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Vishay DG411DY-E3 CMOS模擬開關(guān)中文資料

來源:
2024-07-25
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 12
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

Vishay DG411DY-E3 CMOS模擬開關(guān)中文資料

一、引言

Vishay DG411DY-E3是一款高性能的CMOS模擬開關(guān),由Vishay Semiconductor(威世半導(dǎo)體)生產(chǎn)。該開關(guān)被設(shè)計(jì)為單刀單擲(SPST)精密單片四路CMOS模擬開關(guān),專為處理精密模擬信號(hào)提供高速、低誤差的開關(guān)功能。本文將詳細(xì)介紹DG411DY-E3的型號(hào)類型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用以及主要參數(shù)。

DG411DY-E3圖片

  廠商名稱:Vishay

  元件分類:模擬開關(guān)

  中文描述: 模擬開關(guān),四通道,4放大器,SPST,35 ohm,±13.5V至±16.5V,SOIC,16引腳

  英文描述: Analogue Switch Quad SPST,15 V,18 V,24 V,28 V,16-Pin,SOIC,4

  數(shù)據(jù)手冊(cè):http://www.kmzr.net.cn/data/k01-37342516-DG411DY-E3.html

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  DG411DY-E3概述

  DG411DY-E3是一款單刀單擲(SPST)精密單片四路CMOS模擬開關(guān),旨在為精密模擬信號(hào)提供高速、低誤差的開關(guān)。結(jié)合了低功耗(0.35?W)和高速度(tON-110ns)。為了實(shí)現(xiàn)高電壓等級(jí)和卓越的開關(guān)性能,它是建立在Siliconix的高電壓硅柵工藝上。一個(gè)外延層可以防止閂鎖。每個(gè)開關(guān)在開啟時(shí)都能在兩個(gè)方向上同樣導(dǎo)電,在關(guān)閉時(shí)能阻止輸入電壓達(dá)到電源電平。DG411對(duì)相反的控制邏輯作出反應(yīng)。

  根據(jù)IEC 61249-2-21定義,無鹵素

  TTL/CMOS兼容

  單電源能力

  最寬的動(dòng)態(tài)范圍

  低信號(hào)誤差和失真

  先斷后續(xù)的開關(guān)動(dòng)作

  簡單的接口

  快速開關(guān)

  應(yīng)用

  工業(yè),測(cè)試與測(cè)量,通信與網(wǎng)絡(luò),電源管理,計(jì)算機(jī)和計(jì)算機(jī)周邊,國防,軍用與航空

  DG411DY-E3中文參數(shù)

  制造商:Vishay

  產(chǎn)品種類:模擬開關(guān)IC

  安裝風(fēng)格:SMD/SMT

  封裝/箱體:SOIC-16

  通道數(shù)量:4 Channel

  配置:4 x SPST

  導(dǎo)通電阻—最大值:35 Ohms

  電源電壓-最小:13 V

  電源電壓-最大:44 V

  最小雙重電源電壓:+/-15 V

  最大雙重電源電壓:+/-15 V

  運(yùn)行時(shí)間—最大值:175 ns

  空閑時(shí)間—最大值:145 ns

  最小工作溫度:-40 C

  最大工作溫度:+85 C

  系列:DG

  高度:1.55 mm

  長度:10 mm

  Pd-功率耗散:600 mW

  電源電流—最大值:1 uA

  電源類型:Single Supply,Dual Supply

  開關(guān)直流:30 mA

  DG411DY-E3引腳圖

image.png

二、型號(hào)類型

DG411DY-E3是Vishay Semiconductor公司DG411系列中的一款產(chǎn)品,屬于模擬開關(guān)IC類別。DG411系列還包括其他型號(hào),如DG411DY-T1-E3等,它們都具有類似的特性和功能,但可能在某些參數(shù)上略有不同。DG411DY-E3以其四通道、SPST配置和卓越的性能在市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。

三、工作原理

CMOS模擬開關(guān),如DG411DY-E3,通過控制CMOS晶體管的導(dǎo)通和截止來實(shí)現(xiàn)對(duì)模擬信號(hào)的切換。當(dāng)控制端施加高電平時(shí),CMOS晶體管導(dǎo)通,允許信號(hào)通過;當(dāng)控制端施加低電平時(shí),晶體管截止,阻斷信號(hào)傳輸。這種開關(guān)方式允許在模擬電路中靈活控制信號(hào)的路徑,實(shí)現(xiàn)信號(hào)的切換、復(fù)用等功能。

