)據(jù)手冊(cè)：http://www.kmzr.net.cn/data/k02-36773881-BSS138.html

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BSS138中文參數(shù)

BSS138概述

BSS138是采用飛兆半導(dǎo)體專有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)的50V N通道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該器件的設(shè)計(jì)旨在最大程度地降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)提供堅(jiān)固，可靠和快速的開(kāi)關(guān)性能。它特別適用于低電壓，低電流應(yīng)用，例如小型伺服電機(jī)控制，功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器和其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品是一般用途，適用于許多不同的應(yīng)用。

高密度電池設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)

堅(jiān)固可靠

±20V柵極電源電壓(VGSS)

350°C/W熱阻，與環(huán)境連接

應(yīng)用

工業(yè)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制，電源管理

二、工作原理

MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。BSS138作為N溝道增強(qiáng)型MOSFET，其工作原理如下：

1. 結(jié)構(gòu)：BSS138由P型襯底、源極（S）、漏極（D）和柵極（G）組成。在P型襯底上，形成兩個(gè)N型區(qū)域，分別作為源極和漏極。柵極與源漏極之間通過(guò)二氧化硅（SiO2）絕緣層隔開(kāi)。

2. 工作機(jī)制：

• 關(guān)閉狀態(tài)：當(dāng)柵極電壓（V_GS）小于閾值電壓（V_th）時(shí)，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，漏極與源極之間的導(dǎo)通通道未形成，漏極電流（I_D）幾乎為零。

• 開(kāi)啟狀態(tài)：當(dāng)V_GS大于V_th時(shí)，柵極電場(chǎng)誘導(dǎo)在P型襯底上形成一個(gè)反型層，連接源極和漏極，形成導(dǎo)通通道。此時(shí)，漏極電流I_D與漏源電壓（V_DS）和柵源電壓（V_GS）有關(guān)。

3. 導(dǎo)通區(qū)和飽和區(qū)：

• 線性區(qū)（導(dǎo)通區(qū)）：V_DS較小，I_D與V_DS呈線性關(guān)系，主要受柵極電壓控制。

• 飽和區(qū)：V_DS較大，I_D趨于飽和，主要受柵極電壓控制。

三、特點(diǎn)

BSS138 MOS管具有以下顯著特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻：在導(dǎo)通狀態(tài)下，導(dǎo)通電阻R_DS(on)較低，減少了功率損耗。

2. 高開(kāi)關(guān)速度：開(kāi)關(guān)速度快，適用于高速開(kāi)關(guān)電路。

3. 低柵極驅(qū)動(dòng)電壓：能夠在較低的柵極電壓下實(shí)現(xiàn)開(kāi)啟，有助于節(jié)能。

4. 小封裝尺寸：SOT-23封裝，適合高密度電路板設(shè)計(jì)。

5. 高輸入阻抗：由于柵極與通道之間存在絕緣層，輸入阻抗非常高，幾乎沒(méi)有直流電流流入柵極。

四、應(yīng)用

BSS138 MOS管因其優(yōu)異的電氣特性和小型封裝，在各種電子應(yīng)用中廣泛使用：

1. 開(kāi)關(guān)電路：用于低電壓開(kāi)關(guān)電路，如電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等。

2. 信號(hào)處理：用于模擬開(kāi)關(guān)、信號(hào)放大和調(diào)制解調(diào)等電路。

3. 電源管理：用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器和電池管理系統(tǒng)。

4. 通信設(shè)備：應(yīng)用于無(wú)線通信設(shè)備的射頻開(kāi)關(guān)和低噪聲放大器。

5. 消費(fèi)電子：用于手機(jī)、筆記本電腦、智能家居設(shè)備中的電源和信號(hào)控制。

五、主要參數(shù)

了解BSS138的關(guān)鍵參數(shù)對(duì)其應(yīng)用選擇至關(guān)重要，以下是其主要參數(shù)：

1. 最大漏源電壓（V_DS）：50V - 這是漏極與源極之間可以承受的最大電壓。

2. 最大柵源電壓（V_GS）：±20V - 這是柵極與源極之間可以承受的最大電壓。

3. 最大漏極電流（I_D）：200mA - 在特定條件下，漏極可以通過(guò)的最大電流。

4. 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：1.5Ω（V_GS=10V） - 在一定柵源電壓下的導(dǎo)通狀態(tài)電阻。

5. 閾值電壓（V_th）：1-2.5V - MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通的柵源電壓。

6. 總柵極電荷（Q_g）：2nC - 用于估算柵極驅(qū)動(dòng)所需的能量。

7. 結(jié)電容（C_iss）：58pF - 反映器件的輸入電容，影響開(kāi)關(guān)速度。

8. 功耗（P_D）：300mW - 最大允許功耗，決定了器件在工作時(shí)的熱管理要求。

六、實(shí)際應(yīng)用中的注意事項(xiàng)

在實(shí)際應(yīng)用中，設(shè)計(jì)者需注意以下幾點(diǎn)，以確保BSS138的性能和可靠性：

1. 熱管理：盡管BSS138具有較高的功率密度，但在高電流和高頻率應(yīng)用中，熱管理至關(guān)重要。應(yīng)考慮散熱措施，如增加散熱銅箔或使用散熱片。

2. ESD保護(hù)：MOSFET對(duì)靜電敏感，需采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施，避免器件損壞。

3. 驅(qū)動(dòng)電路：設(shè)計(jì)合適的柵極驅(qū)動(dòng)電路，確保提供足夠的柵極電壓和驅(qū)動(dòng)電流，尤其在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)能力直接影響開(kāi)關(guān)速度和效率。

4. 電壓應(yīng)力：在設(shè)計(jì)電路時(shí)，應(yīng)確保工作電壓不超過(guò)器件的最大額定電壓，避免擊穿損壞。

總結(jié)

安森美BSS138 MOS管因其低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和小型封裝，成為低電壓開(kāi)關(guān)和信號(hào)處理應(yīng)用的理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，設(shè)計(jì)者需合理考慮熱管理、靜電防護(hù)和驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，以充分發(fā)揮其優(yōu)異性能。通過(guò)了解其關(guān)鍵參數(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域，可以更好地選擇和使用BSS138 MOS管，從而提升電子設(shè)備的整體性能和可靠性。