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基于OB2263的12W電源環(huán)路設(shè)計方案

來源:
2025-06-04
類別:電源管理
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

一、設(shè)計概述

在當(dāng)今智能家居、通信終端及小型便攜設(shè)備中,12W左右的開關(guān)電源憑借其高效率、體積緊湊和低成本等優(yōu)勢得到了廣泛應(yīng)用。基于OB2263的12W電源環(huán)路設(shè)計方案,以其高集成度、低待機(jī)功耗和豐富的保護(hù)功能,能夠滿足高性能與高可靠性的要求。本文將詳細(xì)介紹該設(shè)計方案中各主要元器件的型號、功能及選型理由,以供工程人員在實際開發(fā)時參考。

12W電源的設(shè)計需兼顧EMI性能、穩(wěn)壓精度、負(fù)載調(diào)整率和溫度特性等?;贠B2263的一次性頂端驅(qū)動單片方案,集成了高壓啟動電路、PWM振蕩器、過流保護(hù)、過熱保護(hù)、欠壓鎖定等模塊。通過合理選擇外圍元件,可構(gòu)建一款低成本、高可靠性且易于維護(hù)的AC-DC電源適配器。本文從設(shè)計需求出發(fā),通過對OB2263芯片特性分析,搭建電路拓?fù)?,選擇合適的關(guān)鍵元器件,深入探討設(shè)計細(xì)節(jié)與調(diào)試方法,以期幫助開發(fā)者快速完成產(chǎn)品開發(fā)。

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二、OB2263芯片簡介

OB2263是芯??萍纪瞥龅囊豢畹凸β书_關(guān)電源控制芯片,集成高壓啟動電路及PWM控制器,采用TOP(Tornado Power)架構(gòu),工作頻率可在約60kHz至80kHz之間自動調(diào)整,優(yōu)化變壓器體積與效率。其內(nèi)置700V耐壓功率MOSFET、可編程電流限制、電壓補(bǔ)償及軟啟動電路,為一次性開關(guān)電源設(shè)計提供了簡潔、高效的解決方案。

OB2263芯片主要功能包括:

  1. 內(nèi)置高壓啟動電路,可直接連接至BUS插座,無需額外啟動電阻或成本高昂的待機(jī)控制芯片;

  2. PWM振蕩器電路,頻率可通過外部電阻/電容設(shè)定;

  3. 過流保護(hù)與脈沖跳頻技術(shù),在過載或短路時具備優(yōu)良的保護(hù)能力,并能減小電源EMI;

  4. 過熱保護(hù)及欠壓鎖定功能,保證電源在異常溫度和輸入電壓環(huán)境下安全可靠;

  5. 輸出補(bǔ)償及誤差放大器接口,通過次級側(cè)反饋實現(xiàn)高精度穩(wěn)壓與快速動態(tài)響應(yīng)。

選用OB2263的主要理由如下:

  1. 集成700V耐壓MOSFET,省去外部MOSFET成本,簡化PCB布局;

  2. 待機(jī)功耗低于100mW,可滿足能效法規(guī)要求;

  3. TOP架構(gòu)在輕負(fù)載和滿載條件下均能保持較高效率;

  4. 內(nèi)置多重保護(hù)功能,提高整機(jī)可靠性;

  5. 豐富的外圍可調(diào)參數(shù),設(shè)計靈活性強(qiáng),滿足不同應(yīng)用需求。

三、電路拓?fù)渑c工作原理

本設(shè)計采用一次性TOP架構(gòu),將OB2263芯片直接連接到高壓直流母線上,通過內(nèi)置功率MOSFET驅(qū)動變壓器一次繞組。當(dāng)市電交流接入后,經(jīng)整流濾波形成約310V直流電壓,并經(jīng)輸入濾波后供給OB2263芯片與功率開關(guān)管。芯片內(nèi)部啟動時,高壓管導(dǎo)通,輸出開啟振蕩;變壓器將高壓直流轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓,通過次級整流與濾波生成穩(wěn)定的12V輸出。

變壓器次級側(cè)通過光耦結(jié)合TL431基準(zhǔn)反饋,向OB2263的FB腳提供反饋信號。芯片通過調(diào)整占空比實現(xiàn)精確穩(wěn)壓。輸出整流采用肖特基二極管及LC濾波,保證輸出紋波小于100mV。為滿足EMI要求,在輸入端配置共模電感與差模電容,同時在輸出側(cè)配置磁珠及電容抑制高頻噪聲。