DG411DY-E3作為四路SPST模擬開關(guān),內(nèi)部集成了四個(gè)獨(dú)立的SPST開關(guān),每個(gè)開關(guān)均可獨(dú)立控制。這種設(shè)計(jì)使得DG411DY-E3能夠在單個(gè)封裝內(nèi)完成多路信號(hào)的切換,提高了電路設(shè)計(jì)的靈活性和集成度。

四、特點(diǎn)

  1. 高速低誤差:DG411DY-E3結(jié)合了低功耗(0.35μW)和高速度(tON ≤ 110ns)的特點(diǎn),為精密模擬信號(hào)提供了高速、低誤差的開關(guān)功能。

  2. 高電壓等級(jí):該開關(guān)建立在Siliconix的高電壓硅柵工藝上,支持較高的電源電壓范圍(±13.5V至±16.5V),并具備卓越的開關(guān)性能。

  3. 低功耗:低功耗設(shè)計(jì)使得DG411DY-E3非常適合于便攜式設(shè)備和電池供電的應(yīng)用場(chǎng)景。

  4. 防閂鎖能力:內(nèi)置的外延層可以有效防止閂鎖效應(yīng),提高了開關(guān)的穩(wěn)定性和可靠性。

  5. 雙向?qū)щ娦?/span>:每個(gè)開關(guān)在開啟時(shí)能在兩個(gè)方向上均勻?qū)щ?,關(guān)閉時(shí)則能阻止輸入電壓達(dá)到電源電平,確保了信號(hào)的精確控制。

  6. TTL/CMOS兼容:根據(jù)IEC 61249-2-21定義,DG411DY-E3為無鹵素設(shè)計(jì),且與TTL/CMOS電路兼容,便于與各種數(shù)字邏輯電路接口。

  7. 寬動(dòng)態(tài)范圍:DG411DY-E3具備較寬的動(dòng)態(tài)范圍,能夠處理多種幅度的模擬信號(hào)。

  8. 低信號(hào)誤差和失真:通過精密的制造工藝和電路設(shè)計(jì),DG411DY-E3在信號(hào)傳輸過程中引入的誤差和失真極低,保證了信號(hào)的完整性。

五、應(yīng)用

DG411DY-E3因其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景而備受青睞。以下是DG411DY-E3的一些典型應(yīng)用領(lǐng)域:

  1. 工業(yè)應(yīng)用:在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,DG411DY-E3可用于精密自動(dòng)測(cè)試設(shè)備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)等,實(shí)現(xiàn)信號(hào)的精確切換和傳輸。

  2. 測(cè)試與測(cè)量:在測(cè)試與測(cè)量領(lǐng)域,DG411DY-E3可用于構(gòu)建多通道信號(hào)切換器、信號(hào)復(fù)用器等,提高測(cè)試系統(tǒng)的靈活性和效率。

  3. 通信與網(wǎng)絡(luò):在通信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,DG411DY-E3可用于信號(hào)路由、信號(hào)選擇等,確保通信信號(hào)的穩(wěn)定傳輸。

  4. 電源管理:在電源管理系統(tǒng)中,DG411DY-E3可用于電池供電設(shè)備的電源切換和控制,提高設(shè)備的續(xù)航能力和穩(wěn)定性。

  5. 計(jì)算機(jī)和計(jì)算機(jī)周邊:在計(jì)算機(jī)及其周邊設(shè)備中,DG411DY-E3可用于信號(hào)接口電路、音頻/視頻信號(hào)切換等,提升設(shè)備的性能和用戶體驗(yàn)。

  6. 國防、軍用與航空:在國防、軍用和航空領(lǐng)域,DG411DY-E3因其高可靠性、低功耗和寬溫工作范圍而得到廣泛應(yīng)用。

六、主要參數(shù)

DG411DY-E3的主要參數(shù)如下:

