oring控制器配什么MOS管?


ORING控制器(也稱為二極管OR控制器或理想二極管控制器)用于實(shí)現(xiàn)電源的冗余備份,通過控制MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)來模擬二極管的功能,以降低功耗和發(fā)熱。選擇合適的MOSFET對(duì)于ORING控制器的性能至關(guān)重要,以下從選型關(guān)鍵參數(shù)、常見搭配類型及示例等方面進(jìn)行介紹:
選型關(guān)鍵參數(shù)
導(dǎo)通電阻( )
含義:指在特定條件下,MOSFET漏極和源極之間的電阻值。
影響及選型建議:導(dǎo)通電阻越小,MOSFET在導(dǎo)通時(shí)的壓降就越小,功耗也就越低,能提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少發(fā)熱。在ORING控制器應(yīng)用中,應(yīng)盡量選擇導(dǎo)通電阻小的MOSFET,以降低電源損耗。例如,對(duì)于電流較大的應(yīng)用場(chǎng)景,導(dǎo)通電阻每降低一點(diǎn),都能顯著減少發(fā)熱和功耗。
漏極 - 源極擊穿電壓( )
含義:表示MOSFET能承受的最大漏極 - 源極電壓。
影響及選型建議:必須大于電路中的最大工作電壓,并留有一定的余量,以防止MOSFET因過壓而損壞。如果電路工作電壓為24V,那么選擇的MOSFET的 應(yīng)至少為40V或更高,這樣才能保證在電壓波動(dòng)或瞬態(tài)過壓情況下,MOSFET仍能正常工作。
柵極閾值電壓( )
含義:指使MOSFET開始導(dǎo)通所需的柵極 - 源極電壓。
影響及選型建議:要與ORING控制器的輸出驅(qū)動(dòng)電壓相匹配。如果ORING控制器的輸出驅(qū)動(dòng)電壓較低,就應(yīng)選擇柵極閾值電壓也較低的MOSFET,以確保MOSFET能可靠導(dǎo)通。例如,一些低電壓的ORING控制器,其輸出驅(qū)動(dòng)電壓可能只有3.3V或5V,此時(shí)就需要選擇柵極閾值電壓在1V - 2V左右的MOSFET。
最大漏極電流( )
含義:表示MOSFET能承受的最大漏極電流。
影響及選型建議:要大于電路中的最大工作電流,并考慮一定的安全余量。如果電路中的最大工作電流為10A,那么選擇的MOSFET的 應(yīng)至少為20A或更高,以防止MOSFET因過流而損壞。
常見搭配MOSFET類型
N溝道MOSFET
特點(diǎn):導(dǎo)通電阻相對(duì)較小,在相同電流下功耗較低,且驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單。
應(yīng)用場(chǎng)景:廣泛應(yīng)用于各種ORING控制器電路中,特別是在對(duì)功耗和效率要求較高的場(chǎng)合。例如,在服務(wù)器電源、通信設(shè)備電源等應(yīng)用中,N溝道MOSFET常被用于實(shí)現(xiàn)電源的冗余備份。
P溝道MOSFET
特點(diǎn):在一些特定的電路設(shè)計(jì)中,P溝道MOSFET可能具有優(yōu)勢(shì),例如在需要高側(cè)開關(guān)的應(yīng)用中,P溝道MOSFET可以直接連接在電源正極和負(fù)載之間,電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)潔。
應(yīng)用場(chǎng)景:在一些對(duì)電路布局和設(shè)計(jì)有特殊要求的情況下,P溝道MOSFET也會(huì)被使用。不過,P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻通常相對(duì)較大,且驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)復(fù)雜一些。
選型示例
凌力爾特(Linear Technology,現(xiàn)被ADI收購(gòu))的LTC4353 ORING控制器
推薦搭配MOSFET:IRF540N(N溝道MOSFET)。IRF540N的 為100V, 為33A, 為44mΩ(在 時(shí)),柵極閾值電壓為2V - 4V。這些參數(shù)使得它能夠很好地與LTC4353配合使用,適用于一些電壓較高、電流較大的電源冗余備份應(yīng)用。
德州儀器(TI)的TPS2412 ORING控制器
推薦搭配MOSFET:Si4435DY(N溝道MOSFET)。Si4435DY的 為30V, 為80A, 為3.2mΩ(在 時(shí)),柵極閾值電壓為1V - 2.5V。它具有較低的導(dǎo)通電阻,能有效降低功耗,適用于對(duì)效率要求較高的電源冗余備份電路。
責(zé)任編輯:Pan
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