在過流保護(hù)方面,OB2263通過檢測功率MOSFET電流實現(xiàn)峰值限流。當(dāng)負(fù)載超過設(shè)定閾值時,芯片限流脈沖寬度;若故障持續(xù),芯片進(jìn)入保護(hù)定時關(guān)斷狀態(tài)。過溫保護(hù)當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過設(shè)定值時自動關(guān)斷輸出,待溫度恢復(fù)后重新啟動。在浪涌與過壓方面,設(shè)計中通過輸入側(cè)浪涌電阻、NTC限流及MOV防護(hù),大幅提升電源抗干擾能力和使用安全性。

四、主要元器件選型與設(shè)計

4.1 OB2263開關(guān)控制器芯片

  • 型號:OB2263

  • 器件功能:集成高壓啟動、PWM控制、過流保護(hù)、過壓保護(hù)、軟啟動及過溫保護(hù)等功能,是一次性高壓開關(guān)電源的核心控制器。

  • 選型理由:OB2263具備集成700V高壓MOSFET的優(yōu)勢,無需外置功率管,簡化設(shè)計;芯片待機(jī)功耗低,可滿足各種能效等級認(rèn)證;采用TOP架構(gòu),峰值電流可通過外部電阻進(jìn)行編程;內(nèi)部過載和過熱保護(hù)功能完善,提升系統(tǒng)可靠性。

  • 功能說明

    1. 啟動功能:內(nèi)部高壓管在電源接通后對輸入進(jìn)行直接拉取啟動電流,無需高壓啟動電阻,大幅降低待機(jī)功耗;

    2. PWM控制:通過RT/CT電阻電容設(shè)定振蕩頻率,控制一次側(cè)MOSFET的開關(guān)頻率及占空比,實現(xiàn)輸出功率調(diào)節(jié);

    3. 過流檢測:CS電阻采樣功率管電流,對比內(nèi)部基準(zhǔn),當(dāng)電流超過設(shè)定值時立即關(guān)斷開關(guān)并啟動限流保護(hù);

    4. 過溫保護(hù):內(nèi)部溫度傳感電路,當(dāng)溫度超過150℃時,芯片關(guān)閉輸出直到溫度恢復(fù);

    5. 反饋調(diào)節(jié):FB腳連接次級光耦反饋,通過調(diào)節(jié)占空比實現(xiàn)輸出穩(wěn)壓。

4.2 功率開關(guān)管選型

  • 型號:AOZ5192 / S8050(示例),或根據(jù)需求選擇MOSFET

    • AOZ5192:700V、0.7Ω、45mA柵極電荷增強(qiáng)型MOSFET

    • S8050:不同規(guī)格可選,此處示例

  • 器件功能:在OB2263內(nèi)部集成MOSFET的情況下,若考慮熱性能或高功率應(yīng)用,可外置增強(qiáng)型MOSFET以降低導(dǎo)通損耗,提高效率。

  • 選型理由:AOZ5192耐壓700V,導(dǎo)通電阻低至0.7Ω,柵極電荷小,開關(guān)損耗低;封裝采用TO-220F或TO-252,散熱性能好;能夠承受峰值反壓,適合在高壓邊工作。

  • 功能說明

    1. 開關(guān)變換:MOSFET作為開關(guān)元件,在OB2263控制下按PWM信號導(dǎo)通與關(guān)斷,將輸入高壓DC變換為脈動能量;

    2. 散熱作用:低導(dǎo)通電阻減少導(dǎo)通損耗,同時封裝良好的散熱設(shè)計確保長時間穩(wěn)定工作;

    3. 保護(hù)特性:MOSFET內(nèi)部二極管可以承受反向電流,外部加入RCD吸收鉗位電路可進(jìn)一步保護(hù)元件。

4.3 變壓器設(shè)計與選型

  • 型號:自制或選用EE16/EI33骨架變壓器(視功率需求調(diào)整),線材選用高頻Enameled Copper Wire 0.2–0.5mm

  • 器件功能:實現(xiàn)一次側(cè)高壓DC到次級所需12V的隔離與電能轉(zhuǎn)換;承擔(dān)隔離、磁儲能、能量傳遞等功能。

  • 選型理由:EE16與EI33骨架結(jié)構(gòu)成熟,磁性能好、成本低;根據(jù)12W功率和工作頻率(約65kHz),選用適當(dāng)磁芯材料(如Ferroxube U50)與匝數(shù)比設(shè)計,保證磁飽和裕量及效率。

