晶體諧振器主要技術(shù)指標(biāo)

　　標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

　　標(biāo)稱值。

　　頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對于標(biāo)稱頻率的偏差。

　　調(diào)整頻差：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的最大允許頻率偏差。

　　負(fù)載諧振頻率(fL)：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(產(chǎn)生諧振)的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

　　晶體諧振器 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

　　工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。

　　頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的最大允許頻偏。

　　ft=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)

　　ftref=±MAX[|(fmax-fref)/fref|，|(fmin-fref)/fref|]

　　ft：頻率溫度穩(wěn)定度(不帶隱含基準(zhǔn)度)

　　ftref：頻率溫度穩(wěn)定度(帶隱含基準(zhǔn)溫)

　　fmax ：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的最高頻率

　　fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的最低頻率

　　fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測得的頻率

　　說明

　　采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器,故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價較高。

　　負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率FL的有效外界電容，用CL表示。

　　負(fù)載電容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF

　　激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等

　　老化率：在確定時間內(nèi)輸出頻率的相對變化。

　　基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。

　　泛音：晶體振動的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。