  • 制造商:Vishay Semiconductor

  • 產(chǎn)品種類:模擬開關(guān)IC

  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT

  • 封裝/外殼:SOIC-14

  • 通道數(shù):4

  • 配置:SPST

  • 電源電壓-最大:±16.5V

  • 電源電壓-最小:±13.5V

  • 電源電壓:±15V

  • 導(dǎo)通電阻(最大):典型值約5Ω(具體值根據(jù)電源電壓和溫度條件變化)

  • 關(guān)閉漏電流(最大):1nA @ Vcc = ±15V, Ta = 25°C

  • 導(dǎo)通時(shí)間(典型):110ns

  • 關(guān)斷時(shí)間(典型):110ns

  • 工作溫度范圍:-55°C 至 +125°C

  • 輸入電壓范圍:兼容TTL/CMOS邏輯電平

  • 功耗(典型):0.35μW @ Vcc = ±15V, RL = ∞, Ta = 25°C

  • 閂鎖免疫:具有外延層保護(hù),提高抗閂鎖能力

  • 靜電放電(ESD)保護(hù):符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

  • 無鹵素:是,符合RoHS及IEC 61249-2-21標(biāo)準(zhǔn)

七、詳細(xì)特性與應(yīng)用場(chǎng)景深入

1. 低導(dǎo)通電阻與高速切換

DG411DY-E3的低導(dǎo)通電阻特性確保了信號(hào)在開關(guān)過程中幾乎無衰減,這對(duì)于需要高精度信號(hào)處理的應(yīng)用至關(guān)重要。同時(shí),其高速切換能力使得DG411DY-E3能夠應(yīng)用于需要快速響應(yīng)的系統(tǒng)中,如音頻信號(hào)路由、高速數(shù)據(jù)采集等。

2. 寬電源電壓范圍

DG411DY-E3支持的電源電壓范圍從±13.5V至±16.5V,這意味著它可以在多種電源條件下工作,增強(qiáng)了設(shè)計(jì)的靈活性和兼容性。這一特性尤其適合需要處理高電壓信號(hào)的工業(yè)應(yīng)用和測(cè)試測(cè)量設(shè)備。

3. 高溫工作能力

在-55°C至+125°C的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,使得DG411DY-E3成為軍事、航空航天等極端環(huán)境應(yīng)用的理想選擇。這些領(lǐng)域?qū)﹄娮釉哪透邷匦阅苡兄鴩?yán)格要求,DG411DY-E3的出色表現(xiàn)滿足了這些需求。

4. 低功耗設(shè)計(jì)

低功耗是便攜式設(shè)備和電池供電應(yīng)用的關(guān)鍵考量因素。DG411DY-E3的低功耗特性(典型值0.35μW)有助于延長設(shè)備的電池壽命,減少能源消耗,符合當(dāng)前綠色節(jié)能的發(fā)展趨勢(shì)。

5. 精密模擬信號(hào)處理

在音頻、視頻、傳感器信號(hào)處理等應(yīng)用中,對(duì)模擬信號(hào)的精度要求極高。DG411DY-E3的低信號(hào)誤差和失真特性確保了信號(hào)在傳輸和切換過程中的高保真度,為這些應(yīng)用提供了可靠的解決方案。

6. 靈活的多路復(fù)用與選擇

作為四路SPST模擬開關(guān),DG411DY-E3能夠在單個(gè)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)多路信號(hào)的復(fù)用和選擇。這種靈活性使得它在需要多路信號(hào)處理的系統(tǒng)中具有顯著優(yōu)勢(shì),如多路數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、音頻/視頻信號(hào)切換矩陣等。

八、結(jié)論

綜上所述,Vishay DG411DY-E3 CMOS模擬開關(guān)憑借其高速、低誤差、低功耗、寬電壓范圍和高溫工作能力等卓越特性,在工業(yè)自動(dòng)化、測(cè)試測(cè)量、通信網(wǎng)絡(luò)、電源管理、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備以及國防、軍用與航空等多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。其精密的模擬信號(hào)處理能力和靈活的多路復(fù)用功能為各種復(fù)雜系統(tǒng)提供了可靠的信號(hào)控制解決方案。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,DG411DY-E3將繼續(xù)發(fā)揮其重要作用,推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展和創(chuàng)新。



責(zé)任編輯:David

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