  • 功能說明

    1. 匝比設(shè)計:一次側(cè)匝數(shù)根據(jù)飽和磁通密度與工作電壓決定,典型設(shè)計為一次側(cè)匝數(shù)約120T,次級12V輸出匝數(shù)約20T,輔助繞組用于提供芯片電源與反饋電壓;

    2. 漏感與磁滯損耗:通過合理繞制與絞線技術(shù),控制漏感在300nH左右,以減少開關(guān)尖峰;磁芯選用低損耗材料,實現(xiàn)高效率;

    3. 絕緣與阻燃:線圈間使用聚酯薄膜或聚酰亞胺膠帶絕緣,確保耐壓4kV以上;

    4. 結(jié)構(gòu)設(shè)計:次級多個引出線集中排布,減少漏感,并在繞組之間添加屏蔽紙分層,進(jìn)一步降低電容耦合干擾。

4.4 輸出整流與濾波元件

  • 肖特基二極管型號:SS14 (1A, 40V, SWIFT) 或 MBR340(3A, 40V)

  • 輸出電感型號:LQH3NPNR15R0KLK0L(150μH)(如需更大電流可選220μH)

  • 輸出電容型號:Rubycon 16V 220μF 105°C 或 Panasonic FR系列 16V 220μF

  • 器件功能:輸出整流二極管將次級變壓器輸出的交流脈動整流為直流,并由LC濾波網(wǎng)絡(luò)濾除紋波,提供穩(wěn)定的12V直流輸出。

  • 選型理由:SS14具有低正向壓降(約0.5V)、快速恢復(fù)特性,適合高頻開關(guān)電源;若考慮更大的負(fù)載余量,可選用MBR340;輸出電感與電容選用105°C高溫系列,保證在嚴(yán)酷環(huán)境下穩(wěn)定工作;電感選用磁芯損耗低、飽和電流大于2A的型號,避免飽和導(dǎo)致輸出失真。

  • 功能說明

    1. 肖特基二極管:低導(dǎo)通電壓降低整流損耗,提高輸出效率;快速恢復(fù)防止反向恢復(fù)電流導(dǎo)致EMI;

    2. 輸出電感:與電容構(gòu)成PI濾波,濾除開關(guān)頻率紋波,減小輸出噪聲;

    3. 輸出電容:提供瞬態(tài)電流,與輸出電感一起維持輸出電壓穩(wěn)定,減少紋波;高品質(zhì)電解電容保證長壽命。

4.5 反饋與穩(wěn)壓電路元件

  • TL431型號:TL431AH 跨阻運(yùn)放型可編程精密參考源

  • 光耦隔離器型號:PC817 或 HCPL-817(萬級帶寬,次級反饋)

  • 反饋電阻型號:Yageo 1%精度 1kΩ、4.7kΩ(示例)

  • 器件功能:TL431與光耦結(jié)合實現(xiàn)次級對一次側(cè)的隔離反饋,將輸出電壓誤差轉(zhuǎn)換為光耦驅(qū)動信號,反饋至OB2263的FB端,實現(xiàn)精確穩(wěn)壓。

  • 選型理由:TL431AH具有溫漂小、基準(zhǔn)電壓精準(zhǔn)(2.495V±1%),在12V輸出設(shè)計中設(shè)計簡便;PC817光耦帶足夠CTR,隔離等級高;反饋電阻選用1%精度金屬膜電阻,保證反饋精度;

  • 功能說明

    1. 參考與比較:TL431在電阻分壓網(wǎng)絡(luò)下,當(dāng)次級輸出電壓高于設(shè)定值時導(dǎo)通,驅(qū)動光耦LED;

    2. 光耦隔離:LED光信號被光耦受光二極管接收,通過隔離電流傳輸至一次側(cè),避免直接電氣連接;

