一、2nm工藝的核心技術(shù)突破1. 架構(gòu)革新：從FinFET到GAA（環(huán)繞柵極晶體管）FinFET的物理極限：3nm及以下制程中，F(xiàn)inFET的鰭片寬度接近5nm，導(dǎo)致漏電、性能提升停滯（類似“水管變窄后水流受阻”）。GAA的優(yōu)勢(shì)：相同功耗下，速度提升10%~15%；相同速度下，功耗降低25%~30%；晶體管密度達(dá)3.3億個(gè)/mm2（約等于......

晶體管（Transistor）是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于放大信號(hào)、開(kāi)關(guān)控制、邏輯運(yùn)算等領(lǐng)域。其核心原理基于半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性，通過(guò)控制微小的輸入信號(hào)（如電壓或電流），實(shí)現(xiàn)對(duì)較大輸出信號(hào)的調(diào)控。以下是晶體管原理的全面解析：一、晶體管的基本類型與結(jié)構(gòu)晶體管主要分為以下兩種類型，其結(jié)構(gòu)和工作原理略有不同：1. 雙極型晶體管（BJT,......

第一步：認(rèn)識(shí)電路圖的基本元素電路圖由符號(hào)、線條、標(biāo)注構(gòu)成，理解這些基礎(chǔ)元素是看懂電路圖的第一步。以下是核心要素：元素類型示例符號(hào)說(shuō)明類比理解元器件符號(hào)電阻（?）、電容（║║）、二極管（?）每個(gè)元器件有標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)，需記憶常見(jiàn)符號(hào)（如LED、三極管、芯片等）。類似“文字拼圖”，符號(hào)是電路的“字母”。連接線實(shí)線（導(dǎo)線）、虛線（控制線）實(shí)線表示電氣......

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出的EPC2215和EPC2207兩款新一代200 V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET），在性能、尺寸和成本上實(shí)現(xiàn)了顯著突破，為高功率密度、高頻及高效能應(yīng)用提供了理想解決方案。以下是對(duì)這兩款產(chǎn)品的詳細(xì)分析：一、核心性能優(yōu)勢(shì)超低導(dǎo)通電阻與高電流能力EPC2215：導(dǎo)通電阻僅8 mΩ，脈沖電流額定值達(dá)162 A......