MicroWave Technology, Inc. 是一家全球領(lǐng)先的制造商，產(chǎn)品覆蓋射頻和微波分立半導(dǎo)體產(chǎn)品、砷化鎵和氮化鎵射頻功率放大器、低噪聲 pHEMT 器件、MMIC、無線放大器、混合式模塊以及連接化的微波放大器。 MicroWave Technology, Inc. (MwT) 由幾位技術(shù)負(fù)責(zé)人于 1982 年在加利福尼亞州硅谷成立，他們在砷化鎵 (GaAs) 器件設(shè)計和制造方面擁有豐富的經(jīng)驗。 公司擁有占地 35000 平方英尺的工廠，主要資產(chǎn)包括其砷化鎵半導(dǎo)體制造設(shè)施以及混合式芯片和線微波集成電路 (HMIC) 制造設(shè)施。 垂直制造和產(chǎn)品優(yōu)勢給 MwT 在微波元件市場帶來了非同尋常的靈活性和機(jī)遇。 MwT 是美國分立砷化鎵二極管和晶體管（FET、 pHEMT 和效應(yīng)二極管）的領(lǐng)先制造商。 早期工作集中在專有的金屬噴鍍系統(tǒng)對器件可靠性的影響方面，該工藝能使 MwT 的器件不受氫污染影響，而這一點對高可靠性行業(yè)來說至關(guān)重要。 這些器件采用專有環(huán)氧氯丙烷材料和四分之一微米凹進(jìn)柵極工藝技術(shù)，可以生產(chǎn)出更高線性度（+48 dBm IP3，在 1 W P-1 dB 無線放大器中）和更低相位噪聲（-125 dBc，在 17.5 GHz DRO 條件下發(fā)生 100 KHz 偏移時）的額定功率輸出從 10 毫瓦至 5 瓦的器件。 這些器件采用芯片式或封裝式出售，廣泛用于無線基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)、工業(yè)射頻應(yīng)用以及在各種國防和空間電子設(shè)備中廣泛用于從 10 MHz 至 40 GHz 的傳輸或信息接收信號的放大。