    3. FB調(diào)節(jié):光耦集電極連接OB2263 FB腳與VCC,通過調(diào)節(jié)FB電流改變芯片占空比,實現(xiàn)自動穩(wěn)壓;

    4. 保護(hù)作用:當(dāng)輸出過壓或斷線時,TL431導(dǎo)通異常,OB2263自動限制或關(guān)閉輸出,保護(hù)負(fù)載。

4.6 輸入部分EMI濾波與防雷浪涌元件

  • 輸入共模電感型號:TDK DE20MF-47M-2(47mH)

  • 差模電感型號:Wurth 74477147(共模100μH)

  • X電容型號:Yageo 275VAC X2 0.1μF

  • Y電容型號:Yageo Y2 470pF 250VAC

  • MOV型號:Epcos MOV-14D471K(275VAC)

  • 浪涌限流NTC型號:TDK MZ20/15D-5

  • 熔斷器型號:Littelfuse 5x20mm 250VAC 2A慢斷熔斷器

  • 器件功能:EMI濾波器由共模電感、差模電感與X、Y電容構(gòu)成,用以濾除來自電網(wǎng)及電源開關(guān)噪聲,滿足EMI標(biāo)準(zhǔn);MOV和NTC用于抑制浪涌、電涌,熔斷器用于輸入過流保護(hù)。

  • 選型理由

    1. TDK共模電感與Wurth差模電感搶先滿足EMI標(biāo)準(zhǔn);

    2. X2電容與Y2電容具備認(rèn)證安全級別,耐壓高、泄漏低,保證可靠性;

    3. MOV-14D471K峰值能量吸收高達(dá) 40J,有效抑制浪涌沖擊;

    4. NTC啟動時限流至0.5A左右,避免浪涌電流損壞元件;

    5. 熔斷器額定2A,可在輸入短路或嚴(yán)重故障時及時切斷電源,保護(hù)后續(xù)電路。

  • 功能說明

    1. EMI抑制:共模電感對共模干擾提供高阻抗,X電容與差模電感組合抑制差模干擾;

    2. 浪涌抑制:NTC在常溫下有較大阻值,啟動時限流;MOV在高壓脈沖時導(dǎo)通,將浪涌能量吸收至地;

    3. 過流保護(hù):熔斷器在超過額定電流后熔斷,保護(hù)上游線路。

4.7 PCB連接及過壓吸收元件

  • RCD吸收電路

    • 電阻型號:Vishay RC 1kΩ 1W 2512

    • 電容型號:Murata 47pF 2kV 陶瓷電容

    • 二極管型號:BAV99 雙向高壓快恢復(fù)二極管(70V)

  • TVS二極管型號:SMBJ24A (24V單向)

  • 器件功能:在MOSFET關(guān)斷瞬間,變壓器漏感產(chǎn)生的尖峰電壓通過RCD電路鉗位,保護(hù)開關(guān)管;TVS二極管用于次級浪涌保護(hù),當(dāng)輸出出現(xiàn)過壓瞬間,將瞬態(tài)高壓鉗制在安全范圍。

  • 選型理由

    1. 1kΩ功率電阻可承受高能量脈沖且響應(yīng)速度快;

    2. 47pF陶瓷電容耐壓2kV,能夠與RCD配合吸收高頻尖峰;

    3. BAV99雙向二極管快恢復(fù)性能優(yōu)越,可在數(shù)十納秒內(nèi)完成鉗位;

    4. SMBJ24A TVS二極管功率大、響應(yīng)快,可承受高達(dá)600W鉗位功率,保護(hù)輸出側(cè)負(fù)載。

  • 功能說明

    1. RCD鉗位:開關(guān)管關(guān)斷后,漏感產(chǎn)生電壓尖峰,經(jīng)電阻分壓至電容,二極管導(dǎo)通使尖峰電流流入電容并慢慢消散;

    2. TVS保護(hù):當(dāng)輸出電壓超出16V以上時,TVS導(dǎo)通,將過壓導(dǎo)入地線,保護(hù)下游電路。

五、PCB布局與散熱考慮

在高頻開關(guān)電源設(shè)計中,合理的PCB布局對電源性能至關(guān)重要。針對OB2263設(shè)計,布局應(yīng)遵循以下原則:

  1. 高壓與低壓部分分區(qū):將輸入EMI濾波、整流與開關(guān)管區(qū)域與低壓控制區(qū)分開,盡量避免噪聲耦合;

