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MOS型場效應(yīng)管
MOS型場效應(yīng)管
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MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金屬氧化物合成半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管),屬于絕緣柵型。特點(diǎn):金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(最高可達(dá)1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。