致真存儲（北京）科技有限公司，作為中國新一代自旋磁性隨機(jī)存儲器（MRAM）研發(fā)與應(yīng)用的引領(lǐng)者，深耕自旋存儲芯片領(lǐng)域近十年，布局于底層機(jī)理、材料研究、上層電路、應(yīng)用級設(shè)計(jì)、關(guān)鍵制造工藝開發(fā)，專注前沿科學(xué)技術(shù)探究的全方位研發(fā)能力，為客戶更高端、高可靠、可持續(xù)的芯片級解決方案。公司研發(fā)的新一代磁性隨機(jī)存儲芯片，采用電子的自旋屬性表征數(shù)據(jù)信息，相較于傳統(tǒng)存儲器具備超快速讀寫、低功耗、耐擦寫、抗干擾能力及強(qiáng)等獨(dú)特優(yōu)勢。是下一代非易失存儲芯片的理想選擇，在人工智能、存算一體、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。