致真存儲（北京）科技有限公司，作為中國新一代自旋磁性隨機存儲器（MRAM）研發(fā)與應用的引領者，深耕自旋存儲芯片領域近十年，布局于底層機理、材料研究、上層電路、應用級設計、關鍵制造工藝開發(fā)，專注前沿科學技術探究的全方位研發(fā)能力，為客戶更高端、高可靠、可持續(xù)的芯片級解決方案。公司研發(fā)的新一代磁性隨機存儲芯片，采用電子的自旋屬性表征數(shù)據(jù)信息，相較于傳統(tǒng)存儲器具備超快速讀寫、低功耗、耐擦寫、抗干擾能力及強等獨特優(yōu)勢。是下一代非易失存儲芯片的理想選擇，在人工智能、存算一體、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領域應用前景廣闊。