  2. 短回路路徑:功率回路(MOSFET-變壓器-整流二極管-輸出電容)走線盡量短且寬,減小寄生電感與電阻;

  3. 散熱設(shè)計:OB2263芯片及外置MOSFET若產(chǎn)生大量熱量,應(yīng)設(shè)計散熱銅箔區(qū)域,必要時添加散熱片;在PCB下層使用充足銅厚度以利導(dǎo)熱;

  4. 接地策略:采用單點或多點接地方式,將功率地與信號地分離,控管回流路徑,降低噪聲對控制回路的干擾;

  5. 反饋回路屏蔽:將TL431與光耦所在區(qū)域盡量遠(yuǎn)離開關(guān)噪聲源,并在FB引腳附近布局小阻值電阻,穩(wěn)定反饋信號。

在散熱方面,OB2263內(nèi)部集成功率管具有一定熱阻,如工作環(huán)境溫度高于60℃,需考慮強(qiáng)制風(fēng)冷或額外散熱片;輸出肖特基二極管也會產(chǎn)生熱量,建議在其底部設(shè)計大面積銅箔或散熱片接口,以保證長期穩(wěn)定運(yùn)行。

六、調(diào)試與測試建議

為了保證電源在量產(chǎn)前的性能與可靠性,需進(jìn)行以下測試與調(diào)試:

  1. 空載與滿載測試:分別測量輸出電壓與效率,校準(zhǔn)反饋網(wǎng)絡(luò),使輸出電壓維持在12V±0.1V;

  2. 負(fù)載動態(tài)響應(yīng)測試:在突變負(fù)載條件下測試輸出波形,保證負(fù)載跳變時輸出無明顯過沖或下陷;

  3. EMI測試:在典型測試環(huán)境中進(jìn)行EMI輻射與傳導(dǎo)測試,優(yōu)化濾波網(wǎng)絡(luò)參數(shù),確保滿足CE/CCC等認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn);

  4. 高溫老化測試:在60℃環(huán)境下滿載工作48小時,驗證元件溫升與長時間穩(wěn)定性;

  5. 過載與短路保護(hù)測試:逐步增加負(fù)載至超過設(shè)計功率50%,測試過流保護(hù)動作;短路輸出端,驗證短路自動重啟或保護(hù)定時關(guān)斷功能是否正常;

  6. 浪涌與耐壓測試:對輸入端施加AC 300VAC沖擊,驗證MOV與NTC響應(yīng);對變壓器次級與初級間施加3000VAC耐壓測試,保證絕緣可靠性;

  7. 功率因數(shù)測試:使用功率因數(shù)測試儀測試整機(jī)功率因數(shù),若低于0.5,可考慮增加PFC級或改進(jìn)輸入濾波網(wǎng)絡(luò)。

在調(diào)試過程中,可通過示波器觀察MOSFET驅(qū)動波形、漏源電壓、變壓器次級波形以及輸出整流后紋波,對反饋環(huán)路進(jìn)行微調(diào),確保系統(tǒng)在各種工作條件下穩(wěn)定可靠。

七、總結(jié)

基于OB2263的12W電源環(huán)路設(shè)計方案,通過選擇合適的芯片及外圍元器件,實現(xiàn)了低待機(jī)功耗、高轉(zhuǎn)換效率和多重保護(hù)功能。OB2263芯片憑借其TOP架構(gòu)和多重保護(hù)功能簡化了設(shè)計,相對于傳統(tǒng)控制方案顯著降低了成本和體積。本文詳細(xì)介紹了各主要元器件的選型理由、功能與設(shè)計要點,為工程人員在實際產(chǎn)品開發(fā)中提供了參考思路。在今后的優(yōu)化迭代中,可根據(jù)應(yīng)用場景需求進(jìn)一步改進(jìn)變壓器結(jié)構(gòu)、優(yōu)化濾波方案,并結(jié)合市場上更高效的半導(dǎo)體器件以提升整體性能。

通過本文所述設(shè)計流程與元器件選型原則,讀者能夠快速搭建并調(diào)試一款穩(wěn)定、高效的12W AC-DC電源適配器,為智能家居、物聯(lián)網(wǎng)終端、小型工控設(shè)備等領(lǐng)域提供可靠電源保障。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: OB2263 電源環(huán)路

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